Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 11

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 33 >> Следующая


Перераспределение тока между резистором и сопротивлением р—«-перехода с ростом тока эквивалентно

3-1143 33 увеличению коэффициента инжекции перехода [Iplilp + -j-/„) для «-базы). В реальных р—п-переходах роль резистора могут выполнять поверхностные каналы, рекомбинация инжектированных носителей в области объемного заряда р—«-перехода и т. д. Обычно все три рассмотренных механизма возникновения ОС (рост времени жизни и подвижности, увеличение коэффициента инжекции) действуют одновременно при определяющей роли одного из них.

В качестве S-магнитоднодов используются 5-диоды, в которых образование ОС происходит за счет роста времени жизни и подвижности, так как именно эти параметры полупроводника наиболее чувствительны к магнитному полю. Типичные BAX S-диодов в магнитном поле показаны на рис. 4.9. В первом случае (рис. 4.9,а)

Рис. 4.9. Два вида изменений BAX S-диодов к магпнтиом иоле:

магнитное поле увеличивает лишь V01 а во втором (рис. 4.9,6) увеличивается и Vn. Конструкции S-магни-тодиодов отличаются от конструкции магнитодиодов без ОС лишь материалом базы. Рассмотрим характеристики S-магнитодиодов из различных материалов.

Германий. Первые германиевые S-магнитодиоды были изготовлены из «-германия, легированного донорной примесью и компенсированного золотом [24]. Золото образует в запрещенной зоне германия четыре энергетических уровня, из которых основным для образования ОС является глубокий акцепторный уровень, расположенный на 0,2 эВ ниже зоны проводимости [7]; Электроны с мелких донорных уровней заполняют этот

34

/

в.>в >в уровень золота. При инжекции дырок из р-п-перехода они захватываются отрицательно заряженными уровнями золота. С ростом концентрации захваченных дырок отрицательный заряд уменьшается, что приводит к уменьшению сечения захвата дырок и увеличению их івремени жизни. Этот механизм может действовать, если тепловая энергия недостаточна для заброса электронов из валентной зоны на глубокие акцепторные уровни. Ширина запрещенной зоны германия невелика (0,66 эВ), поэтому глубина залегания уровней компенсирующей примеси недостаточна для действия рассмотренного механизма при комнатной температуре и ОС наблюдается лишь при низких температурах.

Поперечное магнитное поле приводит к отклонению инжектированных носителей к поверхности и уменьшению их эффективного времени жизни. Поэтому для заполнения уровней захвата необходимо увеличить нн-жекцию, т. е. напряжение на р—«-переходе и на всей структуре, что эквивалентно росту Vb. Напряжение V1, определяется сопротивлением диода при максимальном проникновении инжектированных носителей в базу. Магнитное поле уменьшает глубину проникновения носителей (Lptn), как и в обычном магнитодноде, что приводит к росту V0. На рис. 4.10 показана зависимость Va (В) для магнитодиода торцевой конструкции с W^=

= 0,25...0,3 мм;, диаметр р--п-перехода, получаемого вплав-леиием индия, 0,9 мм.

п

OA - в,т

Рис. 4.10. Зависимость напряжения включения германиевого магнитодиода от магнитной индукции

3*

Рис. 4.11. Зависимость Fo кремниевого S-магиитодиода с базой, легированной никелем, от магнит-

ной индукции

SR Германиевые S-диоды, действующие на основе из^ менения коэффициента инжекции р—«-перехода [23], могут работать при комнатной температуре, однако Vb сильно зависит от температуры,' поэтому их целесообразнее использовать в качестве датчиков температуры.

Кремний. Ширина запрещенной зоны в кремнии больше, чем в германии, поэтому имеется набор примесей, образующих глубокие уровни, глубина залегания которых достаточна для действия механизма образования ОС за счет перезарядки уровней при комнатной температуре [22].

Ma рис. 4.11 приведена зависимость остаточного напряжения 5-магнитодиода торцевой конструкции из п-кремния, компенсированного никелем до удельного сопротивления 2 кОм-см [25]. Диаметр р—«-перехода 150 м км, № = 450...660 мкм, конструкция торцевая. Мри токе 10 мЛ и комнатной температуре вольтовая магниточувствительность (по .WofAB) около 50 В/Т. С ростом магнитного поля ОС исчезает при В = 0,3...0,4 Т. При B = 0 участок ОС исчезает при 100°С.

Вольт-амперные характеристики кремниевых S-маг-нитодподов торцевой конструкции обычно относятся к показанным на рис. 4.9,«, т. е. зависимость V0 (В) является сильной, a V11(B) незначительной. К их числу относятся также 5-магпитодноды из кремния, компенсированного иридием [26] до IO5 Ом-ем (W=0,3... 1 мм, нлопцідь р—«-перехода IO"2 см2). Зависимость V0(B) является почти линейной, что обеспечивает большую чувствительность в слабых магнитных полях. Вольтовая чувствительность той же величины достигается при токе в 1 мА, а значит, у в І0 раз выше (2.9), чем у магнитодиодов, легированных никелем. Участок ОС исчезает при магнитной индукции 0,5 Т.

В кремниевых магнитодиодах BAX S-типа может возникать и при низких температурах. На рис. 4.12 показаны BAX планарных диодов, изготовленных из р-кремния с р = 30 кОм-см и №=300 мкм [27]. При комнатной температуре BAX имеют обычный вид для диодов с малой толщиной базы и незначительной магнито-чувствительностью. С понижением температуры до 4,2 К на BAX появляется участок с ОС, который растет с увеличением магнитной индукции. Причиной появления ОС может быть эффект шунтирования р—«-перехода, рассмотренный выше. При комнатной температуре прово-
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама