Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 24

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 80 >> Следующая


Примечание. Работа распределяется между тремя исполнителями, изучг" щими по одной изотерме. Результаты работы обрабатываются совместно, j

64

ілюдения


Вещество Нагрузка Диагональ отпечатка. Деления Среднее арнфм. Диагональ отпечатка, MKM расчет H V- из таблицы
5) даннь ной систем тояния: - іе по опред te Sn-Pb елению обл выразить в асти гомоге форме таб.' і HHOCTH В I шцы и на щухке диагрг »мпонен-імме со-
Номер образца Состав образца, масс. % Температура отжига, °С Указание на гомогенность или гетерогенность ft . кг/мм» Iа •
/ ¦

6) выводы по работе.

Литература

•»JMPWIH«™. Mita-™»™," I9Ci " " " В- мя«Р"«РДость

ik Е. в. и др. Лабораторна, „аталжя-рафия. Металлургия,

____ _

с Физическое металловедение. Под ред.

Р. Кана. Мир, т. 2, 1968, с. 402

87 часть ii

методы синтеза и очистки полупроводниковых

соединений. выращивание монокристаллов

Чистые вещества и их классификация. В СССР принята классификац, чистых материалов для полупроводниковой техники, согласно которой они по разделяются на 3 класса: А, В, С. К классу чистоты Al и А2 относятся вещесц с содержанием примесей выше 0,01%, которые можно определить метода,, классического химического анализа. К классам чистоты ВЗ— В6 и С7—ClOc носятся вещества, для которых приводятся характеристики лишь по содержаві анализируемых примесей.

В последнее время высокочистые материалы принято подразделять на в щества эталонной чистоты (ВЭЧ) и особо чистые вещества (ОСЧ). В первых л митируют присутствие небольшого количества особо нежелательных примео При этом указывают общее содержание примесей в виде цифр перед индекс ВЭЧ, а также количество определяемых примесей и их суммарное содержат Например, обозначение 003ВЭЧ4-7 соответствует материалу с общим соде жанием примесей 0,003 масс.%, с четырьмя определяемыми примесями, кол 'чество которых равно Ю-7 масс. % По сравнению с материалами класса БЗ вещества ОСЧ характеризуются большей чистотой. При этом количество опр деляемых примесей значительно больше, а потому общее содержание прим« практически соответствует сумме определяемых. Например, обозначен ОСЧ 10-5 соответствует особо чистому веществу с десятью определяемыми Cf месями и с их общим содержанием IO-6 масс.% (по старой классификации Б!

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только і легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для up акті» » ского применения, а иногда и способ получения. Например, мар " БКЭФ-Ю/0,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зош плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфор (Ф) с удельным сопротивлением 10 Ом-см и временем жизни веосновных но. телей 0,2 мкс; арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легирс* цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-.1017. Фосфид галлия, применяемый J фотодиодов, маркируется, например, так: ФГЭТК-К/30 [Э — электронного ти: -щ— легирован теллуром, кислородом, — красное свечение р-п-перехс: 30 — яркость свечения, кд/м2 (нит)].

Термодинамические условия зарождения фазовой границы. Пр

цессы кристаллизации представляют собой фазовые переходы, 1 провождающиеся увеличением степени упорядоченности. Эти пр цессы подразделяются на 2 типа: газ—кристалл, жидкость (стекле) кристалл. В термодинамическом отношении данные фазовые ра» весия описываются однотипно. В предкристаллизационный перио/ жидкости образуются ассоциаты в пределах ближнего порядка, к<>' рые, однако, не могут стать зародышем новой фазы из-за термодина" ческой нестабильности. Эта нестабильность —следствие их больШ поверхностной энергии. Возникающие таким образом гомогеЖ флуктуации не способны к самостоятельному существованию в Pj плаве, и время их релаксации зависит от многих факторов: вязк^ теплопроводности, теплоемкости и т. п. По мере снижения теми

43

уры стабильность и время релаксации (т) гомогенных флуктуаций ^растают. Если т-v- оо, эта величина исключается и для анализа системы достаточно знания термодинамических параметров.

Зародышем новой фазы следует считать ассоциат минимального размера, стабильность которого не зависит от времени." Образование зародыша сопровождается возникновением фазовой границы, что связано с затратой работы. Выделяющаяся при этом скрытая теплота кристаллизации должна эффективно отводиться для обеспечения изотермических условий. В частности, образование гетерогенной флуктуации (зародыша новой фазы) в расплаве при температуре кристаллизации (температуре плавления) невозможно, поскольку выделяющаяся' скрытая теплота кристаллизации способствует разрушению новообразований. Для образования зародыша необходимо переохлаждение расплава, компенсирующее выделение тепла.

Для оценки размера критического зародыша необходимо учесть" соотношение объемной и поверхностной свободной энергии при образовании новой фазы. Изменение свободной энергии при кристаллизации (для сферического зародыша) можно представить в виде

AG = 4Ttr2Tf + lIanr^kGv % ' (1)

где V — удельная поверхностная энергия; AGj/ — изменение свободной энергии при кристаллизации для единицы объема; г — радиус зародыша; Y и AG1/ не зависят от г и имеют разные знаки.
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама