Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 26

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 33 >> Следующая


Zo = A2I6/,, (10.101

і ie Ip—-ток верхнего эмиттера; Ii2i6—коэффициент передачи тока дырок от верхнего эмиттера к нижнему. Когда эмиттер р! включен в обратном направлении, то /»j -п—рі-структура представляет собой биполярный транзистор. Под действием поперечного магнитного поля дырки отклоняются к эмнгтеру рI или от него, что приводит к изменению Ii21,-, и обратного тока эмиттера Z11, а соответственно к изменению времени заряда конденсатора и периода колебаний:

T- = J- = -^=-^_, (10.11)

/ Z0+ Inac h21t(B)Ip + Imc

где AV — участок отрицательного дифференциального сопротивления на эмиттерной BAX однопереходного транзистора.

На рис. 10.3 показана экспериментальная зависимость частоты от индукции магнитного поля для образ-па из л-германия размером 0,5x1x5 мм с р = 40 Ом-см, Z-P= 3 мм. Следует отметить, что рассмотренная структ тура может работать в схеме рис. 10.3, если точтса на RAX, соответствующая Z9 =0, расположена на участке отрицательного сопротивления, как, например, в герма-6—1143 8:| ниевых однопереходных транзисторах. В других случаях необходимо через дополнительный резистор подать на эмиттер прямое напряжение (см. рис. 5.6), однако вследствие шунтирующего действия этого резистора относительное изменение тока заряда конденсатора будет меньше, а соответственно меньшим будет и относительное изменение частоты в магнитном поле.

Переменный сигнал на выходе можно получить и в датчике на основе двухколлекторного магнитотранзисго-ipa, включенного по схеме на рис. 10.4,а. Эта схема от-

52

t

Ri

Ti



61 \

УзЛЛЛ,



6)

Рис. 10.4. Схема датчика на основе дв\хколлекторного магнито-транзпстора на переменном сигнале (а) и отдельная схема генератора на однопереходном транзисторе (б)

личается от схемы на рис. 7.8 наличием конденсатора. Межбазовая цепь и эмиттер представляют по существу однопереходный транзистор, схема которого показана на рис. 10.4,6. Как отмечалось ранее (§ 5.2), при включении однопереходного транзистора в указанную схему он генерирует пилообразные релаксационные колебания. На нарастающем участке «пилы» кoндeнcaтqp заряжается через резистор Rs, а на падающем разряжается через внутреннее сопротивление базы Ri. Прямой ток через эмиттер протекает только в момент разряда конденсатора, соответственно импульсы дырок инжектируются через интервалы времени T (5.7). Соответствующую форму имеет и сигнал, снимаемый с двух коллекторов. При одном направлении магнитного поля импульсы положительны, а при противоположном — отрицательны. Таким образом, изменение постоянного! магнитного поля приводит к изменению амплитуды ВЫ'

82 ходного переменного сигнала [57]. Если измеряется индукция переменного магнитного поля, то на выходе получается переменный сигнал, модулированный по амплитуде.

10.Э. ПОЛЕВЫЕ И БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВОЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР

Простейшая комбинация полевого и биполярного транзисторов состоит в том, что один из них является магниточувствительным элементом, а другой — усиливающим. Так как уіровень собственных шумов полевого транзистора меньше, чем биполярного, то в качестве' магниточуветвительного элемента целесообразно использовать полевой магнитотранзистор. Сигнал с хол-ловских зондов магнитотранзистора может быть усилен двумя биполярными транзисторами. В интегральном исполнении структура такого прибора подобна структуре датчика Холла с усиливающими транзистсцрами (рис. 10.1). В качестве канала полевого магнитотран-іпстора и баз бпполярных транзисторов также исполь-¦лется одна диффузионная область, а на поверхности избавляется область затвора.

Большой магниточувствительностью обладает пн-жекционно-полевой магнитотранзистор (ИПМ). Он отличается от полевого тем, что один из омических koh-1 актов к каналу заменен р—«-переходом, включаемым з прямом направлении [7]. На рис. 10.5 показаны ^руктуры ИМП с р—«-переходом в качестве затвора : с затвором МДП-типа. Рассмотрим принцип дейет-

э\р

Рис. 10.5. Структуры ннжекционно-полевого магнитотранзистора с Р—п-переходом (а) и с МДП-конденсатором (б) в качестве полевого электрода

6*

83 вия ИПМ на примере включения его в схеме с общей базой. Пусть на коллектор подано такое напряжение, при котором область объемного заряда полностью перекрыла базу и условия в цепи коллектора таковы, что Ik =const. Тогда при V3=O в цепи эмиттера протекает небольшой прямой ток. С ростом напряжения на эмиттере прямой ток эмиттера увеличивается, что приводит к соответствующему увеличению тока коллектора. Так как коллектор работает при /„ = const, то вследствие сохранения этого условия напряжение на коллекторе уменьшается и канал напротив коллектора открывается. Происходит уменьшение сопротивления эмиттер — база и дальнейший рост I3. Таким обіразом, рост I3 приводит к увеличению ширины канала, а это обусловливает дальнейший рост I3. Такая сильная положительная обратная связь но току в эмиттерной цепи и является причиной образования ВЛХ 5-типа (рис. 10.6).

hs ,мА 0,1 Рис. Ю.6. Входные BAX нн- Ч- ЖРЬ'МНПИНП-ПГПРППГП магиитп-
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама