Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 10

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 33 >> Следующая


4.5. S-МАГНИТОДИОДЫ

К этому классу относятся магнитодиоды с BAX S типа [7, 22]. Рассмотрим, при каких условиях на BA) диода с длинной базой может появиться участок с от

30 «янательиым дифференциальным сопротивлением (далее ОС). Электропроводность базы диода

O6 = O0Il +(///„)*], (4.21)

где / „—-постоянная, определяемая электрофизическими параметрами исходного полупроводника, геометрическими размерами структуры и свойствами омического контакта. Формулу (4.21), например, легко получить из (4 8), используя разложение в ряд функций 1п(1+*) и 1/(1—*) при W = Lp, 1<А1иас. Дифференциальное сопротивление диода при прямом включении [см. (4.1 ) — (4.4) и (4.21) J

= CkT , 1 +(1 -X) (///„)* (4 22>

dl q (/ -Г / мас) ^ °0|1 +(//W

Теоретические оценки показывают, что если нР,п, ~р.п или коэффициент инжекции р—«-перехода не зависят от тока, то всегда т- <¦¦¦ проводимость базы растет

с увеличением тока не более чем линейно и отрицательное сопротивление не возникает. Для образования участка ОС на BAX диода необходим сверхлннейный рост проводимости базы с увеличением тока (%>1). Это возможно, если одновременно с увеличением инжекции растут параметры, определяющие распределение инжектированных носителей в базе (ц, т), или увеличивается коэффициент инжекции р—«-перехода.

Физический механизм возникновения ОС заключается в перераспределении внешнего напряжения между р—«-переходом и базой диода. С увеличением тока через диод растет инжекцня носителей заряда в базу и уменьшается ее сопротивление. Внешнее напряжение, приложенное к диоду, перераспределяется, а именно, часть напряжения, падающая на базе, уменьшается, а часть, падающая на р—«-переходе, увеличивается. Увеличение напряжения на р—«-переходе приводит к увеличению концентрации инжектированных носителей в базе диода, а это — к дальнейшему уменьшению сопротивления базы, перераспределению напряжения и т. д. В этом и заключается положительная обратная связь по току, необходимая для появления ОС. Однако сопротивление р—«-перехода с ростом тока уменьшается, поэтому такой процесс возможен только в том случае, ели сопротивление базы сильнее уменьшается с ростом ка, чем сопротивление р—«-перехода. Для этого, как

Зі отмечалось выше, необходимо, чтобы проводимость ба< зы увеличивалась не только за счет инжекции, но и за счет какого-то дополнительного механизма. Следовательно, рассмотрение принципов действия 5-диодов к сводится к анализу этих дополнительных механизмов изменения проводимости базы.

Основным механизмом образования BAX 5-типа является увеличение длины диффузионного смещения Lptn инжектированных носителей с ростом их концентрации. Он состоит в том, что с ростом тока через р—п-переход увеличивается концентрация инжектированных носителей в базе (и соответственно Lp4„) и длина затягивания инжектированных носителей в глубь базы, что ведет к росту ее проводимости На рис. 4.7 показаны

BAX в прямом направлении р+—п—«+-диода для двул значений Lp- Как видно из рисунка, рост Lp от Lpi До Lpг в интервале токов Z1—/2 приводит к переходу точки с первой BAX на вторую и образованию участка с ОС. Следует подчеркнуть, что рост Lp должен проис" ходить в интервале токов, отстоящем от начала харак теристики. Если же Lp начнет увеличиваться с росток тока от нуля, то переход от одной характеристики I другой начнется сразу от точки 7 = 0 и участок с OO не образуется.

Причиной увеличения Lp может быть рост времей жизни или подвижности инжектированных носителе! так как L2p со р.рхр (4.11). Наибольшее изменение ^npl

32

Рис. 4.7. Образование участка с отрицательным сопротивлением на BAX диода за счет увеличения Lp

Рис. 4.8. BAX 5-диода: /в, Vb-TOK и напряжение включения, V0, I0 — остаточные напрям жения и ток исходит в р—«-переходах из компенсированных полупроводников. Еслц в запрещенной зоне «-полупроводника имеется примесный уровень, лежащий ниже уровня Ферми и полностью заполненный электронами, то сечение захвата дырок отрицательно заряженным центром будет во много раз больше, чем сечение захвата электронов нейтральными центрами. Поэтому с увеличением уровня инжекции количество электронов на ре-комбинационном уровне будет уменьшаться благодаря захвату дырок. Время жизни дырок увеличивается. Уменьшение концентрации ионизированных центров при захвате на них инжектированных носителей приводит также к уменьшению рассеяния и соответствующему увеличению подвижности.

Типичная BAX S-диода показана на рис. 4.8. Она образуется за счет того, что при малых токах концентрация инжектированных носителей заряда в каждой точке базы слабо растет с увеличением тока, а при достижении определенного значення тока (Ib) рост концентрации с увеличением тока становится свеїрхлииеіі-ным. Если бы концентрация сверхлинейно росла с током, начиная от / = 0, то BAX не имела бы участков с ОС. Следовательно, для образования BAX S-тппа необходимо уменьшить ппжекцию носителей заряда прн малых токах через диод. Одним из способов такого уменьшения может быть шунтирование р—«-перехода резистором. При малых токах через диод сопротивление р—«-перехода велико и весь ток протекает чеірез включенные последовательно резистор и сопротивление базы. С ростом тока сопротивление р—«-перехода уменьшается, что ведет к увеличению инжекции носителей заряда в базу, уменьшению сопротивления базы и, следовательно, к росту общего тока. Одновременно с увеличением общего тока происходит перераспределение тока между резистором и р—«-переходом в сторону роста части общего тока, протекающего через р—«-переход. Это увеличивает положительную обратную связь по току и приводит к сверхлинейному уменьшению сопротивления базы с ростом тока. При больших токах сопротивление р—«-перехода много меньше сопротивления резистора и весь ток протекает через р—«-переход.
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама