Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 16

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 80 >> Следующая


На рис. 19 показан ряд изобарных сечений, представляющих

L L ( L+AB +е\ I ^^
Ї+АВ I UB АВ+В
A +AB
A AB В

L У +Б
rV
Ї+АВ
U+А В АВ+В
[ AB+А
A AB В

/\ 1+0 L 4?
f^B АВ+Е
АВ+В
А+А В

AB

Є

\ L+E
Ly 7
f L+AB АВ+Е
А+АВ АВ+В
A AB В



Рис. 19. Изобарные <;ечения Р— Т— .»--диаграммы состояния системы

Am _ BV

I

На T х-разрезе при уменьшенном давлении P2 (рис. 19, б) температуры кипения расплава понижаются (гетерогенная область уве-набор T—»диаграмм, причем каждая из них построена при заданнм ^JJjJ*"*) • J0™3 ^2 представляет собой тройную точку чистого давлении летучего компонента. Здесь рассматривается система, і м "!'^ a Доение F2 является-.минимальным, при котором которой паровая фаза практически целиком состоит из молекул ле 3 расплавить без разложения любой состав системы. При дав-тучего компонента, и поэтому из двух кривых, ограничивающих гете "Га (рис. 1У, в) для составов, находящихся правее точки Qs, рогенную область жидкость+'пар, верхняя кривая, определяющаі » ^tcjh равновесие L + В L + G, так как при температуре состав пара отсутствует (она сливается с ординатой летучего компс уходит возгонка кристаллов В, находящихся в равновесии с ра-нента В) Такое допущение оправдано только для некоторых систем р __ " • Дальнейшее понижение давления в системе (рис. 19, г, в частности для систем А"1 — Bv , у которых в паровой фазе не был* Что ^О приводит к исчезновению области (L + В). Это означает, обнаружено ни компонента А, ни молекул соединения. рав?'aJJfxдс?ст?в°в nPfBere эвтектической точки должно наблюдаться

' Анализ Т—х-сечений начнем с высоких давлений пара летуче« гект»,,,,.. + ь ^ L + U1 т. е. одновременно с плавлением эв-компонента (рис. 19, a, P = P1). В объемной Р-Т—х-диаграмме однофазным системам соответствует некоторый объем, равновесию дву* фаз — поверхность, равновесию трех фаз — линия и равновесию четырех фаз — единственная точка. На изобарных разрезах, как это еле дует из правила фаз, степени свободы уменьшаются на единицу, и однофазной области соответствует плоскость, равновесию двух фаз — линия и трех фаз — точка.

36

__, - I j, v. IWJJ р V^iVitn Xl W С- iljlc

тектики происходит возгонка кристаллов компонента В.

При давлении P5 (рис. 19, д) происходит возгонка компонента IAR составе эвтектики, связанная с Появлением гетерогенной области ' ° + G). Теперь для всех составов правее ординаты соединения AB , Ри температуре R5 наблюдается равновесие AB + В зрь AB + G, а ^P" более высокой температуре для составов правее точки Q5 AB + r-j» L+G. Давление P6, равное давлению диссоциации соединения в

17 точке плавления (рис. 19, е), является минимальным, при котором ецЛ возможно конгруэнтное плавление кристаллов соединения AB. I На T—лг-сечениях, выполненных при давлениях меньше критичес кого давления диссоциации P6 (рис. 19, ос, P = P7), наблюдаете] гогиюнтальная линия, пересекающая ординату химического соедине) ния ниже дистектической точки и соответствующая разложению крий таллов на жидкую и паровую фазы до достижения температуры плав!

t,°C

то

JOOO

-PH Э W7i ? CJ 8
N1 7°
( 11°
\ I 1 S N1
і V к
/ W

I

I

CU' Р,атм Ш'

яг'

Am. % а

I 10

WO

\ I V ?
\ Od If.
\ і
Vs « \ <
V. - --

в

JCu

20

IfO 60 Ат.%

ВО

Рис. 20. Проекции P— T—Jf-I диаграммы системы Cu—Р: J

а — на плоскость T — х; б — на1 плоскость P — Т; в —на плоскость Р — х

ления. Таким образом, нагрев кристаллов соединения AB под дав нием пара летучего компонента, равным P7*, приводит к диссоциаі кристаллов. Процесс будет продолжаться до тех пор, покакриста! AB не окажутся в равновесии с расплавом состава точки Q7. і меньше давление в системе будет отличаться от критического, ближе будет находиться состав расплава точки Q7 к дистектичесй точке, и при критическом давлении состав расплава совпадает с' ставом кристаллов AB, т. е. будет наблюдаться конгруэнтное пл ление.

Кроме изобарных сечений-для анализа P—T—і-диаграмм испо Зуют проекции на плоскости T—х, P—T и P—х. На рис. 20 (а, 6

* Давление пара создается конденсированной фазой компонента В, дящейся в «холодном» конце ампулы.

87

представлены проекции линий трехфазного равновесия бинарной системы Cu — Р. Комбинация двух любых проекций позволяет получить третью графическим построением.

Большую информацию о фазовых превращениях в системе представляет анализ P—Т-проекции. Кривая моновариантного равновесия (CuP2 + L + G) на Р—Т-проекции позволяет выбрать оптимальное сочетание параметров (температуры и давления), при котором можно выращивать монокристаллы соединения из расплава, представляющего собой раствор CuP2 как в летучем, так и в нелетучем компоненте. Точка N (рис. 20, б) соответствует четырехфазно-му равновесию эвтектики (CuP2 + Cu3P) с расплавом и паром, и из нее должны выходить четыре линии трехфазного равновесия. Одна из них — равновесие CuP2 + JrL + G, вторая соответствует равновесию кристаллов CuaP с жидкостью и паром, третья является линией трехфазного равновесия эвтектики (Cu3P + CuP2) со своим паром. Четвертая кривая трехфазного равновесия, соответствующая плавлению эвтектики без разложения (Cu3P + CuPjj+L), на проекции не приведена. Она представляет собой линию, почти параллельную оси давлений, так как равновесие между конденсированными фазами практически не' зависит от давления.
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама