Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 8

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 61 >> Следующая

Если спектральная излучательная (отражательная) способность поверхности не меняется с изменением длины волны X, то говорят, что имеет место серое излучение. Если спектральная излучательная способность зависиг от X, то поверхность излучает (и отражает) селективно.
Для серого излучения закон Кирхгофа будет верен и для интегрального излучения:
(1.36)
(1.37)
(1.38)
где А^М> тм) и е(- 7М, Тм) — направленная интегральная поглощательная и излучательная способность соответственно.
1.5. Основные виды излучения
Пои взаимодействии излучения с поверхностью различают несколько видов излучения [1-3, 9, 16, 24 -26].
Собственное излучение. Спектральная интенсивность /с (М, X, Тм) собственного излучения элемента поверхности dFM в направлении ~ТМ определяется как произведение направленной спектральной излучательной способности e(M,tM, X, Тм) на интенсивность /0 (М, X, Тм) абсолютно черного тела, т.е.
/с (М, Sjy, X, Тм) - е(М, Sjy, X, Tjfl) Iq(M, X, Тц). (1-39)
Для интегрального излучения
/cWV V = ^ГМ> ТМ) Тм), (1.40)
где все величины должны быть записаны для интегрального излучения. В соответствии с (1.19) /0 (М, Тм) = а0 7^/тг.
Если рассматривается спектральная и интегральная поверхностные плотности Ес (М, X) и Ес (М) собственного излучения, то соответствующие выражения могут быть получены путем интегрирования спектральной и интегральной интенсивностей в пределах полусферы. Умножая почленно (1.39), (1.40) на cosOM doj и интегрируя по полусфере, получаем
ЕС(М, X, Тм) = е(М, Л, Тм)Е0(М, X, 7^); (1.41)
Ес (М, Тм) = с(М, Тм) ?'0 (М. Тм), (1.42)
где е(М, X, Тм), е (М, Тм) — полусферическая спектральная и интегральная излучательная способность элементарной площадки dFM; Е0 (М, X, Тм), Е0 (М, Т) — спектральная и интегральная поверхностные плотности излучения черного тела соответственно;
е(М, X, Тм) = J е(М, X, Тм) х ?2 = 2тг
х I0(M, X, тм) coseMdu/(irI0(M, Х,ТМ)) =
= / е(М,\, X, Тм) cosOMdoj. (1.43)
= 2гг
Соотношение для е(М, Тм) записывается аналогично.
Для непрозрачных поверхностей собственное излучение площадки dFM определяется только температурой и излучательной способностью в точке М. Как уже отмечалось [1—5], с достаточной для практики точностью можно считать, что собственное излучение присуще самой излучающей поверхности и не связано с значением потока падающего излучения. В связи с этим собственное излучение практически не зависит
1.9
Рис. 1.9. К определению эффективном интенсивности (яркости) излучения Щ
от многократных отражений в по-1 лостной системе. Иногда собствен-! ное излучение называют первичным.1 Эффективное излучение. При на-| личии отраженного излучения, в со-1 ответствии со свойством аддитив-| ности потоков излучения, спектраль- ] ная интенсивность /эф {МЛМ, X) элементарной площадки dFM в направлении sM равна сумме интенсивностей собственного и отраженного излучений:
1эф(М, Sm, А) = /с (М, s^, Л, Т) + ^отр (М, s^, Л). (1.44)
Эту суммарную интенсивность называют эффективной (рис. 1.9).
Если площадка dFM излучает и отражает излучение произвольно, то используя соотношения (1.44), (1.39) и (1.28), получаем:
1*ф{М, , Л) - е (М, , Л, Тм) /0 (М, Л, Т^) +
+ ^ / р(М,7м,%, А, ТМ)Г(М,%, Х)собв^<о'. (1.45)
Q’ = 2 7Г
Необходимо отметить, что именно эффективная интенсивность (яркость) регистрируется при наблюдениях.
По аналогии с излучательной способностью е широко используется понятие эффективной излучательной способности еэф. Как правило, направленную эффективную излучательную способность в точке М для монохроматического излучения определяют как отношение эффективной интенсивности /Эф (м, ~s"M, Л) к интенсивности излучения черного тела /0 (М, Л, Тм) при той же длине волны:
еэф(М,7м, Л) = 7эф(м>~%г A)//0(jW, Л, Тм). (1.46)
Из (1.44) и (1.46) следует, что эффективная интенсивность излучения и эффективная излучательная способность определяются не только температурой и оптическими свойствами площадки dFM, а также интенсивностью падающего излучения. Поэтому интенсивность эффективного излучения может во много раз превосходить интенсивность собственного излучения. Так, в повседневной жизни предметы мы наблюдаем, как правило, благодаря интенсивности не собственного, а отраженного солнечного излучения.
Так же как в случае собственного излучения, поверхностная плотность эффективного излучения при длине волны Л может быть получе-
20
путем интегрирования спектральной интенсивности /эф(М, %, X) оеделах полусферы. Тогда в соответствии с (1.8), умножив почленно (1 45) на cos6M dui и интегрируя по области ?2 = 2тт, получаем
Еэф(М, X) = [ S X, Тм) cosвм(1и]10(М, X, Тм) +
?2 = 2п
+ - J
; р(м, sM, sM, х, Гм) х
.?2 = 2 7Г
х Г(М,%, X) cose’Mdu'
cos du>. (1-47)
Интегрирование в (1.47) по области ?2' должно выполняться для всех направлений ~j_' падающего излучения. В соответствии с (1.43), (1.13) и (1.31):
J е (Af, Sjy, X, 7^) cos Aj ?2 = 2я
х тг/о(М, Л, Гм) = е(М, X, Тм)Е0(М, X, 7^); (1.48)
J р(М,7м,Ум, X, TM)cos6Mdu = К{МУМ, X), (1.49)
?2 = 2тг
где интегрирование должно проводиться для всех направлений
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама