Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Шувалов Л.А. -> "Современная кристалография. Том 4" -> 22

Современная кристалография. Том 4 - Шувалов Л.А.

Шувалов Л.А. Современная кристалография. Том 4 — М.: Наука, 1981. — 496 c.
Скачать (прямая ссылка): sovremennayakristalografiyatom41981.djv
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 240 >> Следующая

компонентами тензоров. При этом морфическне свойства пропорциональны тон
или иной степени воздействия.
Рассмотрим в качестве примера кубический кристалл с К --m3 (рис. 9).
Однородное одноосное механическое напряжение (GB - oo/mm). приложенное к
кристаллу вдоль [100], переведет его согласно (71) в ромбический класс К-
ттт. В соответствии с таким измененном симметрии кристалл станет
оптически двуосным, у него появятся пропорциональные воздействию
морфическне (дополнительные) компоненты тензора упругих коэффициентов и
т. д. Если к тому же кристаллу с К -m3 приложить вдоль той же оси [100]
электрическое поле (GB = оотт), то согласно (71) К~тт2. Теперь у
кристалла в дополнение к предыдущим изменениям теряется центр симметрии и
соответственно появляется морфический тензор пьезоэлектрических модулей и
т. п. Если те же воздействия приложить к кристаллу с К-~т'Л в
произвольном направлении [hlcl], то его симметрия в соответствии с (71)
понизится до триклипной. но центросимметричное механическое напряжение
сохранит цент}) симметрии (А* =1). а полярное электрическое поло устранит
ого (/Г-П. при :>гом появятся соответствующие морфическне свойства.
Принцип Кюри применим для определении изменения при внешнем воздействии
не только точечной симметрии кристалла, но н пространственной. При атом
внешнее воздействие рассматривается как однородное
(траиствониое поле. т. е. его пространственную rnvnnv можно записать виде
GBr, гттт (т j 1V1 ]j) Т(
TiT2T, (т. 1, ГЛ.
ф = Ф П GB 0 7\,т,т,
огда получаем
45
СИММЕТРИЯ ФИЗИЧЕСКИХ свойств
11рн обычных измерительных воздействиях морфические эффекты очень малы, и
соответствующее им понижение симметрии можно не учитывать. Однако прп
очень сильных воздействиях и иногда в кристаллооптических измерениях
морфические эффекты могут оказаться достаточно велики и должны
учитываться (см. гл. VIII).
В случае структурных фазовых переходов в кристалле, сопровождающихся
изменением симметрии и описываемых возникновением в низкосим-метрнчной
фазе какого-либо макроскопического анизотропного параметра, этот параметр
можно рассматривать как внешнее воздействие и для определения изменения
точечной симметрии кристалла при фазовом переходе применить принцип Кюри
(Желудев. Шувалов. 1956). Таким образом, если известна симметрия
параметра перехода Gn. то в соответствии с (71) симметрия
низкоснмметричной фазы Кр есть высшая общая подгруппа группы симметрии К
исходной фазы кристалла и группы Gn при заданной ориентации элементов
симметрии Gn в осях группы К, т. е.
Такой подход позволяет легко определить изменение точечной симметрии
кристаллов при сегнетоэлектрических. ферромагнитных, сегнетоэласти-ческпх
и других структурных параметрических переходах, а для случаев так
называемых собственных фазовых переходов - и изменение пространственной
симметрии согласно соотношению
Рассмотрим, например, изменение симметрии при сегнетоэлектрических
разовых переходах в титанате бария (BaTi03). Учтем, что в исходной (па-
раэлектрической) фазе К =тЗт. Gn~oomm (симметрия вектора спонтанной
поляризации Ps). В первой сегнетоэлектрической фазе вектор Р,
ориентирован вдоль направления <001 > исходной фазы. Очевидно, что в этом
случае KF=(Kf)Gn)~Amm. Во второй сегнетофазе Р, ориентирован вдоль <110)>
исходной фазы; следовательно. KF = (К PlGn) = mm2. В третьей сегнетофазе
PS||<111>, и поэтому AV=3/re (подробнее см. гл. III).
В случае сегнетоэластцческого фазового перехода (Aizu. 1969) изменение
точечной симметрии кристалла полностью описывается возникновением
спонтанной деформации, которой может быть сдвиг или одноосное растяжение-
сжатие. Если учесть, что сдвиг можно заменить одноосным растяжением-
сжатием, повернув кристалл вокруг оси сдвига на 45°. то в качестве
спонтанной деформации всегда можно взять деформацию одноосного
растяжения-сжатия, т. е. считать, что Gn- оо.'тт. Рассмотрим для примера
сегиетоэластический переход в KH3(Se03)2 с К ттт. Ориентируя ?ц_вдоль
<101 )> и используя (73). получаем Ку -2/т. Дли .\114Н.ЛЧ)4 с К : - h2m.
ориентируя Gu вдоль <(100)>. получаем переход н Kp -222.
Отметим, что сегнетоэластнческая фаза у 1\Ч1411..Р04 является также и
аптпсегнетиэлектрической. <')то неудивительно, так как- изменение
точечной ¦симметрии кристалла при переходе в антнсегнетоэлектрнческую
фазу. сопровождающее1 возникновение аитиполяризацни, можно описать с
помощью "п оо ттт. Иначе говоря, на уровне точечной симметрии
сегиетоэласти-ческие фазовые переходы неотличимы от
антнсегнетоэлектрнческих, и все последние (кроме переходов без изменения
точечной симметрии) будут одновременно и сегнетоэластическимн. (Заметим,
что сегнетооластпческне фа-
Кр =А ПСП.
(73)
Фр - &nGn^TXiXjX:
(74)
ГЛАВА ПЕРВАЯ. ТЕНЗОРНОЕ (III ИОЛ II II К ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
зовые переходы могут оыть не только В диэлектриках; например. ш-рехо lw
тЗт"4;'""я/п в Vi3Si и 4/ттт- >21т в V0.,.)
Принцип Кюри, как и принцип Неймана, справедлив и в рамках магнитной
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 240 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама