Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 10

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 80 >> Следующая


плавления второго вещества. При этом скорость нагрева печи долж быть достаточно малой, чтобы записи эффектов не наложились друг друга. Общий вид термограммы, полученной при помощи сложи термопары, приведен на рис. 12. Необходимые построения для ог ничения площадей пиков представлены пунктиром. После проявлен термограммы необходимо избежать деформации листа фотобумаги процессе сушки. Удобнее всего сушку проводить между двумя листа1 фильтровальной бумаги под небольшим прессом. Ограниченные п: щади пиков переводят на кальку несколько раз подряд (для усреднен результатов), вырезают и взвешивают на аналитических весах. ГЬ " скольку отношение площадей равно отношению масс вырезанных гн ков, то в формулу (1.4) вместо SiZS2 подставляется отношение мaj "ввести0 тх1т2. По формуле (1.4) определяют энтальпию плавления. Зна температуру плавления, из соотношения (1.5) находят энтропй плавления и сравнивают найденные величины со справочным данными.

Термодинамический расчет кривой ликвидуса. Система Cd—В

Для расчета кривых ликвидуса, отвечающих кристаллизации С и Bi, в приближении идеальных растворов используют уравнен» (1.13). В качестве параметров стабильности берут AZZnjl и температур плавления компонентов, определенные методом ДТА. Построив графи

Навеска

Навеска стандартного вещества JUL — JlL m2 S1 Q Д"пл А5пл
cm x cm x cm x


5) формулы для расчета кривых ликвидуса в приближении идеальных и регулярных растворов; 6) экспериментальные и расчетные

в^ координатах Igx — 1IT, наносят на нем экспериментальные точй Шнные в координатах Igx—IIT или Ig[4* (1 — *)]—--1 j в ви-

таблиц и графиков; 7) график концентрационной зависимости выводы по работе.

Литература

- л - „ ¦ ^fl,. Аносов В. Я., Погодин С. А. Основные начала физико-химиче-ветвеи диаграммы состояния. Оценить характер взаимодеиствия меж» г°го анализа. М,—Л., изд-во АН СССР, 1947 гл. 1, 2, 4, § 1—3, 9; гл. 7 --------------------------.4 --------- I------------------------------ /, о^р 1-6; ГЛ. 8. § 1, 2, 4-6, 14; гл. 11, § 1, 2.

23

22 п. 1—4]|

и. ИздІ

Берг JI. Г. Введение в термографию. М.—JI., Наука, 1969, гл

Берг Л. Г. и др*. Практическое руководство по термографии Казанского ун-та, 1967, гл. 1, 2, § 3—7, гл. 4.

Вагнер К. Термодинамика сплавов. Металлургиздат, 1957, с. 14 31—35, 41—53.

Древинг В. П., Калашников А. Я. Правило фаз с изложен основ термодинамики. Изд-во МГУ, 1964, с. 129—148, 187—199.

Крестовинков A. H., Вигдорович В. Н. Химическая те( динамика. M., Металлургия, 1973, с. 159—219.

Соединения переменного состава. Под ред. Б. Ф. Ормонта. М. — Л., Хил 1969, гл. 2, § 1—6.

Справочник химика, т. I, Госхимиздат, 1963, с. 774 и сл.

Технология полупроводниковых соединений. Под ред. А. Я. Нашельскі M., Металлургия, 1967, с. 23—40.

РАБОТА 2. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ДАВЛЕНИЯ ДИССОЦИАЦ СОЕДИНЕНИЙ С ЛЕТУЧИМ КОМПОНЕНТОМ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

InP =

RT

+ cons!.

(2.6)

Термодинамика равновесий конденсированная фаза — пар. С

дения о температурной зависимости давления пара важны с техно гической точки зрения, поскольку позволяют управлять процес* роста кристаллов с заданным содержанием примесей и концентрат иных дефектов в решетке. Кроме того, измерения давления насыщенн физический смысл постоянной интегрирования выясняется^ если при-пара дают термодинамическую информацию об устойчивости и SHepei5iTb ^ ~ кип H ~ а™' огда 12 к«п ~ const R— AS12 (см.

информацию об устойчивости и энер образования изучаемой фазы.

Равновесие в однокомпонентной системе описывается уравнені Клапейрона—Клаузиуса

дР дТ

Qia

T(V2-V1)

С

где T — температура при равновесном фазовом переходе; Pl давление при равновесном фазовом переходе; Q12 —теплота фазовоіили IgP =--— + В, где А =

'равнение (2.7) широко

перехода при температуре Г; V1, V2 — молярные объемы равновес v сосуществующих фаз. 1

В соответствии с правилом фаз в условиях моновариантного раві пимац™ и испарения.

Наибольшая погрешность

весия в однокомпонентной системе могут сосуществовать лишь фазы. При постоянных температуре и давлении переход вещества из

Величина AHi2 при Р, T — const начальным состоянием системы и не зависит от пути процесса. Тої уравнение (2.1) примет вид

дР AHi2

дТ

T(V2-V1)

где A H12 — термических условиях.

Уравнение (2.3) абсолютно строгое, однако все входящие в н величины являются функциями температуры и для определения од из них необходимо знать остальные гри. Для описания равнове

24

•онденсированная фаза—пар уравнение (2.3) можно упростить введением следующих допущений: 1) объемом конденсированной фазы южно пренебречь по сравнению с объемом паровой фазы; 2) насыщен-. 1Ьш пар подчиняется законам идеальных газов; 3) теплота фазового ірпехода в исследуемом температурном интервале не зависит от тем-

leFc Т,.„— І/ І/ „I/ Т/ _ ТЭТ/D

яературы.

Тогда V2—V1 ж K1

пара дР A Hi2P

Vnapa = RTIP

дТ RTi Ipиводя уравнение (2.4) к виду

din P АН

is

0(1 /Т)

R

(2.4)

(2.5)
Предыдущая << 1 .. 4 5 6 7 8 9 < 10 > 11 12 13 14 15 16 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама