Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Келли А. -> "Кристаллография и дефекты в кристаллах" -> 133

Кристаллография и дефекты в кристаллах - Келли А.

Келли А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах — М.: Мир, 1974. — 504 c.
Скачать (прямая ссылка): kristalografiyadefect1974.djvu
Предыдущая << 1 .. 127 128 129 130 131 132 < 133 > 134 135 136 137 138 139 .. 168 >> Следующая


а

6

V2 [11,1] ->• V8 [011] + V4 [211] + V8 [011]. M артенситные превращения

391

Другой путь рассуждений приводит к идее о том, что особое значение для зарождения плотноупакованной структуры из о. ц. к.-структуры имеет сдвиг в системе {011} (011). Из фиг. 11.15 видно, что о. ц. к.-структура, построенная из жестких шаров, вероятно, не оказывала бы сопротивления сдвигу {011}(011). Шары верхнего слоя (011) располагаются над седловыми точками; такая конфигурация неустойчива, потому что легчайший толчок в направлении (011) будет сталкивать их в позиции, показанные на фиг. 11.15, б. Таким образом, о. ц. к.-структура из жестких шаров будет механически неустойчивой системой. Устойчивость реального о. ц. к.-кристалла в отношении сдвига {011} (011) определяется упругой константой (C11 — C12)/2, а отношение (C11 — с12)/2 к C44 является мерой его устойчивости относительно перехода в плотноупакованную структуру. В качестве примера кристалла со структурой CsCl, который превращается в плотно-упакованную структуру, можно назвать ?-латунь, для которой (сп — с12)/2сц = VI8 при комнатной температуре. Абсолютное значение (с1х —с12)/2 низко: 0,093-IO12 дин/см2 и уменьшается с падением температуры, т. е. при температуре превращения Ms сопротивление о. ц. к.-решетки сдвигу {011}(011) очень мало, что и приводит к переходу в плотноупакованную структу-ру [12].

После того как произошло зарождение, мартенситная фаза обычно развивается в виде пластины. Рост пластины в боковых направлениях, как правило, происходит очень быстро: скорость роста может составлять заметную долю скорости звука. В общем случае сопряжение граней пластины с нетрансформированной матрицей наблюдается в макроскопическом масштабе. Локальные искажения могут быть представлены рядами дислокаций на поверхности раздела, дальнодействующие поля напряжений которых исчезающе малы. По мере утолщения пластины скольжение этих дислокаций приводит к деформации скольжением, образованию дефектов упаковки или двойникованию, которые в сочетании с искажением решетки обусловливают хорошее (в среднем) согласование решеток па границе раздела. Конечно, наличие этих дислокаций не решает полностью проблему аккомодации пластины конечных размеров в нетрансформированном материале. Имеется еще сдвиг по плоскости, параллельной поверхности раздела, в связи с чем возникает проблема аккомодации изменения формы на краях пластины. Давление со стороны матрицы приводит к тому, что края пластины становятся заостренными, совсем как в случае двойниковой ламели (фиг. 10.15). Кроме того, в общем случае происходит расширение или сжатие кристалла в направлении, перпендикулярном граням пластины, которое также должно ¦быть аккомодировано. •392

Глава 12

Если деформации, обусловленные сдвигом и растяжением, малы, аккомодация может быть достигнута за счет упругой деформации пластины и матрицы. В этом случае пластина может находиться в равновесии с матрицей; при этом даже небольшое падение температуры будет вызывать рост пластины за счет того, что обусловленное этим падением температуры изменение химической свободной энергии окажется достаточным, чтобы превысить энергию поля упругой деформации, тогда как небольшое повышение температуры приведет к тому, что поле упругой деформации будет сжимать пластину. Это явление аналогично упругому двойникова-нию, и мартенсит такого типа называется термоупругим. Однако чаще, как в сталях, деформации слишком велики, чтобы допустить упругую аккомодацию, и имеет место пластическая деформация. Поскольку в процессе пластической деформации происходит рассеяние энергии, а не запасание, рост пластины перестает быть обратимым. Кроме того, искажения решетки матрицы, обусловленные пластической деформацией, могут задерживать дальнейшее превращение частично трансформированного материала.

Другой путь частичной аккомодации деформации в одной пластине состоит в зарождении рядом с этой пластиной другой пластины с иной деформацией. Этот эффект приводит к характерному зигзагообразному расположению мартенситных пластин в сталях с высоким содержанием углерода. Если пластины одного типа зарождаются чаще, чем другого, развивается своего рода цепная реакция, которая может превратить значительную часть всего кристалла в совершенно фантастический пейзаж. В случае сплавов In — Tl пластины с одним и тем Hte габитусом могут претерпевать деформации двух различных типов, которые представляют собой (по крайней мере приблизительно) равные и противоположные сдвиги. Пачка чередующихся пластин, характеризующихся сдвигом противоположного типа, образует область, в которой общая деформация равна нулю. Естественно, что такая область может иметь границы произвольной ориентации.

В качестве краткого заключительного замечания молено сказать, что многие особенности кристаллографии мартенситного-превращения могут быть поняты на основе взаимодействия двух факторов. Первый — это тенденция к превращению путем такой деформации решетки, прр которой в небольших областях исходного кристалла наиболее простым путем происходит превращение решетки исходной фазы в решетку мартенсита. Второй фактор — это воздействие, оказываемое на претерпевшую превращение область конечных размеров со стороны окружающей ее среды. M артенситные превращения
Предыдущая << 1 .. 127 128 129 130 131 132 < 133 > 134 135 136 137 138 139 .. 168 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама