Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 5

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 61 >> Следующая

9
Рис. 1.4. Распределение интенсивностей произвольно отражающей поверхности Рис. 1.5. Распределение интенсивностей при зеркальном отражении
Зеркальное и диффузное отражение. Различают поверхности, зеркально отражающие и отражающие изотропно (диффузно).
Ход лучей падающего н отраженного излучения прн зеркальном отражении показан на рнс. 1.5. Отметим, что падающий и зеркально отраженный лучи симметрично расположены относительно нормали пм в точке М и лежат в одной плоскости с этой нормалью, угол падения в’ равен углу отражения в. Поэтому еслн падающее излучение сосредоточено в элементарном телесном угле dco', то зеркально отраженное излучение будет находиться в пределах элементарного телесного угла dco, причем dco = doj', и пучки падающего и отраженного излучения будут также симметричны относительно нормали пм. При зеркальном отражении, зная угол отражения и геометрию излучающей системы, можно восстановить ’’историю” луча, т.е. с какими точками поверхности F луч контактировал в процессе многократных отражений.
В отличие от зеркального отражения, при диффузном отражении каждый падающий луч как бы расщепляется на множество лучей меньшей интенсивности, равномерно заполняющих полусферу над местом отражения. При диффузном отражении интенсивность / одинакова по любому направлению в пределах телесного угла, равного 2тг ср. При анализе теплообмена излучением между диффузно отражающими поверхностями обычно полагается, что интенсивность отраженного излучения не зависит от угла в', под которым излучение падает на поверхность. Это допущение может и не выполняться даже при диффузном характере отражения поверхности, так как отражательная способность такой поверхности может зависеть от угла в'. При дальнейшем изложении, если не оговорено обратное, будем считать, что интенсивность отраженного излучения не зависит от направления падающего излучения, т.е. от угла в'. Предположение о постоянстве интенсивности при излучении и отражении бы-
ю
Рис. 1.6. Распределение интенсивностей при диффузном отражении
Рис. 1.7. К выводу формулы для элементарного телесного угла в полярных координатах
dFjV ~ \ab\x\ad\ = гг sindMddMd^
ло выдвинуто Ламбертом. Поэтому диффузно излучающие и отражающие поверхности иногда называют ламбертовскими. На рис. 1.6 изображена интенсивность диффузно отраженного излучения. Для диффузно отражающей и излучающей поверхности выражение (1.8) для Е(М)
можно упростить. В соответствии с рис. 1.7, вокруг точки М опишем
полусферу радиуса г. На поверхности полусферы выделим элементарную площадку dFN. Тогда на основании (1.5)
du>MN ~ dFN cosON/r2 = dFN/r\ (1.9)
так как cosO^y = 1 Для любых N.
Элементарная площадка dFN с точностью до бесконечно малых более высокого порядка равна площади прямоугольника, в_котором длина отрезка \ab\ = 2r sm(d6M/2) = rdBM, а отрезка \ad\ = 2r xsin(d<(j/2) = г sin&M d$. Подставляя в (1.8) ^ I(M) ,dcoMN,
после элементарных преобразований получаем
7Г/2. 2 7Г
Е(М) - I(M) / / 8mOMcaa$MdBMdv * (1.10)
вм = 0 <? = О
Спектральное (монохроматическое) и интегральное излучение. Все
предыдущие определения справедливы как для спектрального, так и для интегрального излучения. Вместе с тем в практике теплофизического эксперимента используются понятия как интегральных, так и спектральных тепловых потоков.
11
Спектральный поток излучения — это поток, отнесенный к единице длины бесконечно малого интервала длин волн dX (от X до X + dX). Спектральную интенсивность излучения принято обозначать как /(X), если рассматривается излучение в спектральном интервале от Xi до Х2, и /^, если рассматривается спектральное излучение при фиксированной длине волны X.
Если проинтегрировать I(M, sM, X) во всем спектральном интервале излучения (от 0 до °°), то получим интегральную интенсивность излучения
I(M,\) = / I(M,X)dX. (1.11)
о
Таким образом, интегральные характеристики могут быть получены путем интегрирования спектральных характеристик во всем спектральном диапазоне излучения.
В соответствии с принятыми обозначениями соотношения (1.1), (1.2), (1.6) — (1.8), (1.10) были записаны для интегрального излучения. При простой замене интегральных характеристик на спектральные зти формулы будут справедливы и для спектрального излучения.
1.2. Законы излучения абсолютно черного тела
В соответствии с законом Планка поверхностная плотность излучения Е0 (X, Г), Вт/м3, абсолютно черного тела при длине волны X и абсолютной температуре Т определяется формулой
Е0(Х,Т) = ------------------------, (1.12)
X [exp (с2 / (XT)) - 1]
где С! и с2 — постоянные формулы Планка; Т — температура, К. Постоянные равны: Ci = 3,7413 • 10“16 Вт-м2, с2 =1,4388-КГ2 м-К. Необходимо отметить, что для единства измерения излучательных характеристик материалов принято, что с2 = 1,4380-10“2 м-К [5]. Это значение будет использоваться нами при определении температур по излучению, причем длину волны излучения будем записывать в микронах (мкм). Тогда с2 = 14380мкм-К.
Интенсивность излучения абсолютно черного тела /0(Х,7), Вт/ (м3-ср), постоянна по направлениям (излучение диффузно). Тогда, на основании (1-Ю),
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама