Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 19

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 13 14 15 16 17 18 < 19 > 20 21 22 23 24 25 .. 33 >> Следующая


где /г21 б—суммарный коэффициент передачи тока (при соединенных коллекторах). Под действием магнитного поля инжектированные носители отклоняются от одною коллектора к другому, например (штриховые линии на рис. 7.1) от первого к втором V-. Соответственно эффективная площадь первого коллектора уменьшается, а второго увеличивается на величину, пропорциональную M (6.12)', и

Zk-I = 0,5Л215/э (1 — \i.B W70 /),

/„о = 0,5//216/э(1 - 'j-BW/l), (7.2)

где 1~0,Ыэ + \\0 — часть коллектора, через которую проходит его основной ток в отсутствие магнитного ноля (шириной зазора между коллекторами пренебрегают). Так как /к = /к, - - /к2 = Л2>э/б> то аналогичное (7.2) соотношение можно записать н для схемы с общим эмиттером

/кі=0,5А2із/6 (1 — [I-BW0lI), /к2=0,5Л21э/6 (1+.1A Uv0,7). (7.3)

Зависимость суммарного коэффициента передачи тока от В за счет увеличения эффективной толщины базы определяется так же, как в магнитотранзисторе с одним коллектором (6.7). Поэтому (7.3) запишем как

/К1=Oi5Z1A1m -a,.** -^Vfi—A-V

V 0,513 +W0)

(7.4)

Zk2 = O SlJh g.,3 Р2 ft74Vi і ^bw* \

6I 2iso J-

57 В формулы (7.1) — (7.4) входят подвижность и врем, жизни инжектированных носителей в базе ДМТ. Kai следует из (7.4), увеличение эффективной толщины ба зы за счет искривления траектории движения неоснов ных носителей приводит к дополнительному уменьше нию тока в первом коллекторе и к меньшему увеличе НИЮ тока ВО BTOpOM коллекторе.



г

Vs 1
як і ¦е
--


Рис. 7.2. Схема включения ДМТ

S)

Ряс. 7.3. Структура ДМТ с вертикальными коллекторами (о) и схема для расчета характеристик (б)

Двухколлекторньщ магнитотраизистор с подключенными нагрузочными резисторами (рис. 7.2) представляв ст собой но существу мостовую схему. В отсутствие магнитного поля токи через оба резистора R равны Я напряжение между двумя коллекторами V=O. Включе ние магнитного поля увеличивает ток одного коллекто ра и уменьшает ток другого, что приводит к разбаланс| моста:

V = R(Ik2 - /„)<

2!э0 "

2а 3?2

kT'.

hpBRWo т {7 щ

qW0 j 0,5/. + V70

Как видно из этой формулы, изменение эффективно» толщины базы (разность в скобе) и перераспределена инжектированных носителей между коллекторами (ос тальные сомножители) приводят к противоположном] изменению выходного напряжения в зависимости Oi магнитного поля, что снижает магннточувствительноеп ДМТ.

Этот недостаток устранен в структуре ДМТ, пока занной на рис. 7.3. Магнитное поле здесь также пер€ распределяет инжектированные носители из одног коллектора в другой. Одновременно оно уменьшает э<| 58 фективную длину базы в той части транзистора, где ток коллектора (к2) увеличивается, и увеличивает в той части, где ток коллектора (к1) уменьшается. Все это приводит к дополнительному увеличению тока коллектора к2 и уменьшению тока коллектора тсі. Следовательно, в данной конструкции ДМТ эффект изменения эффективной длины базы и эффект перераспределения носителей между коллекторами действуют совместно, что увеличивает магниточувствительность [44, 45].

Оценим влияние магнитного поля на эффективную длину базы. На рис. 7.3,6 показана часть базы, примыкающая к коллектору к2. Траектории движения носителей в магнитном поле W2 и без него W0 будем считать для простоты прямыми, эмиттер точечным, а угол Ф есть угол Холла. Инжектированные в базу носители движутся вдоль нее со скоростью u = iiE (считаем скорость дрейфа в направлении у много больше скорости диффузии). Одновременно они диффундируют в поперечном направлении л: и попадают в коллектор через время диффузии Tsx = Cpj (2D). В направлении у они проходят за это время расстояние

h = ъ-Тд = u?a2/(2D) = qcPE'X2k Т). (7.6)

Как следует из геометрических соображений (см. ірис. 7.3,6),

W2 = W0 [cos О (h tg s/a 4- I)]"1. (7.7)

Нспользхя (1.7)-(1.10) и (7.6), получаем

Ws = WuIl + E[i.Baqj2kT\-x (1 —0,5|х25-)-1. (7.8)

Для левой части базы выполняется аналогичное соотношение, но W0 и W меняются местами:

W1 = W0[l + E^Baq;2kT](\ - 0,5^52). (7.9)

В транзисторах с длинной базой при достаточно сильном электрическом поле в базе [E^>kT/qLp] [46]

А2іб~ exP I— Wjv-E-Z].

Разложив экспоненту в ряд, получим h21э<-л E/W.

Процесс перераспределения инжектированных носителей между коллекторами в рассматриваемой структуре ДМТ подобен перераспределению носителей в струк-

59 туїре на рис. 7.1, и его можно характеризовать теми формулами (7.2). Тогда на основании (7.3) запишем

,л, E 1 -vBWujl

IT0 (1 + EpBaq?kT) (1 - 0,5^52)

(7.10

A,twS{ + ^s ж)(1-°'vs,)(1+fSTt-)

где A — постоянный коэффициент, зависящий от геомец рнческих размеров и электрофизических параметров материала. В данном случае инжектированные носите ли пролетают базу в основном за счет дрейфа в элек трнческом поле, поэтому диффузионное расширение по тока носителей меньше, чем в ДМТ на рис. 7.1, и ве личина I также меньше определенной в (7.2). Она mq жет быть записана в виде

I = 0,5/, -f- V^DW0IpE .

При работе ДМТ в схеме датчика магнитного полі (ірис. 7.2) на основании (7.5) и (7.10) напряжение меж-ду коллекторами
Предыдущая << 1 .. 13 14 15 16 17 18 < 19 > 20 21 22 23 24 25 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама