Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Энергетическая химия -> Русии С.П. -> "Тепловые излучения полостей " -> 9

Тепловые излучения полостей - Русии С.П.

Русии С.П., Пелецкий В.Э. Тепловые излучения полостей — М.: Энергоиздат, 1987. — 152 c.
Скачать (прямая ссылка): teplovieizucheniyapolostey1987.djvu
Предыдущая << 1 .. 3 4 5 6 7 8 < 9 > 10 11 12 13 14 15 .. 61 >> Следующая

Подставив (1.48) и (1.49) в (1.47), выражение для Еэф(М, X) запишем так:
?эф(М, X) = е(М, X, Тм)Е0(М, X, Т’Л/) +
+ J Л(М,^, X, Тм)1'(М,\, Х)со8в^ы’. (1.50)
?2 ’ = 2я
Из (1.50) следует, что первый член правой части характеризует вклад собственного излучения, а второй — отраженного излучения в поверхностную плотность эффективного излучения.
Результирующее излучение. В общем случае спектральная поверхностная плотность результирующего излучения дрез определяется как разность потоков излучения, падающих на единицу воображаемой произвольно расположенной поверхности с разных сторон. Если ^пад » X) и (?, X) поверхностные плотности падающего излучения на вооб-
ражаемую поверхность в точке L с разных сторон в пределах полусферического телесного угла, то
W1’ Л) = ^ад^’ Л> —->• (I-51)
Принято такое правило знаков. Если к одной из сторон воображаемой поверхности в точке L провести нормаль , то Е*п (L, X) - поверх-
21
ностная плотность энергии, излучаемой в направлении нормали (скалярное произведение s? nL > 0, где S/ направление падения произвольного луча), записывается с индексом ”+”, а Е~ад (М, X) - поверхностная плотность энергии, излучаемой в направлении, противоположном нормали в точке L (s} ~nL < 0), записывается с индексом Если эту воображаемую поверхность совместить с элементарной площадкой dFM, принадлежащей F таким образом, что направления нормалей nL и пм совпадут, то в соответствии с принятым правилом знаков f/рез(М, А) запишется так:
Из соотношения (1-35) спектральную отражательную способность Л (Л/, Ум, X, Тм) можно выразить через спектральную поглощательную способность А (М, ^М’ тм) '•
Подставляя (1.53) в (1.50), используя (1.8) и (1.41), после элементарных преобразований получаем
где Еаогп (М, X) — спектральная поверхностная плотность поглощенного излучения. Тогда
Таким образом, поверхностную плотность qpS3 результирующего излучения можно определить, зная поверхностную плотность собственного и поглощенного излучений.
22
«рез^’ = ?эф(М> Л) - *)?
(1.52)
R(M,\, X, Тм) = 1 ~А(М, s’M, X, Тм).
(1.53)
Еэф(М, А) = Ес(М, X, Тм) + ?пад(М, Л) -
/ А(М,~%'м, X, ТМ)1'(МУМ, X)cos6^dcj'.
(1.54)
П' = 2тт
Обозначим
?2' = 2 я
х cos6'Mdco',
(1.55)
Еэф(М, X) = Ес (М, Х,ТМ) +
+ Етд(М’ Л) - ^поглС^’ Л)‘
(1.56)
(1.57)
1 2 *, О 0^1
Необходимо отметить, что в соответствии с принятым правилом знаков величина gpe3 (М, Л) будет иметь положительный знак, если за счет излучения поверхность теряет тепло. Наряду с указанным правилом знаков в литературе по теплообмену излучением (см., например, [1]) имеется и другое соглашение: плотности потока результирующего излучения /Грез приписывается отрицательный знак, если поверхность теряет тепло. Таким образом, Ерез(М, Л) = - qpe3(M, Л). Соглашение
о знаках не имеет принципиального значения. При изложении материала в данной книге принято правило знаков в соответствии с формулами
(1.52) и (1.57), так как в связи с частым использованием таких понятий, как эффективная излучательная способность, удобнее иметь дело с положительными значениями потоков результирующего излучения при анализе теплопотерь из полостей. Принятое правило знаков для потоков также имеет широкое распространение (см., например, [6, 12, 13]), и, кроме того, это упростит сопоставление численных данных, полученных нами, с данными других исследователей, которые, как правило, используют то же правило знаков, что и мы.
Отметим, что поверхностную плотность излучения любого вида часто называют локальной поверхностной плотностью излучения.
Если все точки поверхности замкнутой полости имеют одну и ту же температуру, то имеет место термодинамическое равновесие: количество энергии, излучаемое единицей любой части поверхности полости в единицу времени, равно количеству энергии, поглощаемому единицей той же поверхности в единицу времени, и в соответствии со вторым началом термодинамики поверхностная плотность результирующего излучения дрез = 0 для любой точки М Е F. В соответствии со свойством независимости и аддитивности потоков это соотношение справедливо как для монохроматического, так и для интегрального излучения.
Напомним, что среда, заполняющая полость, полностью прозрачна для излучения (и(Л) = 1). В такой полости все точки поверхности F
вне зависимости от направления излучения должны иметь одну и ту же интенсивность 1Эф (Л) эффективного излучения, которое в этом случае называют равновесным. Если бы это было не так, то в отдельных точках поверхности F поток результирующего излучения был бы отличен от нуля, что противоречит второму началу термодинамики.
Предположим, что в данной полости (см. рис. 1.10) уже имелось абсолютно черное тело I (е 1 = А1 = 1). Поскольку процессы излучения и поглощения полностью скомпенсированы, то интенсивность падающего
23
рис 1 Ю- Схематическое изображение замкнутой полости:
I - черное тело; 2 - нечерное тело
на черное тело 1 и поглощенное им излучение должно быть равно интенсивности собственного излучения,(М1, — sNM'i TMl) /о (A, TMi) = /0(А, Г) в направлении т-е- Д°лжно|
Предыдущая << 1 .. 3 4 5 6 7 8 < 9 > 10 11 12 13 14 15 .. 61 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама