Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 15

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 33 >> Следующая


- I 0 B-OJ1T
- f S7 f J / L V 1
Vj


Рис. 5.2. Влияние магнитной индукции на BAX германиевого ОПТ

Так как эмиттер с модулируемой частью базы подобен длинному диоду, то поперечное магнитное поле также будет приводить к отклонению инжектированных носителей к стенкам базы /ь уменьшению Lp и глубины модуляции сопротивления Rx. При работе в режиме постоянного Vr66 (/?б < Ru рнс. 5.1) напряжение включения

45 ОПТ определяется его геометрическими размерами (5.1) и не зависит от напряженности магнитного поля. Остаточное напряжение увеличивается так же, как и у магнитодиода.

В режиме постоянного /бб(#б^>Яі) Vb = Z66Ri0 (Rio = ph/S — исходное сопротивление нижней части базы .при отсутствии инжекции из эмиттера) и с ростом напряженности магнитного поля увеличивается вследствие уменьшения подвижности основных носителей заряда и роста R10. Значительно сильнее в поперечном

Рис. 5.3. BAX кремниевого ОПТ в магнитном поле направления — В

магнитном поле увеличивается остаточное напряжение, так как его рост обусловлен увеличением R1 за счет одновременного уменьшения подвижности и Lp. При />/0 влияние магнитного поля на входную BAX такое же, как и в магнитодиоде. На рис. 5.2 приведены BAX ОПТ из л-германия с р = 40 Ом-см, li = lz = 2 мм, IJLP>1 [36].

Рассмотренная выше структура ОПТ (рис. 5.1) называется стержневой. Она может изготовляться как методом вплавления контактов в стержень полупроводника, так и планарным методом. В настоящее время 46 промышленные ОПТ изготавливаются только из кремния, поскольку приборы из германия работают в меньшем диапазоне температур, а у других материалов Lp, „ недостаточна для работы ОПТ. На рис. 5.3 показаны BAX в магнитном поле промышленного ОПТ типа KTl 17 кубической структуры из я-кремния с р = ==200 Ом-см. Магниточувствительность (2.9) на участке отрицательного сопротивления (например, при /„ = = 4 мА) достигает 5-IO3 В/АТ, т. е. почти равна маг-ннточувствительности промышленных кремниевых маг-нпгодиодов, хотя указанные ОПТ разрабатывались для других целей. Сопротивление модулируемой части базы кубических ОПТ, а соответственно и напряжение включения определяются сопротивлением растекания базового контакта 61

Rio = РМ; (5.6)

где d — диаметр контакта. При отсутствии магнитного ноля часть BAX с отрицательным сопротивлением состоит из прех участков: а, Ь, с, средний из которых b имеет наименьшее отрицательное дифференциальное сопротивление. Подобная BAX наблюдается и у ОПТ планарной структуры [37].

В магнитном поле длина участка b растет (в направлении оси тока), а дифференциальное сопротивление на нем приближается к нулю. Такой вид BAX может быть связан с тем, что на участках a, b происходит и основном модуляция инжектированными носителями сопротивления объема базы, а на участке с — сопротивления приконтактной области 61. В этом случае уменьшение дифференциального сопротивления на участке b связано с уменьшением L в электрическом поле базы, которое уменьшается вследствие уменьшения R1 (а также Vi) при инжекции. С ростом индукции магнитного поля меньше носителей доходит до контакта 61, поэтому модуляция его сопротивления начинается при больших токах и участок с смещается вверх.

По аналогии с магнитодиодом увеличить зависимость Lp от В, а следовательно, и V0 от В можно созданием в нижней части базы области с высокой скоростью рекомбинации. По тем же причинам (§ 4.2) ее целесообразно располагать на противоположной от эмиттера стороне базы. Технологически проще эту область создавать на всей поверхности (рис. 5.4,а). В

47 кремниевых пленарных ОПТ такой конструкции (база р-типа, р=10...20 кОм-см, Z1 = I мм, I2 = 0,7 мм, контакты 0,5-0,5 мм2) магниточувствительность достигает по IZ0IO4 В/АТ и по Kb 5-IO3 В/АТ (см. рис. 5.5) [37].

Рис. 5.4. Структура ОПТ с Рис. 5.5. Зависимость напряжения областью высокой рекомбина- включення и остаточного иапряже.

Еслн необходимо, чтобы основным зависящим от индукции магнитного поля параметром было напряжение включения ОПТ, применяется структура, приведенная па рис. 5.4,6. В качестве верхнего контакта к базе используется р—«-переход, включенный в прямом направлении. Инжектируемые этим р—/г-нереходом носители уменьшают исходное сопротивление нижней часта базы и соответственно напряжение включения. Если под действием поперечного магнитного поля поток инжектированных верхним контактом 62 носителей отклоняется в сторону области с высокой скоростью рекомбинации, то концентрация носителей в нижней части базы уменьшается, а ее сопротивление Riq и напряжение включения увеличиваются (в режиме постоянного /де). При обратном направлении магнитного поля напряжение включения уменьшается.

5.2. ДЕЙСТВИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА АМПЛИТУДУ И ЧАСТОТУ ГЕНЕРАТОРА НА ОПТ

В качестве магнитоприбора может быть использован генератор на ОПТ. Наиболее широко в настоящее время ОПТ применяются а генераторах релаксационных колебаний (рис. 5.6). В кремниевых ОПТ точка включения на BAX расположена при положительных токах эмиттера (рис. 5.3), поэтому для вывода рабочей точки иа
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама