Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 22

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 33 >> Следующая


Большинство указанных выше .характеристик ДМТ снято при напряжении источника питания ?ип=100 В. Значительно снизить Еип можно использованием вместо нагрузочных резисторов коллекторов ДМТ полевых транзисторов. Полевые транзисторы в двухполюсном включении (затвор замкнут с истоком) обеспечивают Режим генератора тока в цепи коллекторов. Ток дол-Жен соответствовать пологому участку выходной BAX при В — 0 (рис. 7.4). При этих условиях, а также при Енп=27 В, /о = 3 мА чувствительность составляет 50 В/Т (магнитная индукция до 0,2 'Г). Снижение Ea п до 5 В приводит к уменьшению чувствительности в 10 раз.

67

кв

Рис 7.13. Зависимость выходного напряжения ДМТ от угла между направлением электрического и магнитного полей 8. Магнитотиристоры

8.1. ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА BAX ТИРИСТОРОВ

Любой тиристор можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзисторов. Следовательно, рассмотрение магниточувствительных свойств тиристоров сводится к рассмотрению магниточувствительных свойств составляющих транзисторов. Используя обычную методику [7], нетрудно показать, что напряжение переключения тиристора, управляемого по р-базе,

Kncp= Vnpoe [1 - A2161 (1+/у//11ер)-А21й21^, (8.1)

где Fnpo6 —напряжение лавинного пробоя коллекторного р—гг-перехода; Iy — ток управляющего электрода; Zncp —ТОК B точке переключения; Л2161 и ^2102 —коэффициенты передачи тока п—р—п- и р—п—р-транзисто-ров соответственно; с = 2...6- постоянная.

Выпускаемые в настоящее время тиристоры можно разделить на сильно- и слаботочные. Структура сильноточных тиристоров показана нарис. 8.1,а. База п—р —п-транзистора в них достаточно тонкая, и /і2Іб1 в магнитном поле практически не меняется, как и в обычных

8) 2)

Рис. 8.1. Структуры тиристоров: Л—анод; К— катод; У — управляющий электрод

68 транзисторах с тонкой базой. Длина базы р—п—р-цран-зистора в тиристорах равна Lp, поэтому Zi2I62 изменяется в поперечном магнитном поле значительно больше, чем /і2іби Однако ввиду того, что площадь коллектора п0 сравнению с толщиной базы очень велика, эффект отклонения инжектированных носителей от коллектора не действует, а поэтому изменение Zl2i62 невелико и определяется только изменением эффективной толщины базы. Соответственно напряжение переключения таких тиристоров слабо зависит от индукции магнитного поля.

Для увеличения магниточувствительности тиристора необходимо более сильное изменение Zl2162 в магнитном поле. Как показано выше, усиление зависимости Zi2ю (В) может быть достигнуто использованием эффекта отклонения инжектированных носителей от коллектора. Этот эффект хорошо проявляется в структуре слаботочного планарного тиристора, показанного на рис. 8.1,6. Магнитную индукцию указанной на рис. 8.1 полярности будем обозначат!) +В, а противоположной —В. В зависимости от скорости поверхностной рекомбинации s (на верхней плоскости между р-областями) возможны три типа зависимости ВЛХ тиристора от магнитной ин-д\кцни.

1. .S = O. При полярности магнитной индукции —В инжектированные из анода в я-базу дырки отклоняются к верхней поверхности. Их путь к коллектору уменьшается и Zz2I62 растет, что приводит к уменьшению Vliep. При смене полярности магнитного ноля па противоположную Vnep соответственно увеличивается.

2. s = oo. Отклонение инжектированных носителей к верхней поверхности приводит к уменьшению их концентрации и уменьшению Zi2162. Следовательно, V7ncp растет с увеличением магнитной индукции —В и уменьшается с ростом +В.

3. При средних значениях s напряжение переключения может практически не зависеть от магнитного поля.

На рис. 8.2 приведены BAX одного из промышленных образцов планарных тиристоров из /г-кремния с Р = 200 Ом-см в магнитном поле [53]. Расстояние меж-ДУ Р-областями 100 мкм, /у = 0,32 мА. Напряжение переключения тиристора в слабых магнитных полях почти линейно зависит от магнитной индукции обеих полярностей при малом изменении тока переключения.

69 Как следует из изложенного выше, в данном случа скорость поверхностной рекомбинации велика, так ка BAX меняется соответственно п. 2. Следует отметить что задача стабильного получения как- очень малых, так и очень больших значений s достаточно трудна. При обычной технологии изготовления тиристоров получаются средние значения s, и поэтому чаще всего Vnep почти не зависит от магнитного поля. Однако разброс по значениям скорости поверхностной рекомбинации у промышленных тиристоров достаточно большой, и в любой партии приборов можно найти несколько штук, BAX которых меняется в магнитном поле согласно рис. 8.2.

С ростом индукции поперечного магнитного поля всегда происходит увеличение сопротивления тиристора во включенном состоянии, что объясняется ростом сопротивления длинной базы (обычный магннтодиодный

8.2. КОНСТРУКЦИИ МАГНИТОТИРИСТОРОВ

Магниточувствительность тиристоров можно увели чить теми же способами, что и планарных магнитодио дов и магнитотранзисторов. Для этого область высоко рекомбинации располагается на нижней стороне ила стины. В качестве такой области может быть использо ван омический контакт к базе (рис. 8.1,в), одновреме по выполняющий функции управляющего электрод тиристора. При полярности магнитной индукции +
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама