Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Шувалов Л.А. -> "Современная кристалография. Том 4" -> 152

Современная кристалография. Том 4 - Шувалов Л.А.

Шувалов Л.А. Современная кристалография. Том 4 — М.: Наука, 1981. — 496 c.
Скачать (прямая ссылка): sovremennayakristalografiyatom41981.djv
Предыдущая << 1 .. 146 147 148 149 150 151 < 152 > 153 154 155 156 157 158 .. 240 >> Следующая

НИН /?¦ получается значительное падение напряжения V = IRK, определяемое
ветчиной ЭДС батареи. Так как прямой ток через р - /г-переход очень
сильно зависит от напряжения, то ток в транзисторе изменяется очень
сильно при небольших изменениях напряжения на левом переходе. Таким
образом, биполярный транзистор аналогичен вакуумному триоду, в котором
роль катода играет эмиттер, роль анода - коллектор и роль управляющей
сетки -
база.
При изготовлении диодов и транзисторов создание р - "-переходов вначале
осуществлялось либо путем добавления нужных примесей в расплав, из
которого вытягивался монокристалл, либо путем последующей диффузии
примесей из газовой фазы (в запаянных ампулах) или из небольшой капли
металла, наносившейся на поверхность полупроводника. Позже для этих целей
стала широко использоваться эпитаксиальная технология, т. е. наращивание
на подложке тонких монокристаллических слоев полупроводников с нужным
типом и концентрацией примесей. Этот метод оказался чрезвычайно
перспективным, и в настоящее время он широко используется в
промышленности, особенно при создании интегральных схем, когда на одной
пластине одновременно делаются сотни тысяч приборов микронных размеров, а
также при изготовлении различных многослойных структур, например для
полупроводниковых лазеров.
В последние годы стал применяться метод молекулярно-пучковой эпитаксии,
основанный на конденсации молекулярных пучков в вакууме. Преимущество
этого метода заключается в том, что он позволяет получать очень тонкие (в
пределе мономолекул я рные) слои разного состава путем использования
нескольких испарителей и создавать так называемые сверхрешетки, т. е.
многослойные структуры, состав которых изменяется периодически вдоль
нормали к поверхности (например, слон GaAs и Ge толщиной 10- 50 А). Такие
искусственно создаваемые "сверхструктуры" должны обладать рядом
интересных свойств (Шнк. 1974). Идея о целесообразности использования
метода эпитаксиального наращивания монокристаллических нленок для
создания р-n-переходов и многослойных структур была высказана в Институте
кристаллографии (Семилетов, 1956).
В последнее время при изготовлении полупроводниковых приборов и
интегральных схем используется также метод имплантации ионов, т. е. метод
внедрения в топкий поверхностный слой полупроводника нужных ионов с
энергией от нескольких десятков до нескольких сотен килоэлектрон-вольт,
полученных на специальных ускорителях (Мейер и др., 1973).
2.5. Полупроводниковый лазер. В полупроводниковых и диэлектрических
кристаллах получение стимулированного излучения возможно лишь в том
случае, если в кристалле тем или иным способом создано состояние с
отрицательной температурой. В обычных условиях, как говорилось выше, в
полупроводнике устанавливается равновесное распределение электронов и
дырок по энергетическим уровням, которое описывается функцией Ферми (17).
При этом количество электронов (для определенности мы далее будем
оперировать лишь с электронами) на низших уровнях намного больше, чем на
верхних. Между этими уровнями осуществляется непрерывный обмен
электронами, причем переход частиц с низших уровней на верхние происходит
в результате поглощения энергии, а с верхнего на нижний сопровождается ее
излучением. Вероятность усиления излучения такой системы очень мала,
поскольку концентрация электронов на нижних уровнях намного олыне, чем на
верхних. Иными слонами, кристалл, находящийся в состоянии теплового
равновесия, не может усиливать падающее на него излучение.
ГЛАВА ПЯТАЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ_____________________ 310
TT-т* того чтобы создать условия, при которых полупроводник мог бы
лггптпвать излучение, т. о. стать источником стимулированного излучения,
Ул(tm) нарушить равновесное распределение электронов п создать такое
mопределение, при котором число электронов на верхних уровнях станет
finSime чем на нижних. Иными словами, нужно создать инверсную
заселенность уровней. которая описывается тем же уравнением (17), что и
равновесно распределение, при условии, что перед Т стоит знак минус.
Потому состояние с инверсной заселенностью часто называют состоянием с
отрицательной температурой.
В полупроводниковых кристаллах в принципе возможны два способа получения
состояния с отрицательной температурой:
а) путем нарушения впутризопного равновесия, т. е. путем перевода
электронов с помощью того или иного источника энергии из нижней части
зоны (например, зоны проводимости) в верхнюю; время восстановления
нарушенного равновесия в этом случае очень мало (10~13 сек), поэтому этот
путь создания инверсной заселенности практически неосуществим;
б) путем нарушения межзонного равновесия, т. е. путем перевода
электронов из валентной зоны в зону проводимости. Время релаксации таких
меж-зопных переходов намного больше, чем в первом случае; оно меняется в
пределах от 10~3 до Ю-9 сек, поэтому этот путь создания инверсной
заселенности вполне реален.
Предыдущая << 1 .. 146 147 148 149 150 151 < 152 > 153 154 155 156 157 158 .. 240 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама