Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 14

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 8 9 10 11 12 13 < 14 > 15 16 17 18 19 20 .. 33 >> Следующая




Рис. 4.17. Зависимость Рис. 4.18. Зависимость напряжения на

критических значений зондах V3 и колебаний тока через обра-

напряженности электри- зец Vff от угла между осью образца

ческого поля н магнит- „ направлением магнитного поля при нон индукции от о ?=40 Вд,м и ? = o,74 T

На рис. 4.18 показана зависимость колебаний напряжения на выходных зондах (в режиме генерации) н колебаний тока через образец от угла между осью образца и направлением магнитного поля ф. Колебания тока наблюдались на нагрузочном резисторе, включенном последовательно с образцом. Образцы изготавливались из п-германия с р = 40 Ом-см. В соответствии с изложенным выше колебания напряжения на зондах в режиме генерации максималь-42 ны при ф=0. Колебания тока при этом отсутствуют. При отклонении och образца от направления магнитного поля появляется поперечная составляющая В, что приводит к возникновению колебаний тока. При больших углах происходит срыв винтовых волн, а соответственно и уменьшение колебаний до нуля. Значения углов срыва существенно зависят от конфигурации образцов [35]. Отсутствие колебаний тока при (р-=0 наблюдается только в симметричных в поперечном сечении образцах, ось которых при использовании германия ориентирована в направлении [111]. Как видно из рис. 4.18, исчезновение колебаний тока при ф=0 можно использовать для точной ориентации образца параллельно магнитному полю.

5. Однопереходные магнитотранзисторы

5.1. ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Однопереходнои транзистор (ОПТ), ранее называемы» двухразовым диодом пли нитевидным транзистором, состоит из стержня полупроводника с омическими контактами па концах и р—л-переходом между ними (рис. 5.1,а). Любой ОПТ может быть использован в кн-

/Дп



^_jJ

Ї

; о*



п) 6)

Рис. 5.1. Схема включення ОПТ (а) и его входная BAX (б)

честве магниточувствительного прибора, но в специальных конструкциях чувствительность, естественно, выше.

Пусть к базам ОПТ приложено напряжение Vr66. Будем считать эмиттер точечным, тогда падение напіря-

43 жения на нижней части базы (длиной Z1) и на р—«-переходе

Vi = ^66Z1AZ1 + /,), Vp,„ =Vt-Vi. (5 1), (5.2)

При увеличении V3 в интервале 0 < 1/, < K1 Vp,„ <0 и через р—«-переход протекает малый обратный ток Iitac. При V3 = Vi напряжение на р—«-переходе равно нулю, однако это состояние равновесия является неустойчивым. Вследствие различных флуктуаций, например тепловых, сопротивление нижней части базы может оказаться немного меньше своего стационарного значения. Напряжение Vi при этом также уменьшится, что приведет к тому, что V3 станет больше Vi, эмиттерный переход окажется включенным із прямом направлении и будет инжектировать в базу дырки.

Под действием электрического поля в базе, создаваемого напряжением V66, инжектированные дырки уносятся в нижнюю часть базы, вследствие чего ее сопротивление еще больше уменьшается. Уменьшение сопротивления нижней части базы приводит к дальнейшему уменьшению напряжения Vi и увеличению Vp,,, в результате чего ннжекция носи гелей и ток через р—-ч-переход продолжают расти. Такой самоускоряющинся процесс приводит к лавинному нарастанию тока через р—«-переход и уменьшению падения напряжения на последовательно включенных сопротивлениях р—«-перехода и нижней части базы (нагрузочный резистор во входной цепи должен быть больше входного сопротивления ОПТ). Таким осіразом, входная характеристика ОПТ (рис. 5.1,о) относится к 5-тип\'. Ее существенным отличием от аналогичных характеристик других приборов, например S-диода (рис. 4.8), является то, что включение эмиттера происходит при практически пулевых токах эмиттера.

При отключенном Убб входная BAX определяется теми же соотношениями, что и в диоде с длинной базой. При включенном V66 межбазовый ток Z66 в нижней части базы суммируется с эмиттерным током, а

V3 - Vp, п -г V1 = Vp,п -!- (I3 +I66) Ri = = VP.n f (4 + /бб)/'°о [1 + (/,ЛИ (5.3)

где Ri — сопротивление нижней части базы длиной Ii, определяемое так же, как для диода (4.21). Дифференциальное сопротивление эмиттерной цепи

4 Г ckT

<7 (4+/нас)

+

. 1+ [і-X (/. + /??)//,KWt (5 4v

»о [і + (4/W

Для получения отрицательного сопротивления необходимо выполнение условия

Х(/,+ /«)//.> 1. (5-5)

которое достигается увеличением I6O- Следовательно, в отличие от 5-диода условие сверхлинейного роста проводимости базы с увеличением тока для ОПТ не требуется и для его изготовления может быть использован любой полупроводник с большим значением Lptn например германий или кремний.

Точка включения (Vu) не обязательно может быть расположена на осп V3 при /э =0 [7]. Например, в кірманиевьіх ОПТ из материала с проводимостью, близкой к собственной, при обратном напряжении па эмиттере происходит экстракция носителей из базы, поэтому ее сопротивление увеличивается и Vb Vb повышаются, а точка включения эмиттера г смещается в область отрицательных токов (рис. 5.2). В кремниевых ОПТ в эмитентом токе велика составляющая, обусловленная ре-іччмбннаннеіі носителей в области объемного заряда /J--«-перехода її не связанная с инжекцпей носителей а базу. Поэтому при малых юках эмиттера модуляция сопротивления базы ОПТ невелика и точка включения смещается в область положительных К (рис. 5.3).
Предыдущая << 1 .. 8 9 10 11 12 13 < 14 > 15 16 17 18 19 20 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама