Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Физическая химия -> Шувалов Л.А. -> "Современная кристалография. Том 4" -> 46

Современная кристалография. Том 4 - Шувалов Л.А.

Шувалов Л.А. Современная кристалография. Том 4 — М.: Наука, 1981. — 496 c.
Скачать (прямая ссылка): sovremennayakristalografiyatom41981.djv
Предыдущая << 1 .. 40 41 42 43 44 45 < 46 > 47 48 49 50 51 52 .. 240 >> Следующая

1968). Как правило, заряд переносят только краевые и смешанные
дислокации, так как при движении краевых дислокаций (и краевых компонент
у смешанных) нет чередования знака попов и заряженная ступепька движется
вместе с дислокацией. При движении винтовых дислокации происходит
чередование ионов разного знака и знак заряда па ступеньке все время
меняется. Заряженная ступепька па винтовой дислокации мо/ьет двигаться
обычно только вдоль дислокации. Перенос заряда винтовым" дислокациями при
их движении перпендикулярно вектору Вюргерса во.> молчен лишь в том
случае, если эти дислокации способны тащить за собои вакансии, ле
распадающиеся па пары перегибов.
оаряженные ступеньки притягивают к себе точечные дефекты, компенси-
^тт1л!ЦИе ^аряд ступеньки. Электростатическое взаимодействие ступенек <'
Дефектами приводит к закреплению дислокации в области ступеньки-
Ml ДИСЛОКАЦИОННО*
----- ----------пластической деформации
Скопления дефектов вокруг заряженных
Дебая-Хюккеля. Согласно оценкам Уитворта (Whitworfb'Я °благками тормозят
движение дислокаций намного nnnfiH ' Y эти облака
" р",Кр<,скош"0с"" •
Появление заряда на дислокациях в кмп,"п"
зано с существованием вдоль линии дислокации цепочгпТ>ппР°'!0ЛИИК(Ж свя'
_________п "____ м шиклции цепочки непарных валентных
п типа они образуют отрицательный е
за-
электроиов. В кремнии и германии
ряд, являющийся Причиной притяжения к дислокации точечных дефектов или
атомов примеси. Оказавшись непосредственно вблизи линий дислокации в
полупроводнике большая часть примесных атомов может, по-видимому легко
вступать в своеобразную химическую обменную связь с непарными
электронами. В этом случае энергия связи атомов примеси с дислокациями
намного больше, чем в случае чисто электростатического взаимодействия.
Поляризация при деформации полупроводниковых кристаллов экспериментально
не обнаруживается из-за экранирования заряда дислокационной линии
вследствие довольно большой электропроводности этих кристаллов.
В полупроводниковых кристаллах соединений AnBVI, обладающих значительной
долей ионной связи (ZnO, ZnS, CdS и т. д.), заряженные дислокации
обнаруживаются. Заряженными оказываются краевые дислокации с лишней
полуплоскостью {111}, поскольку эти плоскости составлены поочередно
атомами А11 и BVI с зарядом противоположного знака (Whitworth, 1975).
Дислокации па краю плоскости {111}, составленной анионами BVI (а-
дислокацип), заряжены отрицательно, а на краю плоскости из катионов А11
((3-днслокации) •- положительно.
3.11. Частицы осадка. Если атомы примеси образуют крупные скопления
(называемые частицами осадка, выделениями или преципитатами), то имеют
место дополнительные виды взаимодействия дислокаций с примесями. В случае
когерентности выделений и матрицы (т. е. когда матрица и выделение имеют
сходные структуры и близкий размер элементарной ячейки) дислокация может
пройти сквозь частицу, сдвинув одну ее часть относительно другой на
величину Ъ. При этом энергия границы раздела выделения и матрицы
возрастает на величину
WT~Tr0b (95)
для частиц радиуса г0 с удельной поверхностной энергией Г (Ilaasen, 1970)
(WT - энергия взаимодействия дислокации с частицей). В случае крупной
некогерептной частицы дислокация огибает ее, оставляя кольца дислокации
вокруг частиц (механизм Орована).
Па рис. 54 показана схема огибания. Напряжение огибания (Ashbee,
1966; Shtolberg, 1971) выражается формулой т ~ Gb/Ш,
ГД6Е^ в металле с примесями,
предс"1"еТГбоГу"оряд"с"^й ".".в (рис. 55)
энергией Г', то энергия взаимодействия дислокации с ней (Ilaasen, 1J/0)
равна
WY, ~ Г'/f.
Эта энергия расходуется на нарушение порядка в частице вдоль нути
движения дислокации. ()Гут "змеинть структуру дислокации,
Частицы осадка, в свою oiepiwb. Д Например, если движущаяся
если дислокация оказывается внутри (астиць. Р
Рис. 55
разупорядочение структуры в частице осадка вдоль пути движения дислокации
О О ООООООООООО GO ООО ООО О • "о О ОО СиО€^# €ЮО О О О О о О О
О 0 00 0 0.0*0"0"0"ю0 000 00 О ООО Oj0#O# 09090 "0.00 "сю
оооор*о"о*о"о#о*ооооо
О ООСУ9 09 09 09 09 О 909^0000 00090 90 9090909 09 090 00 0 9 090 90
9090x000 О 909 0 9 0 909\0 00
О • о totolooo
09 0 9 0909000 90 9 0 9090000 09 0 90900000 90 9 0 #0*0000 09 О 90*00000
•О • О 9'000090
0 0 0090<
О О 0]9 С_90_9 0_9С О 01)909090 -0090909 О 9 0009090 9 О 090.09090 9
00090 90•О ООО О4# О • О •
О О О О Os"tp "О--.---
000 00 0 0'0 9_0 9^х0'0 0 ООООО • ООО ООО О О О"б ООООООООО
Рис. 56
Увеличение раещепления дислокации в частице осадка
дислокация расщеплена, то внутри частицы осадка изменяются энергия
дефекта упаковки от у1 до у2 и расщепление от wt до w2 (рис. 56).
Соответствующая энергия взаимодействия (Haasen, 1970) выражается формулой
Wk ~ 2r0wl (Т!-Ts) при W2 < Г(1 < ^ (!18)
3.12. Внутреннее трение. Одним из методов анализа взаимодействия
дислокации с точечными дефектами является измерение нпутрешгего трепия.
Buyvi-трением называется способность твердого тела превращать в тепло
Предыдущая << 1 .. 40 41 42 43 44 45 < 46 > 47 48 49 50 51 52 .. 240 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама