Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 15

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 80 >> Следующая


Примечание. Трехгранная призма изготавливается из кварцевого стекла ' ШлиФ°вальном металлическом круге с применением водной суспензии абра-. івного порошка карбида кремния. Для фиксации ампулы на рабочем ребре приз- мы на стенке ампулы после разогрева в пламени горелки делается поперечу вмятина острым скальпелем (рис. 17). Особое внимание следует уделить подв шиванию штока к весам (рис. 18).

По окончании монтажа системы необходимо проверить чувстві тельность весов. Для этого, поворачивая малый нагрузочный лимб s 1 деление (10 мг), следят за отклонением стрелки весов по оптическс шкале. Отклонение от исходного положения по шкале должно с< ставлять 100 делений (10 мг). Если отклонение меньше, необходщ в дальнейшем при определении изменения массы ¦ вводить поправ« в третьем и четвертом знаках с учетом изменившейся цены деленщ Например, при нагрузке 10 мг отклонение шкалы составляет 80 делений. Следовательно, цена деления

10 мг/80=0,125 мг (вместо 0,1 мг при номинальной чувствительности). Если предположим, что зарегис-

W0HJ0



Ф"

_/ Л »Л

/

о

Рис. 17. Аійпула, используе- > мая в весовом методе

Рис. ' 18. Схема подвеса! штока ампулы к аналити-j

ческим весам: 1 — чашка весов; 2 — проволочная петля; S — тонкая металлическая проволока с крючками; 4 — рамка с призмой; 5 — квар- і це вый шток ампулы

трировано изменение массы 0,34 (18) г, то две последние цифры нео( ходимо умножить на цену деления (18-0,125) и фактическое изменени массы будет равно 0,3422 г. После начала измерений не рекомендуете арретировать весы во избежание смещения нулевой точки.

Истинную массу пара в ампуле при данной температуре рассчк тывают по формуле (2.13). Давление вычисляют по уравнению Кла пейрона — Менделеева:

P ^mRTJMV,

где P — давление, .атм; т — масса пара, г; T — температура, .R — 82,06 см3-атм/град; M—124 (грамм-молекулярный вес PJ V — объем ампулы, см8.

Обработка экспериментальных данных и определение термодинам» ческих характеристик диссоциации. Для определения функционал!» ной зависимости IgP = f(IIT) согласно (2.7) экспериментальные дай ные обрабатывают методом Наименьших квадратов. Если известно, чК две величины X и у связаны линейной зависимостью у = Ax + В, 1*

34 П0 методу наименьших квадратов коэффициенты AnB можно найти из выражений

• п 2 xOJi—2х' 2 о> __1_1 1

1 ~ п 2 In \ 2

(2.15)

п п It

2

її її

Вг

Пример обработки экспериментальных данных:

п ! " \ 8
і
1 \ і ) 1 »

(2.16)

г. к

IO4 T



р.

(атм)

Ч Vi



970 1010 1038 1045 1061 1071 1077-1090 1098 1102 1117 1125

12 2*,.

10,31 9,901 9,634 9,569 9,425 9,337 9,285 9,174 9,107 9,074 8,953 8,869

0,13 0,41 0,85 1,00 1,45 1,76 2,21 2,99 3,61 5,28 6,43 6,94

—0,8861 —0,3768 —0,0706 0

0,1614

0,2455 0,3444 0,4757 0,5575 0,7226 0,8082 -0,8414

112,662

12

2 VV

—9,1357 —3,7307 —0,6802 О

1,5212 2,2922 3,1978 . 4,3641 5,0779 6,5569 7,2358 7,4792

12, у*.Ах + В, y*\gP\ х-

.2,8232

IO'

12

S xwi ¦ і

Ig P.

-24,1785



106,296 98,03 92,81 91,57 88,83 87,18 86,21 84,16 82,94 82,34 80,16 79,01 12 2

Z «=.1059,54 + В

В,

1059,54 • 2,8232 — 112,662 - 24,1785 2991,293 — 2723,998 12 - 1059,54-(112,662)2 12714,48— 12692,73

267,295

21,75

• 12,289,

12 . 24,1785— 112,662 • 2,8232 290,142 — 318,067 21,75 = 21,75

— 27,925

21,75 1,2839 . IO4 T

12840

— 1,2839,



+ 12,289= 1&289-+ 12,289.

2*

V

35 Из (2.7) следует, что ДЯдисс = А-4,575; ASfllicc = В-4,575.

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) схему уста-, новки для измерения давления пара; 2) экспериментальные данные и виде таблицы; 3) график в координатах P—t и IgP — IOVT1(K);: 4) расчет термодинамических характеристик диссоциации; 5) выво, по работе.

Литература

М.-Л., Ha-I М.—Л., Госхим-і

На рис. 19, а выше линии ликвидуса существует область гомогенного расплава; следовательно, при давлении P = P1 точки плавления всех сплавов системы лежат ниже самой низкой температуры кипения. Под давлением P1 жидкость закипает при более высоких температурах, что отражается на T—х-сечении появлением гетерогенной области жидкость + пар, отделенной от гомогенного расплава кривой, являющейся геометрическим местом точек кипения расплава.

Pz

Зайдель А. Н. Ошибки измерений физических величин ука, 1974, с. 69—76.

Карапетьянц М. X. Химическая термодинамика, издат, 1953.

Нашельский А. Я. Зав. лаб., 1967, № 11, 1387.

Несмеянов Ан. Н. Давление пара химических элементов.'М.—Л.,3

изд-во АН СССР, 1961. }

.Суворов А. В. Термодинамическая химия парообразного состояния,

М.—Л., Химия, 1970.

Технология полупроводниковых соединений. Под ред. А. Я.: Нашельского, Металлургия, 1667, с. 41—53.

РАБОТА 3. ПОСТРОЕНИЕ Р—Т— х-ДИАГРАММ СОСТОЯНИЯ

Элементы топологии P-T—лг-диаграмм. Полупроводниковые соединения часто содержат летучий компонент (или компоненты), что предопределяет разложение соединения при нагреве на конденсированный продукт (жидкий или твердый) и газообразный. Образовавшийся расплав представляет собой раствор, обогащенный металлическим компонентом. Однако термическую диссоциацию соединения можно предотвратить, создавая в закрытой реакционной системе «противодавление» летучего компонента. Величина такого противодавления определяется только на основег полной P—T—х-диаграммы состояния.
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама