Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 20

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 14 15 16 17 18 19 < 20 > 21 22 23 24 25 26 .. 33 >> Следующая


V = ARl6 Е

W0

1 4- Е*В 1(1— 0,5|х252) X 2 kT

ii?W0\ 1 I1B WbII

I I (1 Ev-Baq 2kT){l — O.S^?2)

.(7.11)

Из сравнения двух рассмотренных типов ДМТ видно, что они отличаются тем, что в одном коллекторь расположены горизонтально относительно плоскості эмиттера (рис. 7.1), а в другом — вертикально (рис. 7.3). В ДМТ с горизонтальными коллекторам! действует только эффект перераспределения носителе! между коллекторами, а в ДМТ с вертикальными кол лектдрами добавляется еще и эффект изменения эффек тивного расстояния между эмиттером и коллекторами вследствие чего их магниточувствительность выше [см (7.5) и (7.11)].

В обоих конструкциях ДМТ магниточувствитель ность должна расти с уменьшением ширины эмиттера поскольку носители, инжектируемые с краев змиттері 60 (рис. 7.!), не перераспределяются между коллекторами,. В связи с более высокой подвижностью электронов по-сравнению с дырками целесообразно также в качестве ДМ.Т использовать п—р—«-структуру.

7.2. ГЕРМАНИЕВЫЕ ДМТ

Германиевые ДМТ с вертикальными коллекторами описаны в [44—45]. Образцы приборов изготавливались из «-германия с р —40 Ом-см, Lp-3 мм, размерами IXl X (3...5) мм. Как видно из рис. 7.4, статические выходные характеристики ДМТ подобны характеристикам обычного биполярного транзистора. При отсутствии магнитного ноля токи обоих коллекторов почти одинаковы (причиной небольшого отличия является асимметрия коллекторов). С увеличением нидукннн магнитного поля ток одного коллекті .pa увеличнвае г-ся. а другого уменьшается. Наибольшее изменение 1-оллекторных токов наблюдается при низких индукциях магнитного поля (рис. 7.5). С уменьшением температуры магниточувствительность увеличивается, что, очепнд-f Рис. 7.4. Статические выходные но, обусловлено ростом BAX германиевого ДМТ

подвижности (7.10).

Магниточувствительность растет также с увеличением тока базы, а следовательно, и тока эмиттера (рис. 7.6). Кроме непосредственного влияния тока базы на токи коллекторов (7.10), рост тока эмиттера приводит к росту электрического поля в базе, а также и Lp ,„ что увеличивает магниточувствительность.

Характеристики на рис. 7.4—7.6 скорее иллюстрируют принцип действия ДМТ, чем его максимальные возможности. Для увеличения магниточувствительности необходимо, во-первых, использовать материал р-типа

61

{большая подвижность неосновных носителей), и, во« вторых, произвести выбор оптимальных геометрически* размеров прибора. Однако и такие ДМТ имеют достаточно высокую чувствительность.

/к, мнА ZUO

Iv,mhА

U'0,75 мА

Рис. 7.5. Зависимости коллекторных токов ДТМ от магнитного ноля:

Рис. 7.6. Зависимости коллек^ торных токов от инд\кциц магнитного поля при разных токах эмиттера: I11 = O,5 мА, Z32 = 0.75 мЛ

На рис. 7.7 приведена экспериментальная зависимость напряжения между коллекторами ДМТ от индукции магнитного поля при работе его в схеме рис. 7.2. В соответствии с рис. 7.5 максимальная магниточувствительность наблюдается при малых В. Линейная зависимость V(B) свидетельствует о том, что при малых В основную роль в (7.11) играют члены с Л в первой степени.

Так как биполярный транзистор является прибором, управляемым током, то для характеристики магнито-чувств'ительности ДМТ следует использовать токовую чувствительность (4.16), поскольку вольтовая магниточувствительность ДМТ (2.9), (4.15), (7.11) зависит от нагрузочных резисторов, т. е. является характеристикой схемы датчика, а не ДМТ. Более наглядно ДМТ характеризует относительная токовая магниточувствительность

Т/о = (1//о)(Д//ДЯ)-100%. (7.12

У германиевых ДМТ относительное изменение тока кол лектора у го ~Ю0%/Т. Тем не менее сравнение ДМТ «2 другими типами магнитоприборов приходится вести по величине магниточувствительности y=V/IB, так как только она записывается в паспортах большинства и? них. При допустимых режимах датчика на германиевом ДМТ (рис. 7.7) магниточувствительность у=5Х XlO5 В/А-Т, что в IO3 раз выше чувствительности датчиков Холла и в 10 раз выше чувствительности магнитодиодов. С увеличением сопротивления нагрузки R вольтовая чувствительность ДМТ растет (7.11), и для

ного поля при /л — 0,8 мА, Eil п—200 В, базовыми контактами Я = 800 кОм

получения «рекордной» магниточувствительности иногда увеличивают R до 10...100 ГОм [47]. Однако для обеспечения рабочих токов ДМТ при таких R напряжена ¦ источника питания возрастает до 1...10 кВ, что исключает практическое применение такого датчика. Кроме того, до единиц секунд увеличивается /?С-постоян-ная и инерционность прибора.

Для увеличения чувствительности ДМТ может быть применен эффект Холла. Наиболее подходит для этого структура ДМТ с двумя базами, показанная на рис. 7.8. Инжектированные из эмиттера дырки (для р—п—р-транзистора) отклоняются в магнитном поле на угол ? = (^0. Одновременно при протекании тока основных носителей между базами 61 я 62 в объеме базы возникает ЭДС Холла Vx- Холловское электрическое поле

63- отклоняет дырки в ту же сторону, и угол отклонения дополнительно увеличивается (аналогично эффекту Суля, § 1.2), что приводит к росту магниточувствительности. Для увеличения ЭДС Холла необходимо ограничить ширину базы расстоянием между коллекторами, а толщину базы сделать минимальной. Эксперименты па германиевых ДМТ [48] показали, что при увеличении ЭДС Холла от 0 до 50 *мВ магниточувствительность возрастает в 3 раза.
Предыдущая << 1 .. 14 15 16 17 18 19 < 20 > 21 22 23 24 25 26 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама