Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Лабораторная техника -> Викулин И.М. -> "Гальваномагнитные приборы" -> 8

Гальваномагнитные приборы - Викулин И.М.

Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы — М.: Радио и связь, 1983. — 104 c.
Скачать (прямая ссылка): galvomagnitniepribori1983.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 33 >> Следующая


4.2. МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ II КОНСТРУКЦИИ МАГНИТОДИОДОВ

Для характеристики магниточувствительных свойств гальваномагнитных приборов кроме у = AVjI В (2.9) используется также магниточувствительность:

23 вольтовая ^

Г V=AV/A? (4.15) или токовая »//,г,

Ii = AI/AB. (4.16)

В паспортах магпитоднодов обычно записывается у V при определенном токе, откуда легко определить у. Дифференцируя (4.9), при питании диода от источника, работающего в режиме генератора тока,

и пренебрегая изменением I11

IW

iv-

QVntlnS

1

X

1 dLr

Ln dB

1 dy-n dB

получаем

d*n , 1P

dB 1 W In

1+-

AIi,.,г

(4.17)

Если относительное изменение диффузионной длины много больше, чем относительное изменение подвижности, то

I

dLr

TK---с -Tlf 1п 1 + -JTi- • (4-18)

q\^nns dB V AZliac j '

Таким образом, для увеличения чувствительности магпитоднодов необходимо использовать материал базы с малым пп и большим изменением Lp в магнитном поле. Поскольку ALn растет с увеличением Lp, a L2 = (kTf



р /"

го высокое значение L1

'р' ~ ~р обеспечивается большой

величиной т,

Для сильного изменения т., а значит,

и

Lp в маг-

нитном поле в структуру маї пнтоднода вводится специальная область с высокой скоростью рекомбинации инжектированных носителей (область s на рис. 4.2).

+ »

Рис. 4.2. Структура магнито-дмода с областью большой скорости рекомбинации

Обычно такая область расположена па поверхности базы. При указанном на рис. 4.2 направлении магнитного поля инжектированные носители отклоняются к s-обла-сти, что приводит к увеличению скорости их рекомбинации, уменьшению концентрации и увеличению сопротивления магнитодиода. При противоположном направлении магнитного поля инжектированные носители от-24 клоняются от s-области, их время жизни увеличивается Й сопротивление магнитодиода уменьшается.

В настоящее время применяются две конструкции магнитодиодов: торцевая (рис. 4.3,а) и планарная (рис. 4.3,6).



Гя; ff)

Рис. 4.3. Конструкция магнитодиодов

При массовом производстве торцевых магнитодиодов трудно осуществить обработку поверхности только одной боковой грани, поэтому все грани обрабатываются одинаково. Сопротивление таких магнитодиодов растет при обоих направлениях магнитного поля также одинаково.

В планарпой конструкции магнитодиодов целесообразно увеличивать скорость рекомбинации носителей заряда на стороне пластины, противоположной от контактов. В этом случае при полярности магнитного поля 4-В инжектированные носители отклоняются к верхней грани пластины, сокращается их траектория движения и увеличивается время жизни. Оба эти эффекта приводят к уменьшению сопротивления магнитодиода. При направлении магнитного поля —В сопротивление увеличивается. Это позволяет использовать магнитодиод для определения направления магнитного ноля.

Если же область с высокой скоростью рекомбинации расположена на верхней стороне пластины, то эффекты изменения длины траектории и времени жизни будут частично компенсировать друг друга и магниточувствительность значительно уменьшится.

Магниточувствительность р+—п—«+-диода пропор-Циональна!^/^, а п+—р—р+ -диода Y V J Vp- Так как в большинстве полупроводников IS^iV т0 в качестве базы магнитодиода лучше использовать полупроводник р-типа.

25 Обратный ток диода с областью высокой рекомбн нации может быть чувствителен к магнитному поли Это связано с тем, что р—«-переход в обратном вклад чении вытягивает неосновные носители из базы и и* концентрация становится меньше равновесной. Ско рость генерации неосновных носителей в s-области nipj« этих условиях выше, чем в объеме базы, поэтому доля обратного тока, образуемая носителями, движущимися из s-области, достаточно велика. Поперечное магнитное поле изменяет траекторию носителей, движущихся из s-области, что приводит к соответствующему изменению обратного тока диода.

Согласно (4.17) чувствительность магнитодиодов растет с увеличением тока через них.

4.3. ГЕРМАНИЕВЫЕ МАГНИТОДИОДЫ

Первые магннтодиоды, изготовленные из германия с проводимостью, близкой к собственной ((j = 50 Ом-см, Lp =3 мм), с небольшой скоростью поверхностной рекомбинации имели чувствительность около 0,5х XlO3 В/А-T [18]. Японская фирма «Сони» серийно выпускает германиевые магннтодиоды, на поверхности которых имеется область высокой скорости рекомбинации (рис. 4.2). За счет этой области чувствительность магнитодиодов повышается до 2-Ю4 В/А-Т, т. е. больше чем на порядок (рис. 4.4).

Рис. 4.4. BAX германиевого магнитодиода, структура которого показана иа рис. 4.2:

W=3 мм; Г=25°С [19]

26

У-, P

Рис. 4.5. Характеристики дву последовательно включенны германиевых магнитодиодов [1? , Два магнитодиода с противоположно ориентированными областями высокой рекомбинации могут включаться последовательно (рис. 4.5). В отсутствие магнитного поля приложенное к цепи внешнее напряжение у делится пополам между магнитодиодами: Vi = Vl0 = = V/2. При включении магнитного поля сопротивление одного диода уменьшается, а другого увеличивается, что приводит к изменению напряжения Vi. Кроме того, что AV(В) здесь в два раза больше, чем при использовании одного магнитодиода, преимуществом такой схемы является практическая независимость Vi0 от температуры. Оба таких магнитодиода изготавливаются обычно в одном корпусе и выпускаются как один прибор. Добавив еще одну пару магнитодиодов, можно образовать измерительный мост из четырех магнитодиодов. В этом случае целесообразно объединить попарно два магнитодиода верхней половины моста и два магнитодиода нижней половины, используя для верхней части общин анод, а для нижней — общий катод.
Предыдущая << 1 .. 2 3 4 5 6 7 < 8 > 9 10 11 12 13 14 .. 33 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама