Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 23

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 17 18 19 20 21 22 < 23 > 24 25 26 27 28 29 .. 61 >> Следующая

С помощью резольвенты Г(М, N) в [24, 25] введено понятие разрешающих угловых коэффициентов для диффузно излучающих и отражающих поверхностей.
Диффузный элементарный разрешающий угловой коэффициент. Из (2.120) следует:
ЕтЛМ) = ST{M,N)Ec{N)dFN. (2.121)
F
По аналогии с диффузным элементарным угловым коэффициентом произведение Г (М, N)dFv принято называть диффузным элементарным разрешающим угловым коэффициентом и обозначать как dФ(M, /V).
Выясним физический смысл этого углового коэффициента. Так же как и при определении физического смысла обычного диффузного углового коэффициента, рассмотрим поток излучения, падающий на элементарную площадку dFM^ только от элементарной площадки dFN, поверхностная плотность собственного излучения которой Ес (N). Тогда на основании (2.121) имеем
dEMa(M)dFM = T{M,N)Ec{N)dFNdFM. (2.122)
Напомним, что использование в данном случае соотношения (2.121) правомерно в силу принятых предположений о независимости и аддитивности потоков излучения. В целях удобства вывода будем рассматривать не разрешающий угловой коэффициент йФ{М, N) =Г (M,iV)x х dFN, а разрешающий угловой коэффициент dФ (N, М) = Г (N., M)dFM (на основании свойства симметрии Г(М, /V) = Г(N, М)). Тогда (2.122) можно записать так:
dEam(M)dFM = аф (N, М)ЕС (N)dFN, (2.123)
откуда
dФ(N, М) = ^пад {M)dFM- =
Ec(N)dFN
60
поток собственного излучения, испускаемого площадкой dF^ и достигающего площадки dF^ непосредственно и в результате
_ _многократных отражений в системе ^ 124)
[полусферический поток собственного излучения площадки dF^\.
Таким образом, диффузный элементарный разрешающий угловой коэффициент dФ (N, М) равен доле потока собственного излучения элементарной площадки dFN, которая достигает элементарной площадки dFM непосредственно и в результате многократных отражений в полости, ограниченной поверхностью F. Напомним, что реальная полость не обязательно должна быть замкнутой. Ее всегда можно замкнуть воображаемыми поверхностями, поглощательная способность которых А - 1, а температура равна абсолютному нулю.
Диффузный элементарный разрешающий угловой коэффициент dФ(M,N) имеет аналогичный физический смысл.
Ч3 (2.122) следует:
dFMaCпад(М> = dFMV(-M’ H)Ec{N)dFN =
= dFMdb{M, N)EC{N) = dFwd<S>(N, M)EC(N), (2.125)
т.е. имеет место соотношение взаимности
d<b(M, N)dFM = d<b{N, M)dFN. (2.126)
Диффузный локальный разрешающий угловой коэффициент. Так же как и при определении обычных диффузных угловых коэффициентов, при определении диффузного локального разрешающего углового коэффициента- будем полагать, что поверхность Fj изотермическая и ef- = = const по Fj. Тогда локальный разрешающий угловой коэффициент Ф (Mj, Fj) площадки dFM_ относительно поверхности Fj может быть выражен через диффузный элементарный разрешающий угловой коэффициент:
Ф(Мр Л) = ^ФЩ,М.) = J Г (Mj, N.) dFN . (2.127)
Fj Fj
Согласно физическому смыслу коэффициента dФ(Mi, Nj) диффузный локальный разрешающий угловой коэффициент численно равен доле потока собственного излучения, испускаемого площадкой dFM, и достигающего поверхности Fj непосредственно и в результате многократных отражений в системе поверхностей. Подчеркнем, что в многократных отражениях участвуют все поверхности системы, а не только поверхности dFM, и Fj.
Соответственно диффузный локальный разрешающий угловой коэффициент Ф (Fj, М;) численно равен доле потока собственного излучения, испускаемого изотермической поверхностью Fj и достигающего элемен-
61
тарной площадки dFM, непосредственно и в результате многократных отражений в системе поверхностей.
Для вывода соотношения взаимности сначала найдем поток, падающий от изотермической поверхности Fj на dFM_ непосредственно и в результате многократных отражений в системе, ^тот поток в соответствии с (2.121) и определением с?Ф (Mj, Nj) равен
?„,„(Л9'"ч ? Ec,idFMt ;<»«. *,> =
/
= Ec,i F/)- (2.128)
Тогда в соответствии с физическим смыслом диффузного локального разрешающего углового коэффициента и соотношением (2.128) получим

"<> = Е F-------------- ' ---------Т.-------• (2Л29)
с,/ ; 1
и из (2.129) имеем соотношение взаимности
Ф(М., Fj)dFM. = Ф(*\, M.)Fj. (2.130)
Диффузный разрешающий средний угловой коэффициент. При определении разрешающего среднего углового коэффициента Фу поверхности Fj относительно поверхности Fj, как и для обычных диффузных угловых коэффициентов, будем предполагать, что поверхности Fj и Fj изотермические и ег-= const, = const по Fj и Fj соответственно.
Диффузный разрешающий средний угловой коэффициент поверхности Fj относительно поверхности Fj численно равен доле потока собственного излучения изотермической поверхности Fs, которая достигает поверхности Fj непосредственно и в результате многократных отражений в системе поверхностей.
Используя разрешающий элементарный угловой коэффициент, определим поток собственного излучения, падающий на поверхность Fj от поверхности Ft непосредственно и в результате многократных отражений. Затем разделим величину этого потока на поток собственного излучения Ес г- Ft изотермической поверхности Fj по всевозможным направлениям в пределах полусферы. Тогда
Предыдущая << 1 .. 17 18 19 20 21 22 < 23 > 24 25 26 27 28 29 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама