Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 6

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 61 >> Следующая

/о(Х,Г) = Е0(Х,Т)1к. (1.13)
Из (1.12) следует, что излучение абсолютно черного тела полностью определяется его температурой Т и длиной волны излучения X. При фиксированном значении Т зависимость Е0 (X) имеет максимум при X = Хмакс. При увеличении температуры максимум функции
Б (X, Т) сдвигается в сторону коротких длин волн в соответствии с законом смещения Вина.
Wc Т = 2897’8 мкм ‘ К’ Л4>
где Хмакс в мкм, Т - в К. При с2/(ХГ) > 1 ехр(с2/(ХГ» - 1 « « ехр(с2/(ХТ)) и формула Планка (1.12) переходит в более простую формулу Вина
Е0(\,Т) = CjX~s ехр(-с2/(ХГ)). (1.15)
При XT < 3000 мкм • К формула Вина отклоняется от точной формулы Планка в пределах 1%. При сг/(КТ) < 1 экспоненту ехр(с2/(X Т)) удобно представить в виде ряда по с21 (XT). Тогда
ехр(с,/(ХГ»-1-И- ЙГ+|,(^) *
+ — (— ^ + . . . ~ 1 = + — (—] + — (—\ + (1.16) 31\\т) ХГ 2! \\т) Ъ\[\т) 1 '
Если с2/(ХТ) < 1, то можно пренебречь всеми членами ряда (1.16), кроме первого, и формула Планка перейдет в формулу Релея—Джинса
Е0(Х,Т) = С!Г/(с2Х4). (1.17)
При X Г > 7,8 • 10s мкм • К формула Релея—Джинса отклоняется от формулы Планка в пределах 1%.
Интегральная поверхностная плотность излучения абсолютно черного тела Е0(Т), Вт/м2, в соответствии с (1.11) определяется путем интегрирования Е0 (X, Т) во всем спектре излучения. Можно показать (см. например [2]), что
Е0{Т) = Т E0(\,T)d\ = а0Т\ (1.18)
о
где а0 — постоянная Стефана—Больцмана, а0 = 5,6687-10~8 Вт/(м2К4) Соотношение (1.18) принято называть законом Стефана—Больцмана. В соответствии с (1.13)
/0 (Г) = в0Т*1*. (1.19)
Для сокращения записи при дальнейшем изложении характеристики излучения абсолютно черного тела будут называться характеристиками черного тела или просто черным излучением и отмечаться индексом ”0”.
1.3. Основные радиационные свойства поверхностей
Способность непрозрачных поверхностей излучать, отражать и поглощать излучение может быть охарактеризована с помощью излучательной способности е, отражательной способности R и поглощательной способности А.
Излучателъная способность площадки dFM может рассматриваться как в заданном направлении sM, так и по всевозможным направлениям в пределах полусферы. Направленная спектральная излучательная способность е(М,~Тм, X, Т) в точке М в направлении sM при длине волны X и температуре Т равна отношению спектральной интенсивности I(M, sM, X, Т) к спектральной интенсивности Iq(M, X, Т) абсолютно черного тела при той же температуре и длине волны, т.е.
е(М,7м, X, Т) = 1(М,7м, X, Т)/10(М, X, Г). (1.20)
Полусферическая спектральная излучательная способность е(М, X, Т) соответственно равна
е(М, X, Т) = Е(М, X, Т)/Е0 (М, X, Т), (1.21)
где Е0 (М, X, Т) — поверхностная (полусферическая) плотность излучения черного тела в точке М при фиксированных значениях X и Т.
Интегральная направленная излучательная способность е(М, и интегральная полусферическая излучательная способность е(М, Т) определяются соотношениями, аналогичными (1.20), (1.21), в которых спектральные характеристики должны быть заменены на интегральные.
Коэффициент яркости и отражательная способность. Отражательная способность зависит не только от направления sM, по которому отражается излучение, но также от направления s'M, из которого излучение падает на элементарную площадку dFM. Штрихом будем индексировать параметры падающего излучения. Для сокращения записи температура Т элементарной площадки dFM в качестве аргумента в скобках не записывается, но подразумевается.
Наиболее детально отражение реальных поверхностей характеризует спектральный коэффициент яркости р, который определяют следующим образом. Пусть из направления на^элементарную площадку dFM падает излучение интенсивностью Г (М, S'M) и отражается по всевозможным направлениям, в том числе и по направлению sM (рис. 1.8). Обозначим часть интенсивности, отраженную в направлении sM как dJorp (М, ~%). В качестве эталона сравнения при определении спектрального коэффициента яркости принята спектральная интенсивность dlотр (М> sm> ^)» которая была бы, если бы элементарная площадка dFM отражала идеально диффузно и полностью (без поглощения) все падающее излучение. В соответствии с определением интенсивности и
14
Рис. 1.8. К определению коэффициента яркости
соотношением (1.6) на единицу SM поверхности dFgf падает поток излучения
X) cos0^ do)', (1.22)
который в случае идеального отражателя диффузно и полностью отражается в полусферу с интенсивностью dl”rp (М, X). Тогда падающий и отраженный потоки равны друг другу и из (1.22), (1.8) и (1.10) следует:
Г(М, s'M, X) cos0^ du' =
/ coseMdu = vdI*Tp(M, X)
?2 = 2 7Г
(1.23)
Ктр(М’ \ X) coefl^dw'.
(1.24)
Спектральный коэффициент яркости p{M,~sM отражающей
^элементарной площадки dFM представляет собой отношение dIorp(M, %) в направлении sM к спектральной интенсивности идеального отражателя (диффузно отражающего все падающее излучение), находящегося в тех же условиях по отношению к падающему излучению, что и отражающая площадка dFM:
р(М, %ДМ,Х) =
^отр SM’ X)
^^отр
/ (М, s
Л*
, X) COS0</С«/
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама