Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 21

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 33 >> Следующая


7.3. КРЕМНИЕВЫЕ ДМТ

В настоящее время кремниевые ДМТ с горизонтальными коллекторами (рис. 7.1 [43]) выпускаются несколькими зарубежными фирмами. Они имеют магниточувствительность около 600 В/А-Т, т. е. в 10 раз выше, чем датчики Холла, и на два порядка ниже, чем магнитодноды. За счет использования более короткой базы предельная частота их достаточно велика (до 100 МГц), а большая концентрация легирующей примеси обеспеч И Bcl С T 11 В Ы СО К VIO тор M ОСТП OIIЛ Ь И ОС Tb

(0,03%/°С).

Чувствительность экспериментальных отечественных кремниевых ДМТ с вертикальными коллекторами |49] на I—2 порядка выше, чем чувствительность ДМТ с горизонтальными коллекторами, что соответствует выводам § 7.1.

Одним из методов повышения магниточувствительности может быть увеличение напряженности электрического поля в базе ДМТ (7.11). Однако простым увеличением тока эмиттера это не достигается, поскольку с іростом тока эмиттера увеличивается концентрация носителей заряда вблизи него и напряженность электрического поля в этой области увеличивается слабо. Напряженность электрического поля в базе удобнее регулировать с помощью расположенного вблизи эмиттера дополнительного омического контакта. Для этого используется планарная структура ДМТ (рис. 7.8). Изменяя ток через базовые электроды, можно устанавливать необходимые значения электрического поля в базе

На рис. 7.9 показаны экспериментальные зависимоств напряжения между коллекторами такого ДМТ от ин дукции магнитного поля для различных соотношений то ков через эмиттер и прилегающий базовый контакт. Длл 64 устранения влияния ЭДС Холла на магниточувствительность в этом эксперименте ширина базы делалась много больше ее длины. Двухколлекторные магнито-транзисторы изготавливались из n-кремния с р=150... ...200 Ом-см по обычной планарной технологии. При постоянстве общего тока Ли + I3 =5 мА действие омического контакта 61 сводится фактически к шунтированию эмиттера и ухудшению его эффективности с точки зрения обычного транзистора. Тем не менее магниточувствительность значительно увеличивается, что объ-

KB

I / S- h

I / J^ /

- /

0,u 0,8 BJ

Ph.' 7.9. Зависимость напряжені;, между коллекторами крем-Hiiib го ДМТ для различных то-к ід -.миттсра и базы при = =6 В, ?„„ = 100 В

0 « h;k,MA

Рис. 7.10. Зависимость напряжения между коллекторами ДТ.М от токов эмиттера и базы

при ? = 0,l Т: /) V(Ij) при I6= 0; 2) V(I6) при /э=1 мА. Штриховая линия рассчитана по формуле (7.11)

яскястся увеличением электрического поля у эмиттера и билее сильным перераспределением инжектированных носителей между коллекторами.

Иа рис. 7.10 показана зависимость напряжения между коллекторами ДМТ от токов и I3. Из рисунка видно, что увеличение тока через нижнюю базу гораздо сильнее повышает магниточувствительность, чем аналогичное увеличение тока через эмиттер.

Увеличение скорости движения инжектированных носителей происходит и при увеличении подвижности носителей заряда. Следовательно, магниточувствительность должна возрастать и при увеличении подвижности (7-11). На рис. 7.11 приведены зависимости V(B) для 5—1143 65 различных температур. Как известно, в высокоомном кремнии подвижность дырок растет с уменьшением тем« пературы. Это приводит и к росту магниточувствительности ДМТ.

В промышленных конструкциях ДМТ для увеличения чувствительности следует использовать как ЭДС Холла, так и повышение напряженности электрического

Kff

и О,? О, 4 BJ

Рис. 7.11. Занмспмосі ь напряжения меж.п кол. іек трамн Л.MT от пнд\капп магнитною поля при различных іе.чнера-TV рях

О

ГСП

Риг. 7.12. Зависимость выходного напряжения ДМТ от расстояния между коллекторами

поля в базе. Поэтому размеры базы должны удовлетворять требованиям, предъявляемым к конструкции датчика Холла, т. е. длина базы должна быть в 2 ... 3 раза больше ее ширины. Температурную стабилизацию чувствительности можно осуществлять введением терморе-знстора в цепь верхней базы. Увеличение температуры в этом случае приводит к росту I6 н соответствующему увеличению V (рис. 7.10), что компенсирует уменьшение V за счет уменьшения подвижности.

Магниточувствительность ДМТ существенно зависит от его геометрических размеров [50, 51]. Как отмечалось выше, размеры эмиттера должны быть много меньше размеров коллекторов. В рассматриваемых ДМТ длина стороны эмиттера 30 мкм. Для того чтобы носители не могли пролететь мимо коллекторов в сторону верхнего базового контакта, длина коллекторов должна быть не меньше Lp. В зависимости от расстояния между коллекторами (2а, рис. 7.3) магниточувствитель-і ность имеет максимум. Как видно из экспериментальной зависимости на рис. 7.12, оптимальное расстояние 66 равно 150 мкм, что соответствует 0,5Lp [51]. Уменьшение чувствительности в обе стороны от максимума объясняется тем, что при сокращении расстояния ослабляется эффект перераспределения инжектированных носителей между коллекторами, а при увеличении расстояния растет рекомбинация носителей в базе.

На рис. 7.13 показана экспериментальная зависимость выходного напряжения с ДМТ от угла между направлением электрического и магнитного полей [52]. Электрическое поле направлено от -нижнего базового контакта к верхнему (рис. 7.8). Вектор индукции магии того поля вращался в плоскости, перпендикулярной поверхности ДМТ и проходящей через оба базовых контакта. При оптимальных режимах работы ДМТ (/ бі = = 4 мA, Z3 = 0,6 мА) максимальный выходной сигнал наблюдается при направлении магнитного поля, перпендикулярном поверхности ДМТ. Это полностью соот-ве гствуст принципу действия ДМГ и не нуждается в пояснениях. С увеличением тока эмп.тера растет составляющая потока пнжектирован-Iiы \ носителей, направленна-: вглубь от поверхности б;ни. Поэтому максимум мо'лчст сдвигаться в сторона-меньших углов (до 45°).
Предыдущая << 1 .. 15 16 17 18 19 20 < 21 > 22 23 24 25 26 27 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама