Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 16

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 33 >> Следующая


-0,Z О 0,2 BJ

цни

пня кремниевого планарного ОПТ от магнитной индукции: Уб.=о,п мл, /э=2 мА

48 участок с отрицательным сопротивлением через эмиттер пропускается прямой ток (через сопротивление R3). Форма колебаний напряжения на эмиттере пилообразная. На нарастающем участке «пилы» конденсатор заряжается через R3 (эмиттер обратно смещен), а на падающем участке разряжается через эмиттер и сопротивление модулируемой части базы Rt (эмиттер прямо смещен). При достаточно большой емкости конденсатора время заряда много больше времени разряда н период колебаний определяется временем заряда i3

T ^t3 = RtClnUE-V0)I{E—Vb)]. (5.7)

Максимальная амплитуда колебаний напряжения на эмнттере

Vh-V0. (5.8)

Как следует из (5.7) и (5.8), изменение Vb и V0 в магнитном поле приводит к изменению амплитуды и частоты колебаний. При этом п зависимости от С, Ra и используемого ОПТ возможны различные зависимости V7k J1 f от В. Например, при использовании OIIT типа KTl 17 V0 и Vb почти одинаково растут в магнитном поле, поэтому (поп больших С) T н Vli слабо изменяются в магнитном поле. Уменьшив С, можно спиніть разрядный ток до 4 мЛ (рнс. 5.3), Koria напряжение, до которого разряжается конденсатор, резко увеличивается в маї-шпном поле. В соответствии с (5.7) частота колебаний б\дст расти в магнитном поле. С другой стороны, емкость можно умеиычить настолько, что нремя заряда tp станет сравнимым с временем заряда конденсатора. В мапштпом поле tр увеличивается (in-за увеличения Ri), что при- ных колебаний на ОПТ води г к уменьшению частоты колебаний.

Магниточувствительность при работе ОПТ в режиме релаксационного генератора не выше, чем нрн работе на постоянном токе, поэтому такой режим целесообразен лишь в том случае, если с датчика необходимо получить переменный сигнал.

Высокая магниточувствительность может быть получена при работе ОПТ в режиме генерации гармонических колебаний. Наиболее просто такой режим осуществляется в германиевом ОПТ [38], так как рабочая точка на его BAX уже находится на участке ОС при /э=0. Для создания генератора к ОПТ достаточно подключить конденсатор (рнс. 5.7). Его емкость должна быть невелика, чтобы при заряде н разряде конденсатора значение тока не выходило за пределы участка с ОС. Тогда период колебаний 7 о+ где — внутренняя индуктивность ОПТ [39].

Если поперечное магнитное поле направлено так, что отклоняет инжектированные носители от стенки базы, на которой расположен эмиттер, то длина пути инжектированных носителей увеличивается, а это эквивалентно увеличению эффективной длины базы. Одновременно увеличивается эффективное время жизни за счет уменьшения «ииаВД„ на поверхности. Обе эти причины приводят к ро-

4-1143 49

ратора релаксацнон- Если значение емкости такого, что амплитуда колебаний Ve меньше максимальной, то Vk ^ 2?. Следовательно, рост в магнитном поле приводит к увеличению амплитуды гармонических колебаний. К аналогичному росту Vk может приводить и увеличе-дне наклона BAX на участке ОС [рост Ra (5.4)].

Рис. 5.7. Зависимость амплитуды колебаний в генераторе на ОПТ

от магнитной индукции: а- для различных I6б, C=O1Ol мкФ; б —для различных С,

h б=2 мА

IIa рнс. 5.7 приведены примеры экспериментальных зависимостей амплитуды гармонических колебаний от индукции магнитного поля, увеличивающего 5? и R1. Использовался ОПТ стержневой структуры из л-германни с р —40 Ом-см, размерами ІХІХ5 мм, L-Lp= 2 мм. Значение максимальной магниточувствительности, определенной из этих зависимостей, около IO4 В/А-Т. При увеличении емкости колебания становятся релаксационными, следовательно, амплитуда определяется только длиной участка отрицательного сопротивления н магниточувствительность уменьшается.

6. Биполярные магнитотранзисторы

6.1. ИЗМЕНЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

Рассмотрим влияние магнитного поля на характеристики биполярного транзистора. На рис. 6.1 показана структура обычного биполярного р—п—р-транзистора с тонкой базой (W^Lp). Непрерывной линией указаны траектории движения инжектировании* дырок при отсутствии магнитного поля. Включение поперечиогС магнитного поля приводит к искривлению траекторий движения инжектированных эмиттером носителей заряда (штриховые линии) Так как обычно Ik—/э»0,1 мм, а И7о=10...30 мкм, то при мальй напряжениостях магнитного поля практически все прошедшие чере»

50

О

OA в,T

S)

0,8 BJ базу дырки попадают в коллектор. Таким образом, можно, как. обычно, считать, что в этом случае магнитное поле приводит лишь-к уменьшению эффективной подвижности носителей заряда в направлении от эмиттера к коллектору. Более наглядно представить, что магнитное поле увеличивает эффективную толщину базы

lv,u'. (5.1. Структура обычного транзистора (а), транзистора с увеличенной толщиной базы (г7) п пленарного магннтотранзистора (S) с областью высокой скорости рекомбинации

W, я подвижность при этом не меняется. Тогда можно пользоваться общеизвестными формулами для биполярного транзистора, подставляя вместо геометрической толщины базы ее эффективное значение. Как видно из рис. 6.1,
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама