Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 32

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 26 27 28 29 30 31 < 32 > 33 34 35 36 37 38 .. 61 >> Следующая

Задачу рассмотрим в следующей постановке: на поверхности F2 заданы плотность -Ё'пад (М2) падающего солнечного излучения, поле температур Т(М2) и поля оптических параметров А, (М2) и А2(М2). Требуется определить распределение на F2 поверхностной плотности поглощенного и результирующего излучений.
Так же как ив § 2.4, используем свойство аддитивности спектральных потоков излучения и, кроме того, взаимную независимость оптических параметров Ах (М2) и А2 (М2) для того, чтобы проанализировать процессы поглощения солнечного и собственного излучений раздельно. Полученные результаты затем просуммируем.
83
При первом контакте солнечных лучей с элементарной площадкой dFMi часть падающего излучения, равная Ах (М2) Е^аа(М2), поглотится, а часть Eorp(M2) = Ri (М2)Е'ш^(М2) будет поглощаться уже в процессе многократных отражений в полости, отражательная способность поверхности которой Rt (М2) - 1 — Ах (М2). Полость в спектральной области 1 солнечного излучения ничего не излучает сама, а лишь пе-реотражает излучение. Поэтому уравнение для поверхностной плотности ЕэфЛ(М2) эффективного солнечного излучения, возникшего в результате многократных отражений, запишется так (см. § 2.4):
?эФд(^) =Еогр(М3) +
+ Я, (М2) f К(М2, N2)E l(N2)dFN2 (4.14)
Р 2
или в резольвентном виде (см. § 2.5)
^эфД^) =*oTp(jlfa) +R^M^X
* / Гг(М2, N2)Eo7p(N2)dFN2, (4.15)
f2
где Гi (М2, N2)dFN2 — элементарный диффузный разрешающий угловой коэффициент, определяемый в предположении, что отражательная способность поверхности F2 равна Rx (М2).
Так как функция ^отр (Mi) известна, искомые значения ^эф.1 (М) могут быть вычислены стандартными методами: либо путем решения интегрального уравнения (4.14), либо с помощью соотношения (4.15), резольвента которого предварительно найдена. Тогда из (4.14), (4.15) и (1.55) имеем
Сд(^) = s К(М, N2)E3(i)tl(N2)dFN2, (4.16)
Рг
либо
E:w(M2) = f rl(M2, N2)EOTp(N2)dFN2, (4.17)
Рг
?поглд(^) = А* (М2)Е^а(М2). (4.18)
По аналогии с поверхностной плотностью эффективного излучения обозначим:
Епот,г Ш = At (М2)Е;ая(М2) + ^0ГлД (М2). (4.19)
Тогда поверхностная плотность qps3t i (М2) результирующего излучения в коротковолновой области спектра равна
V.J«) - Ео(Мг) -СФ„и<ад = ^„Э„Фг„,1("а). (4.20)
84
так как в этой спектральной области 1 поверхность полости сама не излучает.
Проанализируем (4.19) с помощью (4.17) более подробно:
^ог„,1(Л« +
+ л,(м,) ; (4.21)
F2
Рассмотрим следующий частный случай: величины Ах, Rx и постоянны по поверхности F2 ? Тогда, разделив почленно (4.21) на ?^ад = = const, получим
лэфд(^) +R'Ax 5 Тх(Мг, N2)dFN2, (4.22)
F2
где Дэфд (М2) — эффективная поглощательная способность, равная
Еэ<^ , (М2)IE' п. На основании (2.120) запишем аналогичное выра-поглД ' ,юд „ „ -
жение для эффективной излучательнои способности еэф д (М2) изотермической полости
еэфд(М2) = е» +i?iei J” ri(^2, N2)dFNi. (4.23)
^2
В силу закона Кирхгофа et = Ах и Аэф,1(М*) =еэФд(^)- (4-24)
Поэтому в этом частном случае для определения локальной поглощательной способности Дэфд могут быть использованы данные по еэфд изотермических полостей, широко представленные в [6, 12, 13].
Для длинноволновой области 2 спектра на основании соотношений вида (4.18), (4.16), (4.17) имеем
?рез,2«) = Ес,2^М^ ~А2(М2) х
* f К(М2, N2)E3ip>2(N2)dFN2 (4.25)
F2 либо
Ярез,2Ш =Ес,2(М*) ~АЛМ2) х
х J Г2 (М2, N2)Ec 2(N2)dFjy^ , (4.26)
F2
где резольвента Г2 (М2, N2) определяется уже известными способами (см. § 2.5) при условии, что отражательная способность поверхности F2 равна R2 (М2).
После определения поверхностных плотностей результирующего излучения в обеих спектральных областях 1 и 2 общие теплопотери из полости могут быть вычислены по соотношению
(4-27)
’ 85
В [6] показано, что полусерое приближение для приемников солнечного излучения удовлетворительно согласуется с более точным учетом селективности излучения.
4.4. Об определении поля температур по заданному полю интегральной поверхностной плотности результирующего излучения для анизотропно излучающих и отражающих поверхностей
Будем полагать, что поверхность F2 полости (рис. 2.4) не замкнута и излучает и отражает произвольно. На' F2 заданы: поверхностная плотность qpe3(M2) результирующего излучения во всем энергетически значимом диапазоне (т.е. в интервале длин волн от Xi до Х2), оптические параметры е, р как функции температуры, X и координат. Требуется определить поле температур на F2.
Проинтегрировав соотношение вида (1.57) в спектральном диапазоне ДХ = Х2 — X1, получим
= S Ec(M2,\)d\- { Enovn(M2,\)d\. (4.28)
ДХ ДХ
Для определения поглощенного излучения при длине волны X воспользуемся понятием оптико-геометрического коэффициента 12^ (М2, N2, \)dFjу2 [28, 33], уже применявшегося в (3.12). В данном случае этот коэффициент численно равен доле поверхностной плотности черного монохроматического излучения элементарной площадки dFM которая поглощается элементарной площадкой dFN непосредственно и в результате многократных отражений в полости. Тогда можно показать, что
епотл(м2) = s Еаогл(мг, X)d\ =
Предыдущая << 1 .. 26 27 28 29 30 31 < 32 > 33 34 35 36 37 38 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама