Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 23

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 17 18 19 20 21 22 < 23 > 24 25 26 27 28 29 .. 33 >> Следующая


/. м А

эффект). Несмотря на то, что промышленные пла-нарные тиристоры изготавливаются для других целей, среди них можно найти образцы с BAX тина рис. 8.2, магниточувствительность которых (по. напряжению переключе

ния) равна IO4 В/А-T

т. е. такого же порядка как и у магнитодиодов

Рис. 8.2. Влияние магнитно индукции на BAX тиристора, показанного на рнс. 8.1.6

70 инжектированные из анода дырки отклоняются в сторону управляющего электрода (штриховая линия на рисунке), что приводит к уменьшению их эффективного времени жизни и увеличению траектории движения от анода до коллектора. В результате этих эффектов уменьшается коэффициент передачи тока р—п—р-транзистора и увеличивается напряжение переключения (8.1). При обратной полярности магнитного поля Vnep уменьшается.

Увеличить чувствительность магнитотиристора к магнитной индукции направления +В можно использованием магнитодиодного эффекта. Цепь анод—-управляющий электрод представляет собой включенный в прямом направлении диод с длинной базой. Поперечное магнитное поле увеличивает его сопротивление, что при питании диода от источника с постоянным напряжением Vav приводит к уменьшению его тока, который является управляющим током /у. Уменьшение же Iy приводит к дополнительному увеличению напряжения переключения в магнитном поле +В. При обратном направлении магнитной индукции - В магнитодиодный эффект, также приводящий к уменьшению /у, наоборот, ослабляет действие первичных эффектов (увеличение коэффициента передачи), поэтому магниточувствительность меньше.

Ila рнс. 8.3 показаны В.VX магнитотиристора типа рис. 8.1,в из /ькремния с (> = 200 Ом-см, расстояние Mt ,K п р-областямп 100 мкм, толщина пластины 200 мкм [54, 55J. Управляющий электрод подключался к источнику с постоянным напряжением Vav=0,67 В. Магнп-ючувствительиость к магнитной индукции +В по изменению напряжения переключения составляет Зх

.\мА

Ряс. 8.3. BAX магнитотиристора, показанного на рис. 8.1,в

71 XlO4 В/А-Т, что значительно выше чувствительное тиристора, изображенного на рис. 8.1,6.

Более наглядно это видно из рис. 8.4, где приводи ся относительное изменение напряжения переключени одного и того же тиристора (показанного на рис. 8.1,в при использовании в качестве управляющего электрод п- или р-базы. В последнем случае Zy = 20 мкА (макси мальное изменение Vnep ). Как видно из сравнения эти' двух зависимостей, использование магнитодиодного эф фекта в п-базе увеличивает чувствительность в 4...6 (раз

ния магнитотиристора в маг- Д.МТИ от индукции магннтног

нптао.м поле: пол и

/ — управляющий электрод к п-ба-зе; 2— управляющий электрод к P'базе

По виду BAX магинтогпристоры подобны 5-магнито диодам. При одинаковой магниточувствительностн пре имуществом магнитотиристоров является значительн более высокая температурная стабильность, а такж возможность управления напряжением переключения н только магнитным полем, но и управляющим током.

На рис. 8.1,г показана структура двух магнитотири сторов, имеющих общий анод и «-базу. По аналогии двухколлекторным магнитотранзистоіром такой прибо' можно назвать двухколлекторным магнитотирпсторо (ДМТИ). Конструктивно он отличается от ДМТ тольк тем, что внутри коллекторных р-областей размещен два дополнительных «-эмиттера. В такой структу имеется внутренняя связь между двумя тиристорам Она состоит в том, что отклонение магнитным поле инжектированных носителей от одного коллектора 72 другому, например от к2 к кі (рис. 8.1,г), приводит не только к уменьшению напряжения включения первого тиристора, но и к одновременному увеличению напряжения включения второго тиристора (рис. 8.5). При использований ДМТИ для переключения тока магнитным полем из одной цепи в другую повышается помехоустойчивость схемы.

Двухколлекторный магнитотиристор может быть использован не только как переключатель, но и как датчик магнитного поля, аналогичный ДМТ. Схема включения ДМТИ при этом подобна схеме датчика на основе ДМТ (рис. 7.8), но выходными выводами являются катоды. Она представляет собой мост из двух магнито-тиристоров и нагрузочных резисторов. Наиболее эффективно схема работает при обеспечении в нагрузочной цени режима генератора тока. Поэтому вместо нагрузочных резисторов лучше использовать полевые транзисторы в двухполюсном включении с затвором, замкнутым с истоком, которые являются достаточно хорошими стабилизаторами тока. На рис. 8.6 показана

Pi'-c. 8.6. Схема включения одной половины ДМТИ и его BAX при работе в качестве датчика магнитного поля

схема включения одной половины ДМТИ с полевым транзистором в качестве нагрузки. Полевой транзистор подбирается с таким значением тока насыщения, чтобы нагрузочная линия (в данном случае BAX полевого транзистора) пересекала BAX тиристора на участке перед включением. При отсутствии магнитного поля падение напряжения на ДМТИ равно V0. В магнитных

-V V0 + V

E0 V

73 полях с индукцией —В или -(-В напряжение соот ственно меняется от —V до +V. Напряжение на гой половине ДМТИ меняется в магнитном поле в п тивоположную сторону. Поэтому результирующее изм нение напряжения между катодами ДМТИ удваивает В таком включении оба п—р—«-транзистора явл ются усилителями тока дырок, доходящих до их ко лекторов от общего анода. Соответственно магниточу ствительность датчика на основе ДМТИ выше, чем дат чика на основе ДМТ.
Предыдущая << 1 .. 17 18 19 20 21 22 < 23 > 24 25 26 27 28 29 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама