Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 5

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 33 >> Следующая


В зависимости от температурного диапазона работы датчика Холла выбирается и режим питания. При ра боте на участке Ti... T2 (постоянное Rx) стабильпост Vx обеспечивается постоянством питающего тока (1.3) Следовательно, питание цепи 1—2 (рис. 2.1) необходи мо осуществлять от генератора тока. При работе в интервале температур выше T2 удобнее питать цепь /— от генератора напряжения. Уменьшение Vx за сче уменьшения Rx с ростом температуры частично ком пенсируется увеличением Vx за счет роста тока (1.3) так как сопротивление Ri2 уменьшается.

Для более полной компенсации температурног дрейфа Vx последовательно с нагрузкой (рис. 2.1 можно включить терморезистор, однако при этом ампли туда полезного сигнала, снимаемого с Rh, уменьшается

Кроме рассмотренных выше параметров, датчик Холла характеризуются остаточным напряжением Vxo т. е. напряжением на холловских электродах при отсут

14 ствии магнитного поля. Основной причиной появления у о является неэквипотенциальность расположения хол-ловских электродов. Например, если электрод 3 расположен несколько выше электрода 4, то их потенциалы относительно электрода 1 запишем как

V9 = IplltIS, Vi = I9 IiJS, Vxo = V3 - V4 = /р (/,, - I1 i)/S, (2.13)

где h з. U і — расстояния от электрода 1 до соответствующего холловского электрода.

Простейшая компенсация Vxo производится включением резистора по схеме, показанной на рис. 2.3,а. Протекающий через резистор ток увеличивает потенциал Vt до V3. Однако эта схема не обладает тер-мостабильностыо, так как Vxo рис изменением температуры происходит дрейф Vx0. Более термостабнль-на схема компенсации, показанная на рис. 2.3,6. На одном из концов датчика Холла делается два токовых контакта и внешним потенциометром меняется соотношение токов через них. Это эквивалентно изменению эффективных длин линий тока (I13, 1ц), вследствие чем) и происходит компенсация Vx0 (2.13).

а)

Аналогично можно заменить один из холловских электродов двумя, разнесенными по длине. Компенсация осуществляется в схеме, в которой эти электроды подключены к концам потенциометра, а напряжение Vx снимается с движка.

Следует отметить, что любая термокомпенсация выполняется лишь в относительно узком интервале температур, во-первых, вследствие разной зависимости от температуры удельного сопротивления полупроводника и компенсирующего элемента и, во-вторых, из-за зависимости сопротивления контактов датчика от температуры.

15 3. Mагниторезисторы

® в

3.1. ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКЦИИ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ НА ИХ ПАРАМЕТРЫ

Магниторезисторами называют полупроводниковые резисторы, сопротивление которых меняется в магнитном поле. Поскольку эффект магнитосопротивления максимален в полупроводнике, не ограниченном в направлении, перпендикулярном току, то в реальных магнито-ірезисторах стремятся максимально приблизиться к этому условию. Наилучшим моделированием неограниченного образца является диск Корбино (рис. 3.1). При отсутствии магнитного поля ток в таком образце направлен по радиусу. Отклонение носителей заряда под действием магнитного поля происходит в направлении,

перпендикулярном радиусу, поэтому разделения носителей заряда и образования электрического поля Холла не происходит. Другой структурой (хотя и с меньшим магшггосопротивленнем, чем в диске Корбино) является пластина, ширина которой много больше ее длины.

Эти две структуры обладают наибольшим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. Однако их существенным недостатком (особенно второй) является малое абсолютное значение исходного сопротивления R0 (при B = O), что обусловлено их конфигурацией. Для увеличения исходного сопротивления применяют последовательное соединение нескольких магниторезисторов. Последовательное соединение дис-

B ©я



o)

Рис. 3.1. Простые магниторезп сторы:

а — диск Корбино; б — пластина

!!!!!!!ііішіішіі

Hilllliilllillllliiira

BJ

Рис. 3.2. Сложные магниторезисторы: а— последовательное соединение дисков Корбино; 6 — пластина с металлическими полосками на поверхности; в — кристалл с высокопроводящими

нглами в объеме

16 ков Корбино показано на рис. 3.2. Недостатком такой стРУКтУРы является большая длина в направлении магнитного поля, что приводит, например при помещении магниторезистора между полюсами магнита, к необходимости использования большого зазора и ослаблению магнитного поля.

Этого недостатка лишена структура, показанная на пис 3.2,6, где вместо последовательного соединения магниторезисторов (рис. 4.1,6) используется одна длинная пластина полупроводника, на поверхность которой нанесены металлические полоски, делящие пластину на области, длина которых меньше их ширины. Таким образом, каждая область между полосками представляет отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полоски выполняют роль шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, что приводит к увеличению маг-нитосопротивлсния. Вместо пластины с металлическими полосками для создания магниторезисторов можно использовать материал, в котором области с высокой электропроводностью созданы в процессе роста кристалла. В этом случае отпадает необходимость в нанесении металлических полос.
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 < 5 > 6 7 8 9 10 11 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама