Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 13

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 7 8 9 10 11 12 < 13 > 14 15 16 17 18 19 .. 33 >> Следующая


39 ление радиального и азимутального потоков носителей зарядов, обозначенных на рис. 4.15,6 векторами ErXB0 и EtfXB0.

Потоки носителей зарядов направлены так, что увеличивают количество носителей в месте их избытка и уменьшают в месте их недостатка, т. е. усиливают первоначальное возмущение. Одновременно происходит рассасывание возмущения за счет диффузии носителей заряда и их рекомбинации, т. е. ослабление возмущения.

, 7 /
/

Puc. 4.15. В iiftoboe возмущение концентрации ц.юнпч.-и заряда в полупроводниковом стержне для т~1 (о. б:. П> перечное Распределение концентрации для большой (<?) її малоп (г) скоростей поверхностной рекомбинации

Так как усиливающие возмущение потоки носителей растут с увеличением E0 и Ba, то существуют пороговые значения ?„0 и ?no. ниже которых возмущение ослабляется, а выше — усиливается. Для заданной величины E0 [32]

Bn0 = AIE0, (4.24)

где А определяется физическими и геометрическими параметрами полупроводника.

Любое возмущение квазинейтральной плотности носителей заряда перемещается в полупроводнике в направлении электрического поля CO скоростью ^V-IX6E, где Цб = \х„\хр (щ ¦-Ро)1(1ЫХп + т- PvlXp) — бнполярная подвижность. Если в начале образца (при

40 полях выше пороговых) подачей внешнего сигнала создать винтовое возмущение концентрации, то это возмущение будет перемещаться в направлении электрического поля н одновременно усиливаться. Кроме переноса возмущения происходит поворот спирали за счет диффузии и дрейфа носителей поперек магнитного поля.

Очевидно, длинный диод с боковыми контактами для ввода сигнала в начале образца и вывода сигнала в конце (рис. 4.16) может быть использован в качестве усилителя [32—33]. Максимальное усиление имеет место только для определенной длины волны

Вход Выход

Рис. 4.16. Структура усилителя [_1

винтовых волн + о-ё ~п к-

/7 T-------Г

---J-rr^

/р, так как для больших длни волн мало разделение зарядов, а для малых эффекты диффузии и рекомбинации сглаживают возмущение. Для полупроводника с проводимостью, близкой к собственной [32J, соответствующая резонансная частота

/р = - 2OmD(> (а„ - :V) ?/9-а2. (4.25)

Таким образом, при введении в образец винтового возмущения его амплитуда в любой точке образца изменяется со временем под воздействием трех факторов: описанного механизма роста возмещения, диффузии и рекомбинации и биполярного дрейфа вдоль обранці. Если рост возмущения превышает диффузию (рекомбинацией пренебрегаем), то возникает спиральная волка плотности постелей заряда, растущая в направлении биполярного дрейфа. Такая нестабильность течения электронно-дырочной плазмы относится к классу конвективных [32, 63].

Прп малых скоростях биполярного дрейфа (или при очень сильном росте волны) возмущение концентрации в данной точке может расти быстрее, чем о1го уменьшается за счет диффузии и дрейфа. В этом случае нестабильность абсолютна, т. е. происходит самопроизвольный рост возмущения. Режим абсолютной неустойчиво-CIii проте всего получить, увеличивая В, так как при этом усиливается рост винтового возмущения, а скорость дрейфа не меняется. При работе в режиме абсолютной неустойчивости длинный диод может быть использован в качестве генератора. Термин «неустойчивость» используется при описании рассматриваемого эффекта, чтобы подчеркнуть нарушение стационарного течения электронно-дырочной плазмы в полупроводнике. Сама же неустойчивость является вполне стабильной во времени, что и позволяет создавать на ее основе различные приборы ГЗЗ].

Возникновение абсолютной неустойчивости можно пояснить следующим образом. При наиряженностях электрического и магнитного полей ниже пороговых [определяемых {4.24)], внешнее винтовое возмущение, введенное в полупроводник, ослабляется, а при полях выше пороговых — усиливается. Дальнейшее увеличение напряженности полей приводит к увеличению коэффициента усиления, и при некоторых критических значениях Якр и Вк? такой усилитель самовозбуждается и работает как генератор. Частота гене-

41 рации, очевидно, равиа резонансной ,частоте усилителя (4.25). Значения ЕКр н ?Kp определяются аналогичной (4.24) формулой, но с большим постоянным коэффициентом.

Пороговые и критические напряженности полей уменьшаются с приближением проводимости базы диода к собственной (рис. 4.17). Это обусловлено уменьшением коэффициента А в (4.24) при п->-р.

В реальном длинном диоде концентрация инжектированных носителей уменьшается при удалении от инжектирующего контакта. Следовательно, проводимость электронно-дырочной плазмы наиболее близка с собственной (п—р) у р-контакта, и величины Екр и Вкр для этой части полупроводника наименьшие. Поэтому при увеличении E и В абсолютная неустойчивость (генерация) возникает вблизи р-контакта [33]. Остальная часть образца, примыкающая к «-контакту, является усилителем винтового возмущения, возникающего у р-контакта. Усиленный сигнал можно снимать с выходных зондов образца (рис. 4.16). Перераспределение концентрации носителей заряда по сечению образца, возникающее при образовании винтовой волны, не может привести к изменению тока через образец, так как суммарная концентрация носителей заряда в каждом сечении не изменяется. Колебания тока через образец [34, 35] возникают лишь при наличии поперечного градиента в распределении концентрации носителей заряда. Такой градиент можно иолучи'п. бокової! подсветкой образца, пз'.генеипем состояния но-ш-рхно, . ,1, IKM дейс] пнем поперечною магнитного поля и т. д
Предыдущая << 1 .. 7 8 9 10 11 12 < 13 > 14 15 16 17 18 19 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама