Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 10

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 61 >> Следующая

выполняться соотношение
=/«(Л> (L58)|
которое показывает, что равновесное излучение тождественно излу-1 чению абсолютно черного тела при температуре Т полости и длине вол-| ны излучения А ."Умножив (1.58) на я ср, получим, что при термодинамическом равновесии Е3§ (N, А) = Е(> (А, Г), а применив (1.8) к1
(1.58), имеем: Епла(М, А) = f?0 (А, Т) для любых точек Ми ^принадлежащих F. Эти соотношения при термодинамическом равновесии выполняются для любых полостей с любым характером излучения и отражения стенок.
Рассмотрим следующий пример. В полости (рис. 1.10) поместим нечерное тело 2, непрозрачная поверхность которого анизотропно излучает и отражает. Тогда в условиях термодинамического равновесия для любой точки М2, принадлежащей телу 2, должно выполняться равенство IC(M2, %i2k, А,_Г) = А (М, /у, А, Т) /0 (А, Т), равносильное закону Кирхгофа А (~^м2 = е (%2, А, Т).
При термодинамическом равновесии полученные соотношения выполняются для любых длин волн, следовательно, эти соотношения имеют место и для интегрального излучения.
Глава вторая
ТЕПЛООБМЕН ИЗЛУЧЕНИЕМ В ПОЛОСТЯХ,
ПОВЕРХНОСТЬ КОТОРЫХ ДИФФУЗНО ИЗЛУЧАЕТ И ОТРАЖАЕТ
На рис. 2.1 приведено схематическое изображение полости, ограниченной замкнутой диффузно (изотропно) излучающей и отража- | ющей поверхностью F, гладкой по Ляпунову. Гладкость по Ляпунову ; означает, что поверхность F везде имеет касательную плоскость, а также обладает рядом других свойств, которые, как правило, выполняются для полостей ([7], с. 208). Так, например, коническая поверхность будет гладкой по Ляпунову во всех точках, кроме вершины конуса, образованного этой поверхностью. Поверхность в этой точке не имеет каса-телькой плоскости. Незамкнутая полость, ограниченная поверхностью прямого кругового цилиндра и конуса, состоит из двух поверхностей, гладких по Ляпунову. В этом случае в точках пересечения цилиндрической и конической поверхностей также нельзя провести плоскость, касательную к обеим поверхностям одновременно. Таким образом, из геометрических соображений следует, что поверхность не будет гладкой по Ляпунову в так называемых ’’угловых” точках. Кроме выполнения
24
2 1 К выводу интегрального уравнения «мообмена излучением для диффузно изучающих и отражающих поверхностей
условий гладкости по Ляпунову, полагается, что отражательная способность R(M, X) поверхности Fjtie зависит от направления излучения % и % (в этой главе индекс ”д” дифузного излучения для краткости записываться не будет). В соответствии с (1.37) и законом Кирхгофа излучательная е (М,
X) и поглощательная А (М, X) способность также не зависит от направления~$м и ~s'M.
При многократных отражениях в полости каждый элемент поверхности излучает с определенной спектральной эффективной интенсивностью /эф (М, X). Зафиксируем точку М и рассмотрим спектральную эффективную интенсивность /эф(М, Л) в этой точке. Из (1.44) следует, что
/эф(М, X) = IC(M, X) + /отр(М, X). (2.1)
Поскольку интенсивность собственного 1С(М, X) и отраженного 1отр(М, X) излучения постоянна в пределах полусферы, то интенсивность /эф (М, X) эффективного излучения также не зависит от направления^.
Задача рассматривается в следующей постановке: температура и спектральные оптические параметры (е(М, X), R (М, X)) во всех точках поверхности заданы, требуется определить распределение спектральной эффективной интенсивности /эф (М, X) по поверхности F.
2.1. Вывод интегрального уравнения
для спектральной эффективной интенсивности излучения
Так как температурное поле и зависимость излучательной способности от температуры заданы, значения /с (М, X) любой точки поверхности F легко определяются в соответствии с (1.39). Кроме того, в силу диффузного характера излучения и отражения поверхности интенсивность отраженного излучения /отр (М, X) определим следующим образом. Поверхность отражает диффузно, поэтому функция р й (1.33) не зависит от направления излучения и может быть вынесена из-под знака интегралу который вычисляется аналогично (1.10) и равен п. Тогда из (1.33) следует, что р = 1, и в соответствии с (1.32) имеем
Р Х> = R (М’ Х>р (М’^М^М’ Х) = R (М> Х) •
25
Подставив данное соотношение для р в (1.28), с учетом (1.8) пол
Ion(M, X) = L R(M, X) J ГX)cos0^ dco' = 71 12' = 2тг
отр 1 7Г
Д(ЛГ, Х)Япад(ЛГ, X).
Таким образом, задача об определении эффективной интенсивности св лась к задаче об определении спектральной поверхностной плотно ^пад (№, X) излучения, падающего на элемент dFM.
Поверхностная плотность Епаа (М, X) определяется всем множест вом лучей, падающих на единицу поверхности dFM. Сначала рассчита ем спектральную поверхностную плотность dEaад (М, X) излучения, па-, дающего на единицу dFM от произвольно выбранного элемента dFN поверхности F (рис. 2.2).
Элементарная площадка dFN, содержащая точку N, излучает по всем направлениям, в том числе по направлению s'M, по которому находится элементарная площадка dFM, причем интенсивность /Эф (N, X) постоянна по всем направлениям. Отметим, что элемент поверхности dFN расположен внутри элементарного телесного угла dco'. Как следует из^эис. 2.2, угол между нормалью nN к площадке dFN й направлением s'M равен Тогда в соответствии с (1.5)
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама