Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 6

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 33 >> Следующая


Мапшторсзпеторы такого типа созданы на основе кристаллов InSb с добавкой 1,8% NiSb [3]. Включения NiSb образуют в кристалле InSb иглы с удельным сопротивлением, почти на два порядка меньшим, чем удельное сопротивление самого кристалла. Магнитосо-протпвленпе такого материала не зависит от формы образца, необходимо лишь, чтобы направление игл было перпендикулярно направлениям оси и магнитного поля (рис. 3.2,е).

3.2. МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ

Как следует из формулы (1.12), для создания магниторезисторов следует использовать полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда. Материалом с высокой подвижностью является InSb [Д1„ = (70... ¦••80)-IO3 см2/В-с)]. Изготовленные из него магнито-резисторы имеют коэффициент относительного изменения сопротивления до 100%/Т (прималыхВ); температурный коэффициент сопротивления около 1%/град. Зависимость сопротивления от магнитной индукции показана на рис. 3.3. При В до 0,3...0,5 T зависимость квадратична, а при больших В линейна.

2-1143 17 Магниторезисторы на основе InSb—NiSb (ірис. 3.2,в) имеют чувствительность в два раза выше, чем из InSh при аналогичной зависимости R(B). Температурный коэффициент сопротивления 2...3%/град. Максимальной магниточувствительностью обладают магниторезисторы из InSb собственной проводимости. Однако они имеют также максимальный температурный коэффициент сопротивления, так как концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике наиболее сильно меняется с температурой (2.12). Зависимость подвижности от температуры имеет максимум при Г = 77 К, поэтому магниточувствительность при этой температуре максимальна и уменьшается в обе стороны, причем при гелиевых и комнатных температурах она почти одинакова (в 4...5 раз меньше максимальной). В примесном InSb ослабляется зависимость от температуры концен-

Рис. 3.3. Зависимость сопротивления ог магнитной индукции магинторезпетора ш ;штн-MOHIUJ индия, конструкция КОТОРОГО прнне-деиа на рис. 3.2.6

трации и подвижности, что уменьшает температурный коэффициент сопротивления. Магниточувствительность также уменьшается как из-за уменьшения подвижности, так и из-за ослабления эффекта шунтирования (металлическими полосками пли иглами, см. рис. 3.2,о, в) вследствие роста проводимости кристалла.

В последнее время для создания магниторезисторов использован твердый раствор (HgTe)1-^ +(CdTe)x [Ні]. В зависимости от состава и температуры этого вещества меняются ширина запрещенной зоны и подвижность носителей. Наибольшей подвижностью обладают составы с шириной запрещенной зоны, близкой к нулю, соответственно они обладают и наибольшей магниточувствительностью, которая выше чувствительности магниторезисторов из антимонида индия при всех температурах. Однако Ro оказывается в них меньше. Для повышения R0 магниторезисторы изготавливают в виде «змейки» (рис. 3.4). Из рис. 3.5 [16] видно, что чувст-

18 вительность таких резисторов (х = 0,1) имеет максимум при температурах 20...100 К, зависящий от магнитной индукции.

Рис. 3.4. Магниторезнстор Рис. 3.5. Температурные зависимости в виде «змейки»: сопротивления магниторезистора из

/-шатающая подложка: соединения кадмий — ртуть —теллур

полупроводник

в разных магнитных полях

3.3. МАПШТОРНЗИОТОРЫ НА ОСНОВЕ ГЛ.'ІЬВЛПОМАГІІПТОРЕКОМІНШЛЦИОННОГО ЭФФЕКТА

.WarHHTiioe поле, направленное перпендикулярно то-к\ через образец (см. § 1.3), приводит к перераспределению неосновных и основных носителей заряда в объеме полупроводника и образованию неравновесной элек-троппо-дырочнон плазмы. Этот эффект обычно называем я гальваномагннторекомбпиапионным (ГМР) [62]. Если, например, скорость рекомбинации неравновесных носителей в месте накопления плазмы больше средней по образцу, то это приводит к усилению рекомбинации и уменьшению средней концентрации носителей в образне, т. е. увеличению его сопротивления. Область с высокой скоростью рекомбинации обычно создается на поверхности полупроводника. Относительное изменение сопротивления (магпиточувствительность) растет с приближением проводимости полупроводника к собственной вследствие увеличения концентрации электронно-дырочной плазмы по сравнению с концентрацией носителей, обусловленной ионизацией примеси. Область отклонения концентрации носителей от равновесной простирается в глубь объема полупроводника от поверхности на расстояние немного больше длины диффузи-

онного смещения L

¦2*

р, п-

Поэтому магниточувствитель-

19 ность максимальна при d« „, где d — размер образца в направлении действия силы Лоренца.

Из всех материалов наиболее подходящим для создания магниторезисторов на основе ГМР эффекта, является германий. При проводимости, близкой к собственной, он сочетает достаточно высокую концентрацию электронно-дырочной плазмы с большим значением Ьр<п (до 3 мм). Германиевые магниторезисторы [62] имеют размеры 8X0,6X0,2 мм. На концах полупроводника создаются токовые омические контакты и на одной боковой грани (8x0,2) область с высокой скоростью рекомбинации. Магнитное поле направлено перпендикулярно поверхности 8X0,6. Магниторезистор имеет следующие параметры при номинальном токе питания 3 мА; исходное сопротивление 24 кОм; вольтовая магниточувствительность 50 мВ/мТ; температурный коэффициент чувствительности в интервале температур + 10...+35°С не более 0,5%/град; частотный диапазон 0... IO3 Гц.
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 < 6 > 7 8 9 10 11 12 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама