Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Электрохимия -> Волосатова В.А. -> "Справочник по электро-химическим и электро-физическим методам обработки" -> 132

Справочник по электро-химическим и электро-физическим методам обработки - Волосатова В.А.

Волосатова В.А. Справочник по электро-химическим и электро-физическим методам обработки — Л.: Машиностроение, 1988. — 719 c.
ISBN 5-217-00267-0
Скачать (прямая ссылка): spravochnikpoeletrohimicheskim1988.djvu
Предыдущая << 1 .. 126 127 128 129 130 131 < 132 > 133 134 135 136 137 138 .. 242 >> Следующая

3 •** 0,45 см/с; к —¦* расстояние от оси
Рис. 4.13. Параметры отверстий для заготовок
различной толщины:
J - /э = 8 мА; 2 - /э = — 6 мА; 8 — 1^—4 мА
О 5 10 15 тимп,мкс
Рис. 4.14. Изменение толщины слоя, испаряемого
при импульсной ЭЛО:
1 — Р = 8-10» кВт/см2; 2 — Р = 4- 10s кВт/см8; 3 — Рут,— У
= 1.10г кВт/см2
В особую область выделяют нанесение покрытий с помощью электронного
луча.
На рис. 4.12—4.16 приведены некоторые зависимости технологических
параметров ЭЛО от условий обработки. В табл. 4.11 обобщены сведения о
режимах ЭЛО различных материалов [21 ].
394
При СЛО можно осуществлять более 10в вариантов построения
технологических процессов с использованием лазерного излучения [16]. При
этом учитывают, что параметры излучения могут изменяться в очень широких
W
Ь.мм

j"'
0,5
1,5
Рис. 4.15. Зависимость
глубины расплавления h от ускоряющего напряжения
иэ
Рис. 4.16. Зависимость глубины расплавления h от скорости ЭЛО вне вакуума
для различных составов защитной атмосферы: ! — Не; 2 Не -г Аг; 3—•
воздух;
4 — Аг; t>CB ¦— скорость сварки
ti-W3,CM
Рис. 4Л7 Зависимость глубины расплавления h Ю (/) и температуры / в цент-
й ре пятна нагрева (2) от g длительности импульса при фиксированной энер-
* гии излучения (Е — 2
= Ю-3-Hio-i Дж) в

.'Л
IV. к \
1л \ Ь /Лу ^2
V /уУ
^2
ггг ZZC

4 т
2 щ
Б
4
2 В
10\с
Рис. 4.18. Зависимость
диаметра отверстия d от энергии излучения Е
10
20
30
40 Е,Дм
пределах: % = 0,2 ~ 20 мкм; Е — 10-в -j- 103 Дж, а Р = = 10“® -н КГ4 Вт.
В табл. 4.12 приведена общая классификация процессов, связанных с
нагревом заготовки и обработкой ее поверхностного слоя.
На рис. 4.17 и 4.18 приведены данные об основных технологических
параметрах лазерного излучения.
395
Ш:
4.11. Режимы ЭЛО некоторых материалов и заготовок [21]
Материал Н, мм иу. ^л» тимп» f, Гц Фокусировка луча
Параметры обработки
кВ мкА МКС
Магнезиальная ке 0,25 90 150 80 150 Сфокусированный Щель:
Ь = 0,1 мм; с =* 30 см/с
рамика
То же 0,25 125 60 80 50 »
Отверстие: d --- 0,75 мм; х = 10 с
* 0,75 150 200 80 200 » Щель:
Ъ = 0,1 мм; v --- 55 см/с
» 0.75 125 60 80 50 С круговым откло
Отверстие: d --- 0,3 мм? % = 30 с
нением
А12Оз кристалличе 0,65 110 20 9 50 Программное управ
Отверстие: d --- 0,38 мм; % --- 30 с
ский ление круговым дви
жением
Si02 кристалляче- --- 140 10 12 50 Сфокусированный
Отверстие: d --- 0,025 мм, % --- 1 с
Феррит 0,25 140 25 6 50 То же
Мо 0,25 140 20 20 50
Отверстие: d --- 0,05 км, шаг
0,075
мм
Si (с Ап покрытием) 0.25 130 70 4 3000
Раскрой; v --- 10 м/мин
Тонкопленочное со 100 20 9 1000 То же
противление из танта
ла
4.12. Светолучевая обработка поверхности заготовок с
использованием ГЛ
Вид процесса Физическая сущность Кинематические
особенности Достигаемый эффект
Термообработка Фазовые превращения в поверхно Сканирование луча
ГЛ по поверх Рост износостойко
. Легирование стных слоях заготовки ности
сти в 10 и более раз
Нанесение по Включение легирующих атомов в Предварительное
нанесение леги Повышение мнкро-
верхностных слоев кристаллическую решетку материала рующих элементов на
поверхность твердости в четыре-пять
Предыдущая << 1 .. 126 127 128 129 130 131 < 132 > 133 134 135 136 137 138 .. 242 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама