Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 12

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 6 7 8 9 10 11 < 12 > 13 14 15 16 17 18 .. 33 >> Следующая


36 димость шунтирующего канала мала по сравнению с проводимостью р—«-перехода и эффект шунтирования незначителен. При низких температурах проводимость

р__я-перехода становится сравнимой с проводимостью

канала и ОС образуется за счет перераспределения тока между ними. Напряжение включения увеличивается с ростоммагнитной индукции по закону

Va=Vlto-) -IV В, (4.23)

где YK = 60 В/Т; V00 = 15 В. Изменение V0 такого же порядка. От направления перпендикулярного магнитного поля BAX также не зависит, что свидетельствует о слабом влиянии поверхностных эффектов.

T=ZSZH I, мА

у, а/А-т

W'

5-Ю;

О

<У.4

О. R

Рис. 4.12. BAX кремниевого дно- Рис. 4.13. Изменение чувствн-да ti'.ilikvth S-магнитодиода из

арсенала галлия в магнитном поле при разных токах

Преимущества S-магнитодиодов эффективно проявляются в схемах переключателей, управляемых магнитным полем. Отношение тока во включенном состоянии к току в выключенном состоянии достигает 50...100. Лучше всего для переключателей подходит S-магнитодиод с сильной зависимостью Vb {В) и полярной чувствительностью к магнитному полю, т. е. магнитное поле одного направления должно увеличивать V8, а противоположного— уменьшать. Такие характеристики позволяет получить планарная конструкция диода с областью высокой рекомбинации на противоположной от контактов стороне пластины (рис. 4.3,6).

37 Арсенид галлия. Подвижность электронов в арсени-де галлия (до IO4 см2/В-с) намного выше, чем в германии и кремнии, что позволяет использовать его для создания высокочувствительных магнитоприборов. Магннтодиоды изготавливаются из материала р-типа с тем, чтобы инжектированными носителями были электроны, так как их подвижность почти на два порядка выше, чем дырок. В качестве компенсирующей примеси используются никель, железо, титан или хром. У большинства диодов BAX относятся к показанным на рис. 4.9,6, но изменение V0 в магнитном поле больше, чем изменение Vs. По сравнению с магнитодиодамп из других материалов S-диоды из арсенида галлия являются высоковольтными, т. е. при B = 0 Fb—30...150 В, a V0 «10...50 В.

На рис. 4.13 приведена зависимость чувствительности S-магнитодиода (по V0) из аїрсенида галлия с примесью никеля при комнатной температуре от магнитной индукции [28]. Диоды торцевой конструкции с IF = = 50...80 мкм, площадью р—я-перехода 5- 10~3 см';, Ln= = 1...2 мкм. При магнитной индукции около 0,5 T ОС на BAX исчезает. Достоинством является рост магинто-ч\ветвительности до IO6 В/А-T в слабых магнитных полях (в кремниевых магннтодиодах наоборот). В маг-ннтодиодах с примесью хрома [29] зависимость у(В) аналогична, но чувствительность выше (до IO8 В/А-Т), а рабочие токи меньше.

Параметры S-магнитодиодов из арсенида галлия могут быть значительно улучшены (уменьшено I0) уменьшением W, так как при Ln= 1...2 мкм основная часть базы является пассивной (действует как резистор). В настоящее время для получения малых W используется диффузионная технология. Однако в данном случае она не подходит, так как для диффузии необходимы высокие температуры, а термообработка приводит к падению удельного сопротивления материала и к уменьшению Ln и магниточувствительности. Возможным выходом из этого противоречия является применение ионного легирования.

Антимонид индия. Вследствие малой ширины запрещенной зоны (0,18 эВ) 5-магнитодиоды из антимонида индия работоспособны только при низких температурах. Однако из-за высокой подвижности электронов 38 Va,V

(77*10* см2/В-с) их магниточувствительность достаточно велика (до 5-Ю5 В/А-Т). BAX диодов относятся к показанным на рис. 4.9,6, но изменение V0 значительно выше, чем Vb- На рис. 4.14 показана зависимость V0 от В при T = 77 К в слабых магнитных полях для двух л+—/?-/?+-диодов торцевой конструкции с различными длиной базы и параметрами материала [4]. В зависимости от диаметра инжектирующего контакта /„ = 2...20 мА. Как и всегда, диод с меньшей длиной базы имеет меньшее VQ (I0 = = 2 мА). С увеличением длины базы V0 растет, но также растет и магниточувствительность

Рис. 4.14. Зависимость V0 S-магнито-дчпдои из антимоипда иидня от магнитной индукции для различных W



в слабых полях. Магниточувствительность диодов из аи-тимонида индия может быть значительно улучшена использованием планарнон конструкции с областью повышенной рекомбинации.

4.0. МАГНИТОДИОД В ПАРАЛЛЕЛЬНОМ .МАГНИТНОМ ПОЛЕ

В длинном диоде, помещенном в параллельное его оси магнитное поле, при определенных иапряженностях электрического и магнитного полей возникают колебания тока, обусловленные винтовой неустойчивостью течения электронно-дырочной плазмы [30—32]. Допустим, что в цилиндрическом стержне га-полупроводника возникла винтовая флуктуация концентрации носителей зарядов, записываемая в цилиндрических координатах как Ач---= ^' С)ехр {mt—ikr—і'/яф), где F (г) определяется граничными условиями на поверхности цилиндра; со — круговая частота; k — волновой вектор; m — номер гармоники; і= У" — 1- На рис. 4.15,а показана винтовая флуктуация для т=\, так как наилучшие условия роста выполняются для этой гармоники [32]. Электрическое поле вдоль образца разделяет винтовое возмущение положительных зарядов от возмущения отрицательных зарядов, что ведет к возникновению азимутального E9 и радиального Er электрических полей. Эти поля вместе с продольным магнитным полем вызывают появ-
Предыдущая << 1 .. 6 7 8 9 10 11 < 12 > 13 14 15 16 17 18 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама