Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 18

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 12 13 14 15 16 17 < 18 > 19 20 21 22 23 24 .. 33 >> Следующая


,Рис. 6.2. В,'iiiuiiat индукции ма| ' . питного поля на ток транзистор!

J - включенного по схеме с отключен

Iioii базой при К=2,5 В

На рис. 6.2 приведены зависимости Ik(B) для траЯ зисторов из л-гермаиия с р=10 Ом-см, Zs = O,7 мм, Zk=* = 0,8 мм. Как отмечалось выше, эффект отклонения магнитном поле инжектированных носителей от кол лектора в базу тем значительнее влияет на магниточуі ствительность, чем меньше /к. Этот вывод был проверё на партии тех же транзисторов, но с различным диамеї ром коллектора. При этом всегда выполнялось условЯ (6.10) за счет аналогичного изменения диаметра эми^ тера.

Как видно из рис. 6.3, магниточувствительность pal тет с уменьшением диаметра коллектора. Это объЯ няется тем, что носители, движущиеся от эмиттера коллектору, в центральной части базы не могут вый*

54 за пределы коллектора, а следовательно, мал их вклад в магниточувствительность. Уменьшение размеров эмит-тера и коллектора увеличивает относительный вклад тока по краям коллектора в общий ток, соответственно ¦растет и магниточувствительность.

Для увеличения пропускаемого через транзистор тока можно увеличивать размеры эмиттера и коллектора в направлении, параллельном направлению магнитного поля (рис. 6.1).

Рис. б.З. Зависимость магниточув-спігігельности транзисторов от дна-метра коллектора в схеме с отключенной базой

ln.fi»

Из изложенного можно сформулировать следующие \словия, необходимые для достижения максимальной магниточувствителыюсти. Магнитное поле должно быть направлено перпендикулярно движению инжектированных носителей заряда от эмиттера к коллектору; необходимо максимально уменьшать размеры коллектора и эмиттера в направлении, перпендикулярном направлению магнитного поля и движению инжектированных носителей (рис. 6.1); размеры эмиттера, коллектора и базы должны удовлетворять соотношению (6.10); магниточувствительность максимальна в схеме с общим эмиттером и отключенной базой.

Что касается выбора оптимального материала для создания магнитотранзисторов, то здесь однозначного ответа нет. Вследствие большей подвижности носителей заряда германиевые транзисторы более магниточувст-вительны, чем кремниевые, однако кремниевые транзисторы более термостабильны при температурах выше 0"С (особенно в схеме с отключенной базой). Высокой магниточувствительностью обладают также транзисторы из антимонида индия, но они работоспособны только при температурах около 77 К.

Следует отметить, что в кремниевых транзисторах 'кбо во много раз меньше, чем в германиевых. Поэтому Для того, чтобы в схеме с отключенной базой через транзистор протекал достаточный ток, в коллектор необходимо вводить шунтирующие р—я-переход каналы.

55 Наименьшие размеры эмиттера и коллектора в напран леиии, перпендикулярном движению носителей заряда и магнитному полю, можно получить в пленарной конст« рукции магнитотранзистора (рис. 6.1,в), аналогично! планарной конструкции магнитодиода (рис. 4.3,6). В данном случае этот размер равен глубине диффузии р—я-переходов, которая может составлять 1...2 мкм Так же, как и в магнитодиоде, действие магнитного поля направления +В приводит здесь к уменьшению эффективной длины базы и уменьшению рекомбинации инжектированных носителей на нижней поверхности базы (скорость рекомбинации на ней должна быть много больше, чем на верхней поверхности). Поскольку ток через транзистор с отключенной базой гораздо сильнее зависит от длины базы, чем ток диода, то магниточувствительность должна быть выше. Как отмечалось в § 4.4, промышленный магнитодиод КД304 имеет симметричную ВЛХ при обеих полярностях напряжения» так как оба контакта представляют собой зашунтпро-ванные р—/7-переходы. Следовательно, его, с одной стороны, можно рассматривать как диод с высокоомным омическим контактом, а с другой — как транзистор с зашунтированным коллектором. Электрические характеристики таких транзисторов рассмотрены в [41].

В некоторых конструкциях мапштотранзнсторов используется также эффект Холла [42]. Например, если в транзисторе, показанном на рпс. 6.1,6, выводы базы, разделить и пропускать через них ток от отдельного источника, то в базе возникнет ЭДС Холла, При соответствующем выборе направления тока холловскоеэлектрическое поле может быть направлено от коллектора к эмиттеру, т. е. навстречу потоку инжектированных и» эмиттера дырок. Это приводит к дополнительному уменьшению ft2,6 в поперечном магнитном поле и увеличению магниточувствительностн.

7. Двухколлекторные магнитотранзисторы

7.1. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ И МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ

Первые двухколлекторные магнитотранзисторы (ДМТ) представляли собой обычные транзисторы [43]

56 коллектор в которых разделен на две части (рис. 7.1). Оценим их чувствительность.

Без магнитного поля половина инжектированных носителей попадает в Один коллектор, а половина — в другой (на рис. 7.1 траектории движения показаны непрерывными линиями! Поэтому в схеме с общей о а зой

Рис. 7.1. Структура транзистора с коллектором, разделенным на две части

/к.=0,5Л216Д. /„2 = 0 5 Л216/Э, (7.1)
Предыдущая << 1 .. 12 13 14 15 16 17 < 18 > 19 20 21 22 23 24 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама