Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Шувалов Л.А. -> "Современная кристалография. Том 4" -> 151

Современная кристалография. Том 4 - Шувалов Л.А.

Шувалов Л.А. Современная кристалография. Том 4 — М.: Наука, 1981. — 496 c.
Скачать (прямая ссылка): sovremennayakristalografiyatom41981.djv
Предыдущая << 1 .. 145 146 147 148 149 150 < 151 > 152 153 154 155 156 157 .. 240 >> Следующая

иии\ С РаВ1ЮЖ,С110Й концентрация носителей Ди0 (например, при освсще-
уттчирнн ЭГИ 110СИТСЛИ сразу начнут диффундировать (разбегаться) и но
мсре
ненто "°Г указаШ1()11 точки их концентрация будет уменьшаться по экспо
иенто за счет рекомбинации:
Ал (я) = Дп0 ехр (-x/L),
307
электронно-дырочнып ПЕРЕХОДЫ
Полупроводник
.НО, а/см2
т р к 1 5~ п .Nd,Na *d
J

Q (?
}"Р"

6 \П'Р
Рр Л Пр V =^-
в
30 /
20 - /
10 /
-3 -2 -1 -/,
1 2 V,
-10 -
-20 -
-30
п"
Рп
X

т
К
(Р> 1 1 (П) (р)
Р и с. 183
Распределение заряда, напряженности поля и потенциала и прнконтактном
слое электронного полупроводника (контакт с металлом)
Рис. 1 84
Вольт-амперная характеристика контакта Ag-ZnO
Р и с. 185
Распределение донориых ЗГ ^ и акцепторных ^ а примесей (а), потенциала
(б) н свободных носителей (в) в кристалле с р-н-переходом
Р н с. 180
Вольт-амперная характеристика Ge-диода с р-"-переходом
Р н с. 187
Схема р - ч - />-транзистора
где константа L носит название диффузионной длины (расстояние, на котором
неранновесная концентрация уменьшается в е рал). Она связана с
коэффициентом диффузии и временем жизни носителей т формулой Эйнштейна-'
L=|fDT. (29)
Допустим теперь, что к р-га-переходу приложено внешнее нанрн.кенио в
пропускном направлении (плюс на р-области). При этом дырки устремятся в
20*
ГЛАВА ПЯТАЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ
обтасть где они станут неосновными носителями и будут рекомбипнр,,.
"ятт с электронами. Однако вследствие конечной величины тр эта
рекомбинация произойдет не сразу, а на некотором расстоянии за пределами
р _ и перехода где концентрация дырок будет оставаться выше концентрации
равновесных дырок рп. Одновременно с этим увеличится и концентрация
электронов в re-области, так как для компенсации объемного заряда
пришедших дырок из электрода выйдут дополнительные электроны. Аналогичное
явление произойдет и с электронами в ?г-области. Под влиянием
приложенного поля часть их пройдет в p-область, прорекомбинирует с
дырками, а из электрода в объем /ьобласти войдут дополнительные дырки для
компенсации заряда электронов. Это явление получило название инжвкции
неосновных носителей.
Явление инжекции приводит к резкой нелинейности вольг-амперной
характеристики р - ?г-перехода, которая описывается такой же формулой,
что и характеристика выпрямляющего контакта металл - полупроводник.
Положительное внешнее напряжение приводит к инжекции дырок из р- в re-
область и их интенсивной рекомбинации с электронами. То же самое имеет
место для электронов, инжектируемых из п- в p-область. Эти токи
рекомбинации могут быть велики даже при малых напряжениях, так как
концентрация основных носителей достаточно высока, а пижекция не
сопровождается появлением заметного объемного заряда.
При отрицательном напряжении на р-области высота барьера увеличивается и
через переход могут проходить лишь неосновные носители, концентрация
которых намного ниже, чем концентрация основных носителей. Поэтому
обратные токи р -/i-переходов оказываются малыми (рис. 186).
Вследствие нелинейности вольт-амперной характеристики р-/г-переходы
широко используются для выпрямления переменных токов, детектирования и
преобразования сигналов. При этом в мощных силовых выпрямителях площадь р
- ?1-перехода делается большой для увеличения силы тока; для увеличения
пробивного напряжения увеличивают толщину переходного слоя. Этого
добиваются путем изготовления трехслойпых структур, средний слой которых
обладает собственной проводимостью (р-i-ге-структуры).
При изготовлении полупроводниковых диодов широко используют кристаллы Ge
н Si, а также GaP, GaAs, InAs, InSb и других соединений и твердых
растворов типа GaAsj^P^, Ga^In^As и т. п. В последнее время созданы р-n-
переходы на кристаллах алмаза.
• 1. Полупроводниковый триод-транзистор. Изобретение транзистора -
приоора. предназначенного для усиления и генерации электрическихсигна-
.101), явилось одним из важнейших открытий в области физики кристаллов,
то изо ретение стимулировало быстрое развитие физики полупроводников
микроэлектроники, вычислительной техники и кибернетики. Схема устрой-
(tm)аДРанзист0Ра представлена на рис. 187. Он представляет собой пластину -
^проводника, в которой узкая (~1 мк) область ?г-типа разделяет две об-зой
<ТИ евая чаСть прибора называется эмиттером (Э). средняя - ба-
де.чаетси ппич^Г коллектором (К). Концентрация дырок в эмиттере обычно
базе. Есчи h i ,Г° -Ild ДВа П0РяЯка выше, чем концентрация электронов в
изойдет и1икек11иягаттГСрСЛОпПОДатЬ ПРЯМ0С напряжение, то через него про-
дырок достигнет (tm)' Вследствие малой толщины базы большинство
Вод влиянием почГ'т'0 пеР°Х()Д<>, включенного в обратном направлении.
Следотт\'|ьн0 кт пя *5а,И)И) т'Р<'хода дырки будут сброшены в коллектор,
обратного тока течет nrnjKP1IT ле?ы(r) пеРеход, то через правый вместо
слабого те гет почти такой же ток, что и через левый, и на сопротивле-
309
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Предыдущая << 1 .. 145 146 147 148 149 150 < 151 > 152 153 154 155 156 157 .. 240 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама