Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Аналитическая химия -> Гоулдстейн Дж. -> "Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 1" -> 66

Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 1 - Гоулдстейн Дж.

Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лифшин Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 1 — М.: Мир, 1984. — 303 c.
Скачать (прямая ссылка): rastelektrmicroanaliz1984.djvu
Предыдущая << 1 .. 60 61 62 63 64 65 < 66 > 67 68 69 70 71 72 .. 90 >> Следующая


5.3.3.3. Пики потерь рентгеновского излучения кремния

После генерации фотоэлектрона атом кремния остается в возбужденном состоянии. Если фотоэлектрон эмиттируется из Я-оболочіки, то в атоме может последовать электронный переход

50

ТІКЯ 13В2 103

Тік (потерь)

186-103

/

о

E, кэВ

10

Рис. 5.24. Спектр титана, полученный с помощью полупроводникового детектора при электронном возбуждении.

Наблюдаются линии Ti^a и Ti^g, пики потерь рентгеновского излучения кремния н сум

ыарныс пики 2К и (К + K0) и, кроме того, дополнительные пики от камеры образца, сс оь р Рентгеноспектральные измерения

221

Рис. 5.25. Вероятность выхода излучения Sijcct в зависимости от энергии падающих фотонов [54].

Сплошная линия — теория, штрихпунктирная — эксперимент.

для заполнения вакансии в K-оболочке с эмиссией рентгеновского /(-излучения кремния или оже-электрона (рис. 5.17). Глубина выхода оже-электрона составляет лишь доли микрометров, и, следовательно, имеется очень большая вероятность того, что этот электрон вновь поглотится в детекторе. В этом случае энергия электрона пойдет на образование носителей заряда, общее число которых будет соответствовать точному значению энергии, поглощенной детектором.

Для рентгеновского /(-излучения Si, с другой стороны, имеется конечная вероятность выхода из детектора (после прохождения расстояния в 30 мкм в кремнии остается 10% от начальной интенсивности Si /(-излучения). Если происходит такой выход рентгеновского излучения из детектора, теряется каскад носителей, соответствующий энергии, уносимой рентгеновским излу- 222

Г лава З

чением: 1,740 кэВ для Sizca и 1,832 кэВ для SiТаким образом, при энергии, равной разности энергии основной линии и рентгеновского излучения кремния, появляется ложный пик или «пик потерь» [108]. В принципе образуются пики как Sira так и SiAfi, но вероятность образования Кр-пика составляет около 2% вероятности образования Ka, следовательно, у основного пика наблюдается только один пик потерь. Пики потерь показаны на рис. 5.23 и 5.24. На рис. 5.24 основные пики Ті«а(4,Г)1 кэВ) и Тік(і (4,93 кэВ), а пики потерь расположены при энергиях 2,77 кэВ (ТіЛ'а — Si/Cct) и 3,19 кэВ (Ti^p — Si/ca). Величина пика потерь по отношению к основному пику изменяется ОТ 1,8% ДЛЯ фосфора до 0,01% для /(-излучения цинка (рис. 5.25). Пики потерь рентгеновского излучения кремния наблюдаются для излучения с энергией ниже К-края поглощения кремния (1,838 кэВ).

5.3.3.4. Края поглощения

Обычный Si(Li)-CneKTpOMeTp имеет защитное окно из бериллия (толщиной около 7,6 ммк), электрод из золота (толщиной приблизительно 20 нм) на передней поверхности и неактивный слой кремния (толщиной 20—200 нм). Рентгеновское излучение, прежде чем оно достигнет активной области кремния и будет обнаружено, должно пройти через каждый из этих слоев. При прохождении рентгеновского излучения сквозь эти слои происходит его поглощение. В бериллиевом окне поглощается практически все рентгеновское излучение с энергией ниже 600 эВ. Все рентгеновское излучение, энергия которого выше 2 кэВ, фактически проходит сквозь окно. В интервале между этими пределами поглощение растет с уменьшением энергии, так что при энергии 1,5 кэВ пропускается около 70% рентгеновского излучения, а при энергии 1 кэВ — 45%. Погло-

Рис. 5.26. Спектр углерода, полученный с помощью Si(Li)-детектора при электронном возбуждении. Видны края поглощения кремния (/) и золота (2).

0

2

3

Сплошная линия получена теоретической подгонкой к непрерывному спекчру. ?о=10 кэВ.

E1 кэВ Рентгеноспектральные измерения

223

щение в слоях золота и кремния менее существенно из-за малой массовой толщины этих слоев. Однако заметные изменения непрерывного рентгеновского излучения наблюдаются при энергии, соответствующей краю поглощения кремния и в меньшей степени золота (рис. 5.26). Как только энергия превысит значение, соответствующее краю поглощения, массовый коэффициент поглощения резко возрастает, что приводит к уменьшению измеряемой интенсивности непрерывного рентгеновского излучения. Высота результирующей ступеньки является мерой толщины слоя. Отметим, что влияние эффекта уширения в процессе детектирования приводит к тому, что край поглощения, который реально представляет собой резкое изменение поглощения на интервале около 1 эВ, размывается на больший интервал — типичное значение для края поглощения Si составляет 100 эВ.

5.3.3.5. Пик внутренней флуоресценции кремния

Фотоэлектрическое поглощение рентгеновского излучения мертвым слоем кремния приводит к эмиссии Si /(-рентгеновского излучения из этого слоя в активный объем детектора. Это рентгеновское излучение кремния, которое не идет от образца, появляется в спектре в виде небольшого пика кремния, так называемого пика внутренней флуоресценции кремния. Пример такого эффекта показан на спектре чистого углерода (рис. 5.26), в котором имеется также заметный край поглощения кремния. Для различных случаев количественного анализа интенсивность этого флуоресцентного типа соответствует кажущейся концентрации в 0,2 вес. % или меньше Si в образце.
Предыдущая << 1 .. 60 61 62 63 64 65 < 66 > 67 68 69 70 71 72 .. 90 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама

Hydra магазин отзывы

при сопровождении сделок по покупке магазина. Звони. Поможем

hydra2web.fm