Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Келли А. -> "Кристаллография и дефекты в кристаллах" -> 132

Кристаллография и дефекты в кристаллах - Келли А.

Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах — М.: Мир, 1974. — 504 c.
Скачать (прямая ссылка): kristalografiyadefect1974.djvu
Предыдущая << 1 .. 126 127 128 129 130 131 < 132 > 133 134 135 136 137 138 .. 168 >> Следующая


Соответствие решеток предполагается обратным бейновскому соответствию, а в качестве дополнительной деформации выбирается сдвиг по плоскости {111}м в- направлении (211 >м. Эти предположения приводят к габитусной плоскости, близкой к {133}р (действительно наблюдаемой на опыте), и к плотности дефектов упаковки, близкой к наблюдаемой.

Пластины г. п. у.-мартенсита сплавов Cu — Al, Cu — Ga и Cu — Sn внутренне издвойникованы, дефекты упаковки в них отсутствуют. Здесь снова формальная кристаллографическая теория хорошо согласуется с наблюдениями.

11.8. Мартенситные превращения в неметаллах

О мартенситных превращениях в неметаллах можно сказать очень мало. Имеется много примеров быстрого изменения структуры, происходящего нри определенной температуре, однако морфология этого изменения тщательно исследовалась лишь в очень немногих случаях. Между тем без этих чрезвычайно важных наблюдений трудно решить, является ли превращение мартенсит-ным или нет.

Одно из превращений, для которого имеются исследования морфологии,— это превращение в ZrO2. Решетка ZrO2 — моно- M артенситные превращения

389

клинная при низких температурах и тетрагональная выше 1100 0G. Когда моноклинная фаза нагревается под микроскопом, можно наблюдать, как при температуре около IlOO0C на поверхности внезапно появляются полосы [11]. Образующаяся тетрагональная фаза имеет микроструктуру, типичную для мартенсита. Это пре~ вращение, как и обратное, протекающее при охлаждении, имеет важное техническое значение, потому что оно приводит к разрушению изделий из ZrO2 и тем самым ограничивает использование этого в других отношениях прекрасного жаростойкого материала (температура плавления 2680 0C) в чистом состоянии.

Важное техническое значение имеет также превращение, которое происходит при температуре Кюри в таком широко известном сегнетоэлектрическом материале, как титанат бария. При температурах выше 120 0C титанат бария имеет почти кубическую структуру типа перовскита (фиг. 3.10), а от 120 °С до комнатной он имеет тетрагональную структуру, характеризующуюся спонтанной электрической поляризацией в направлении оси с. В этом сегнетоэлектрическом состоянии кристалл BaTiO8 имеет доменную структуру, которая часто сходна со структурой тетрагональной фазы In — Tl (фиг. 11.9). В такой структуре имеются пачки двойниковых ламелей; индивидуальные ламели представляют собой отдельные сегнетоэлектрические домены. Направление поляризации лежит вдоль оси с и потому при переходе через двойниковую границу поворачивается приблизительно на 90°.

В минералогии используется термин вытеснение для описания изменений в структуре, которые, вероятно, являются мартенсит-ными. Например, если структурное изменение в силикате может происходить за счет небольшого искажения каркаса из связей Si — О, говорят, что происходит превращение путем вытеснения. Наоборот, если новая структура может быть получена только в результате разрыва и перестройки связей Si — О, превращение называется реконструктивным.

11.9. Кристаллографические аспекты зарождения и роста мартенсита

Зарождение и рост мартенситной пластины, конечно, являются сложным процессом, протекающим в несколько отдельных стадий. Перемещения атомов, которые приводят к образованию зародыша мартенсита, вероятно, определяются природой дефекта, на котором образуется этот зародыш. По мере роста зародыша должна происходить непрерывная аккомодация напряжений, возникающих в матрице в результате изменения его размеров и формы. Можно себе представить, что на какой-то стадии сопротивление матрицы вынуждает зародыш претерпеть гетерогенную деформацию путем скольжения, двойникования или за счет образования •390

Глава 12

дефектов упаковки, что позволит повой фазе расти далее в виде пластины, на гранях которой имеет место макроскопическое соответствие решеток матрицы и новой фазы. Те особые места, в которых происходит образование зародышей, могут иметь расположение атомов, сходное с расположением, характерным для новой фазы. Очевидным нримером являются дефекты упаковки в г. ц. к.-кобальте, поскольку в области дефекта последовательность укладки плотноупаковаиных атомных плоскостей отвечает гексагональной фазе. Естественно предположить, что аналогичные места зарождения новой фазы существуют и в других структурах.

Ф и г. 11.15. Плоскость (011) о. ц. к.-металла до (а) и после (б) смещения верхнего слоя атомов на V8 [011].

Так, можно предположить, что местами, в которых начинается превращение о. ц. к.-металла в г. ц. к.- или г. п. у.-структуру, могут служить дефекты упаковки в плоскостях {Oil}. На фигуре 11.15 показаны два атомных слоя (011) о. ц. к.-кристалла. Если атомы верхнего слоя сдвинуть на V8 1011] относительно позиций, соответствующих центрам треугольных промежутков между атомами нижележащего слоя, взаимное расположение атомов этих двух слоев станет более близким к расположению, характерному для укладки плотноупакованных плоскостей г. ц. к.-или г. п. у.-структур. Предполагается, что такое смещение может дать дислокация с обычным вектором Бюргерса V2 [111] при расщеплении в плоскости (011) в соответствии с реакцией (8.57):
Предыдущая << 1 .. 126 127 128 129 130 131 < 132 > 133 134 135 136 137 138 .. 168 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама