Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 17

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 20 21 22 23 .. 33 >> Следующая


W=W0Icoso (6.1)

где if—угол Холла. Подставив значение косинуса из (1.11), получим

W=W0lV-OtSp3B*). (6.2)

Используя (6.2), для коэффициента передачи по току в схеме с общей базой для р—л—р-транзнстора, получим

A-I Ч rV і (wA2 1 ~

^6-1 -тIT;) = 1 - (тг)-*=^* ~

-Y("TlW(6'3)

Подставив L2p = Dpxp = \>.pxpkT\q, получим

K6 = h2UO-0,O^qW^IkTzpt где h2i6O = fi2l6\B~0. (6.4)

Так как Ik = /г216I3, то при постоянных I3 и V lt изменение магнитной индукцнн приводит к изменению /к. Поскольку биполярный транзистор является прибором, управляемым током, то для ¦оценки магииточувствительиых свойств необходимо использоватм токовую магниточувствительность (4.16). В схеме с общей базой

д/к dfiM q W20

^ = i^b -Щ ¦ (6'5>

В схеме с общим эмиттером коэффициент передачи по току

I- <6-6>

Подставляя (6.2), получаем

Ihl, = 2 )2 (1 - Ж Ihia0 - 2^Bi-Щ, (6.7)

считая ]ipB4/4<.l. Так как/к = Zi213Z6. то

dL dh9i3 A7V

На основе формул (6.5) и (6.8) можно сделать следующие ны-во (ы. Поскольку подвижность электронов всегда больше подвижности дырок, то магппточувст внтелыюсть п—р—п-транлісторон выше, чем р—/і—р-траншеторов. В настоящее время транзисторы изготавливаются только ні германия и кремния. Подвижность носителей заряда н германии выше, чем в крс\пши. следовательно, германиевые траншеторы более магннточувствнтельны. Магниточувствительность в схеме с общим эмиттером значительно выше, чем в с\еме с общей базой, так как

-,'/э/Т/б = 4/й/.;/э1^> 1. (6.9)

Рассмотрим влияние толщины базы на магниточувствительность транзисторов. Для этого можно, например, использовать ту же конструкцию транзистора, но с увеличенной толщиной базы Wo (рис. 6.1). За счет диффузии поток инжектированных носителей на тти к коллектору расширяется. Геометрические размеры эмиттера и коллектора выбираются из условия, что величина расширения равна разнице размеров коллектора и эмиттера и все носители попадают в коллектор

Ik = I3 2\V0. (6.10)

Магнитное поле искривляет траектории движения инжектированных носителей так, что часть носителей, ранее попадавшая в коллектор, отклоняется от него. Следовательно, магнитное поле уменьшает эффективную площадь коллектора н

/. = W. (/,-А/)//«. (6.11)

Как видно из рис. 6.1,6

д/ UVgcp= W0PpB (6.12!

[подставлено значение тангенса из (1.7)]. Тогда

/к = A216Z3 (1 -I^pB W0/lK) = h'2l6/3. (6.13)

.52 Таким образом, можио считать, что в рассмотренной структуре транзистора магнитное поле приводит к дополнительному уменьшению коэффициента передачи по току за счет отклонения инжекти-оованиых носителей от коллектора. Этот эффект увеличивается с уменьшением Ik и /э [при сохранении соотношения (6.10)]. Из (6 13) и (6.4), пренебрегая членом n3?3, получаем

( W0 \ ( W0

л;|б = A81б 11 — v-pb —j— j ^ Л2.бо (і — VpB—

VpB2

2кТхй

(6.14)

-1

Подставив (6.14) в (6.6), определим

где Л21э определяется из (6.7). При Л2, =,;^/?W117К < 1 (6.15) можно записать в виде

= - VpB^-) (і -wt° у (6.16)

Из приведенных формул ВИДНО, ЧТО изменение 21 б э В магнпт" ном поле в струкіуре, показанной на рис. 6.1,6, больше, чем в структуре на рис. 6.1,а. Для того чтобы отклоняемые магнитным полем в базу носители заряда пе накапливались в иен, необходимо, чтобы скорость их рекомбинации на поверхности вблизи коллектора была высокой.

Наибольшая магниточувствительность может быть получена п схеме с общим эмиттером и отключенной базой. Это связано с тем. что при подключенной базе в ней имеется электрическое поле, направленное от эмиттера к базовому контакту (вследствие протека-Imя базового тока). Это иоле выносит часть инжектированных носителей из активного объема базы (особенно при больших W''„). и уменьшается коэффициент передачи, а соответственно и магниточувствительность. В схеме с отключенной базой электрическое поле в базе направлено от эмиттера к коллектору, и этот эффект отсутствует. Ток через транзистор при отключенной базе

Подставив в

тока от

/ = W(I-A216). (6.17)

ив в (6.17) значение Л2іб нз (6.14), получим зависимость магнитной индукции. Для малых В она определяется как

/-Wl+Wl -VS Wi)]. (6.18)

г-1е f кбо — обратный ток коллекторного р—я-перехода при отключенном эмиттере.

53 6.2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

Влияние поперечного магнитного поля на коэфф* циент передачи тока германиевых сплавных транзиств ров исследовалось в работе [40]. В соответствии с иц ложенным выше магниточувствительность оказалас! максимальной в схеме с общим эмиттером и отключен ной базой при выполнении соотношения (6.10) межді размерами электродов транзистора. Если W0 меныщ оптимального значения, то ширина потока инжектира ванных носителей меньше ширины коллектора и маг питное поле приводит лишь к перераспределению носи телей в пределах коллектора, т. е. эффективная пла

щадь коллектора не меняет

1,м н А

VS0=1JO

ея. При W0t большем опти мального, поток инжектира ванных носителей шире кол лектора. Поэтому влиян» магнитного поля приводи лишь к тому, что коллекто ром «выхватываются» раз личные части этого потока т. е. эффективная площад: коллектора не меняется.
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 20 21 22 23 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама