Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Шувалов Л.А. -> "Современная кристалография. Том 4" -> 40

Современная кристалография. Том 4 - Шувалов Л.А.

Шувалов Л.А. Современная кристалография. Том 4 — М.: Наука, 1981. — 496 c.
Скачать (прямая ссылка): sovremennayakristalografiyatom41981.djv
Предыдущая << 1 .. 34 35 36 37 38 39 < 40 > 41 42 43 44 45 46 .. 240 >> Следующая

б - скачкообразное
а
Р и с. -53
Зависимости скорости движения дислокаций от напряжения в различных
кристаллах (сводка Надгорного (см.: Ройтбурд, 1972)) ч- чистые кристаллы,
пр - кристаллы с примесями, обл - облученные; если не указана
температура, измерения выполнены при комнатной температуре
V.см сек
ГЛАВА ВТОРАЯ. МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
постыо дислокаций, для наблюдения за движением дистгог.т зуется также
метод рентгеновской топографии. На рис 42 ЦИН исп°ль-фиксируется движение
дислокаций в кристалле Csl методом°нрп 3аП°' Как травления в процессе
нагружения. Рис. 42,а отвечает случаю' рерь|1Шог° слокация двигалась
приблизительно равномерно во время иаг'0^ Д'Ь причем скорость движения
оказалась сравнимой со скоростью пасУЖеНИя' фигур травления. Появление
ряда плоскодонных ямок вдоль пут,1 дислокаций па рис. 42,6
свидетельствует о том, что дислокация твиг'?И1Я скачкообразно, делая
временные остановки. Скачкообразный характеп1аСЬ формации скольжением
впервые обнаружила М. В. Классеп-Нр^-(tm),Д6'
(1928, 1933). ^клюдова
Скорость движения дислокаций растет с увеличением приложенного
напряжения. На рис. 43 приведены кривые зависимостей скорости движения
дислокаций от напряжения для различных кристаллов. При малых напряжениях
скорость растет с напряжением экспоненциально (или как показательная
функция от напряжения), затем увеличение скорости замедляется (скорость
растет линейно с напряжением), и постепенно при очень высоких напряжениях
она приближается к скорости звука.
Замедление роста скорости дислокаций при высоких напряжениях связано с
коренным изменением механизма торможения дислокаций. Перемещение
дислокаций в кристаллах требует преодоления различного рода барьеров,
связанных как с периодическим строением кристалла (барьеры Пан-ерлса -
Набарро), так и с дефектами решетки. Медленно движущиеся дислокации
останавливаются перед этими барьерами и затем преодолевают их в
результате термических флюктуаций. При больших скоростях движения
дислокаций, когда их кинетическая энергия достигает высоты энергетических
барьеров, торможение дислокаций приобретает динамическую природу и
лимитируется перекачкой энергии от дислокаций к различным элементарным
возбуждениям в кристалле.
Динамическое торможение играет некоторую роль и при медленном движении
дислокаций, влияя на кинетику термофлюктуационного преодоления
дислокациями потенциальных барьеров.
В большинстве случаев определяющую роль в динамическом торможении
дислокаций играет взаимодействие дислокаций с фононами. Вклад других
типов элементарных возбуждений (электронов, экситонов п т. д.)
проявляется лишь в специальных условиях. Например, в металлах при низких
температурах, когда фононный газ выморожен, существенным оказывается
взаимодействие движущихся дислокаций с электронами проводимости.
Вязкость "газа" элементарных возбуждений определяется коэффициентом
вязкости В, н силу, действующую на единицу длины дислокации, можно
записать в виде
F=xb=vB.
Обычно при комнатной температуре В=10-3-н10-4 пуаз, и с понижением
температуры В уменьшается. В случае диэлектриков В надает практическ до
нуля с приближением к 0° К. В металлах коэффициент вязкости о тли4 от
нуля вблизи 0° К из-за рассеяния на электронах.
Детально с теорией динамического торможения дислокации можно знакомиться
и обзорах Алыница и Инденбома (1975), а также Каганопа
Др' (1973)' • ,тал-
3.5. Сопротивление движению дислокаций со стороны решетки.
лическая решетка имеет определенный потенциальный рельеф, диктуют
89
-^^1^(tm)!2^описание
t
J ~л_
^ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ
Р и с. 44
Образование двойного пере-ги6а ,1а линии дислокации Сплошные линии -
канавки потенциального рельефа, штриховые -¦ барьеры меж-ДУ канавками
дислокации наиболее выгодное положение. В идеальном должны иметь форму
прямых линий, располагающихся
случае дислокации цнального рельефа. При этом энергия
дислокационную линию, параллельную илот,,оу",кованному ряд, , нрост"
кубпческои решетке. Для поступательного движения днелокацт в тправ-ленни,
перпендикулярном ее лилии, она должна переходить ш одной ка-навки рельефа
в другую, преодолевая барьер высотой Е (рис. 44) Однако переход через
барьер одновременно всей дислокации как жесткой прямой линии
маловероятен, поскольку в промежуточном положении избыточной энергией Ы
(/ длина дислокации) обладал бы отрезок дислокации макроскопической
длины. Гораздо вероятнее переход в соседнюю канавку отдельных малых
участков дислокационной линии. Участки дислокационной линии,
осуществляющие переход из одной канавки в соседнюю, называются
перегибами. При разбегании перегибов в противоположные стороны
увеличивается длина отрезка в соседней канавке и, таким образом,
постепенно зся дислокация переходит из одной канавки потенциального
рельефа в другую. Процесс перемещения перегиба дислокационной линий на
одно межатомное расстояние можно рассматривать как элементарный акт
пластической деформации скольжением.
Предыдущая << 1 .. 34 35 36 37 38 39 < 40 > 41 42 43 44 45 46 .. 240 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама