Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Бабичев А.П. -> "Физические величины" -> 276

Физические величины - Бабичев А.П.

Бабичев А.П., Бабушкина Н.А., Братковский А.М. Физические величины: Справочник — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizvelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 270 271 272 273 274 275 < 276 > 277 278 279 280 281 282 .. 611 >> Следующая

511
Рис. 22.157. Зонная структура GaS, GaSe, InS, TlS (а), GaTe (б), InSe (е) [294]:
Соединение GaS GaSe GaTe InS InSe TlS
г, эВ _ 0,025 _ 0,55 0,076 0,2



д \ \


Л
<

і
о
1,В Z 2,V 1,8 3,Z
Рис. 22.158. Температурные зависимости проводимости кристаллов и-GaS и /1-GaSe в плоскости слоев [271]
Г, К
Рис. 22.159. Температурная зависимость холловской подвижности носителей в кристаллах GaS (ток —вдоль слоев, магнитное поле—поперек слоев).
Метод получения и тип кристалла:
йодный транспорт, и-тип1; ф — осаждение нз газовой фазы. n-тип; Л, О — осаждение из газовой фазы, р-тип [272, 2731
Г/Г,К"'
Рис. 22.160. Температурные зависимости удельного сопротивления кристалла GaS вдоль (•) и поперек (О) слоев [274]
512
vF
10s
JhT-
if
.4o >
1 г з t 5
т3/т, К1
Рис. 22.161. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов p-GaSe (ток — вдоль слоев, магнитное поле — поперек слоев) [275]:
X, +, О, Д. D — нелегированные кристаллы GaSe; легирующая добавка: щ ф — 10% Ge; 5% Sn;^.— 10-3% Zn
o 4
о °<? T
o
4 < А
H- ¦

Л

Ґ
0 Z 9- Є 8 10
1D3JT, К"'
Рис. 22.162. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов p-GaSe (ток — вдоль слоев, магнитное поле — поперек слоев) [275]:
О. Л. " - • елегированные кристаллы GaSe; легируюш»я до-вавка: 0,^-10% Zn; у-0,5% Zn; ± -0,1% Zn; Щ , X —
1С-2% Zn; +-3-10-3% Zn
V - --1— --1-
1

^Fp и I
° с\Л ° \ \ I
Fp ± \ X \\

у л \—
V
\ \
\р|\
7; к
Рис. 22.163. Температурные зависимости носителей в GaSe [276]:
— холловские подвижности поперек слоев
поднижности дырок и элек-

ft V
ж' W
S / л W У
iffа/ f
W
ft

1I3P, к-'
Рис. 22.164 Температурные зависимости удельного сопротивления различных кристаллов GaTe |277]: зачерненные символы — поперек слоев, остальные символы — вдоль слоев; кристалл! ф, , — травление; уг + — слабое травление, f^, О — холодая обработка; х — легирование Cu
• 33-2159
513
Рис. 22.166. Температурная зависимость подвижности электронов в поликристаллических образцах GaTe, состоящих из больших монокристаллических областей (ток — вдоль слоев) [279]
514


EUc **, .Aa А А А O 0,0 А 8 д
FV«» ал д Д Л А



O ° • ¦ • * O • ••
л
— єі т> «АА*
ft

Z3O 2,5 3,0 3,5 ?,0 W3IT, к_/
Рис. 22.170. Температурная зависимость проводимости InTe вдоль (н с, О) и поперек (JL с, ф) оси с [282]
OZ ? В 8 W 1Z 1? W3ZT. K''
Рис. 22.168 Температурная зависимость удельного сопротивления кристаллов InS, выращенных из расплава [280]:
концентрация электронов (г=300 К), 1018 см-3: ^ —9; t\ — 6,5; О — 5,5; ф — 4,5

о—






?

О Z ? Б 8 W 1Z 1?
Ю3/Т, К"'
Рис. 22.171. Температурная зависимость удельного сопротивления различных кристаллов TlS (ток — вдоль оси) [283]
1,2 1,Є 2,0 2,? 2,8 3,2 ?.0 103/Т, К"'
Рис. 22.169 Температурная зависимость проводимости различных кристаллов InSe вдоль (А) и поперек (#) оси с [281]
—Ф-Оо.
\
I


Рис. 22.172. Температурная зависимость удельного сопротивления ElSe (ток —вдоль оси) [283]
515
о* Ъ°о°о°о 'ооооо0 юоосоо о
о о о -I—
I O
T
I
T
T I

10f
г <f В 8 10 12 14-
го3/т,к-1
Рис. 22.173. Температурные зависимости коэффициента Холла для различных кристаллов TlSe в поле S= 13 кГс (ток — вдоль оси с, магнитное поле — поперек оси с в направлении [ПО]) [283]
<2
0? ч
Y
-о-о
P Л ,гг
I 172 К
I
1so
т. к
200 ZSO JOO
Рис. 22.174. Температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла для поликристаллического образца TlTe [284]. При T = 172 К происходит фазовый структурный переход от тетрагональной (при Г>172 К) структуры к орторомбической
Є ¦ J
[777]
Г \ k

ы





i
\

• л во к
I Я "1
і;
Л
U \
Il 'і к
Il Il Il
т,к
Рис. 22.176. Температурная зависимость холловской #, О) и дрейфовой (А) подвижности фотовозбужденных носителей в TlCl [285]
ф — дыркн; О, Д — электроны
400 300
ю3/т, к-
Рис. 22.177 Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в кристаллах TlCl с различной
концентрацией ловушек, см-5: / — 8,4•1O14; 2 — 1,2•1O16; S — 3,3 • 10">, сплошная линия — чистый кристалл [286J
Рис. 22.175 Зонная структура Т1С1, TlBr [294]:
516
22.3.4. Соединения типа AtvB™—A^BVl
Предыдущая << 1 .. 270 271 272 273 274 275 < 276 > 277 278 279 280 281 282 .. 611 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама