Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 27

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 .. 33 >> Следующая

ЪОХ ^ ----- ¦ " і ран.шстора, показанного на рнс. Ю.5,а і

О 7,0 V35, В

С увеличением Ik для отпирания канала нужно подать большее напряжение на эмиттер, в связи с чем напряжение включения растет. Под действием поперечного магнитного поля увеличиваются напряжение включения и остаточное напряжение, как и в однопереходном маг-ннтотранзисторе (рис. 5.3 и 5.5).

Более подробно к настоящему времени изучены маг-ниточувствительные свойства ИПМ МДП-типа на основе кремния [58]. Такой прибор (рис. 10.5,6) можно рассматривать как магнитодиод с полевым электродом на поверхности. В планарной структуре эффективное время жизни неосновных носителей в базе диода определяется рекомбинацией их на поверхности. Подавая ¦напряжение на полевой электрод, можно прижимать (удалять) инжектированные носители к поверхности, т~ е. изменять их эффективное время жизни, а соответственно и магниточувствительность.

В зависимости от используемого диэлектрика изменяется и вид BAX прибора. Инжекционно-полевые маг-

84 нитотранзисторы с двуокисью кремния имеют вхбдные БАХ, такие же, как и магнитодиоды (рис. 4.6). При использовании в качестве диэлектрика окиси алюминия и подаче на затвор напряжения входные BAX аналогичны характеристикам S-магнитодиода (рис. 4.9,6). Причиной образования отрицательного сопротивления может быть введение примесей при нанесении диэлектрика, образующих глубокие уровни, и соответствующее изменение времени жизни носителей, инжектированных н базу, с ростом их концентрации (см. § 4.5). Магниточувствительность ИПМ п—р—п-типа из кремния с удельным сопротивлением около 10 кОм-см [58] растет с увеличением напряжения на затворе и при V3-= = 10...20 В достигает IO4 В/Л-Т, т. е. такой же величины, как и у магнитодиодов.

11. Магнитометры на основе эффекта Джозефсона

11.1. ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ В СВЕРХПРОВОДНИКАХ.

ЭФФЕКТ ДЖОЗЕФСОНА

Сверхпроводимость нозиикает при охлаждешш металла ниже імределенной критической температуры 7\р. Кристаллическая решетка при этом практически не изменяется, электроны же перехо-IHT в новое более упорядоченное состояние, устойчивое по отношению к рассеянию на различных дефектах. При низких температурах н (аимодействие электронов с атомами решетки и друг с другом '.ожно представить как процесс непрерывного излучения и поглощении фононов — элементарных квантов колебаний решетки. Обмен ¦ р'шонами между двумя электронами приводит к возникновению UKl им ного притяжения, под действием которого (если оно больше к\лоновского отталкивания) электроны объединяются в так называемые куперовские нары. Взаимодействие наиболее сильно, когда суммарный импульс и спин пары электронов равен нулю [8, 9, 59].

Отдельные электроны ведут себя как фермн-частицы, т. е. в каждом энергетическом состоянии находится лишь один электрон. Куперовские пары не обладают суммарным моментом н подобны <»>зе-частицам (бозонам), которые конденсируются в одном общем наинизшем состоянии. Конденсат из электронных пар не может поглощать илн испускать энергию Е, меньшую энергии разрыва пар. Соответственно эту минимальную энергию (2Д) называют энергетической целью. Она имеет максимум прн T=0 К и уменьшается с ростом температуры, достигая нуля при T=Tkр. Множитель 2 соответствует тому, что при разрыве пары образуется два возбужденных электрона. Энергия каждого возбуждения

S=Ve2- д2 • (їм)

85 Сверхпроводящий ток соответствует одиородвому смещению бе» потерь всей электронной системы под щелью.

Через тонкий контакт сверхпроводника и нормального металла (не сверхпроводящего), а также контакт двух сверхпроводников может протекать ток, обусловленный обычным туннелироваиием электронов. На рис. 11.1 показаны энергетические диаграммы таких

/

Л qV



Зчу

~t---Cf

ff)

U QV





rrrd

30-і

¦гл-.

Л

в)

.1,-.b.1.».tr f/

Рис. 11.1. Энергетические диаграммы и BAX контактов:

а — нормального металла и сверхпроводника; б — двух одинаковых сверхпроводников; в — двух различных сверхпроводников

контактов при 7 = 0. В отсутствие внешнего напряжения уровень Ферми во всеіі системе одинаков. Ilpn приложении внешнего напряжения уровень Ферми в одной части (в данном случае левой) поднимается относительно другой на величину qV. Туннелирование начинается при таких напряжениях, при которых занятые уровни с одной стороны (ниже уровня Ферми) поднимаются до незаполненных уровней с другой стороны (поток щели). Как нетрудно определить из рис. 11.1, в контакте нормального металла и сверхпроводника рост туннельного тока начинается при qV>Д. В контакте из двух одинаковых сверхпроводников это происходит при <?V>0, а нз двух разных — при <7V'>Ai+A2 (непрерывные линии на ВАХ).

В интервале температур 0<7"< 7"кр (7^—температура узкозонного сверхпроводника) происходит термический заброс электронов на уровни выше уровня Ферми и рост туннельного тока начинается при меньших напряжениях (штриховые линии на ВАХ). На BAX контакта двух различных сверхпроводников при этом появляется максимум при ^Утах=Аг—Ai, а после него участок отрицательного дифференциального сопротивления. Максимум возникает вследствие того, что при V=Vmax все заполненные состояния выше потолка щели Ai оказываются напротив незаполненных состояний
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама