Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 27

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 80 >> Следующая


Для оценки равновесного коэффициента распределения часто пользуются следующие эмпирические закономерности: 1) тетраэдри-есккй радиус многих примесей в германии и кремнии при температуре давления полупроводника изменяется симбатно с изменением коэф-

ента распределения. Эта зависимость определяется типом вхож-

примеси в решетку основного вещества и характером образую связей; 2) зависимость между k0 и стандартными энтальпиями

Іения Чихся _

-Ублимации примесей при температуре плавления; основой корреля-г служит зависимость между энергией атомов в простом веществе и Рдом растворе его в полупроводниковом материале.

60

61 В реальных условиях кристаллизация почти всегда протекает ц! равновесно. При заметных скоростях кристаллизации процессы дм фузии не успевают выравнять концентрацию примеси во всем объ^ расплава. При этом для примесей с k0 < 1 впереди фронта кристалу зации возникает слой жидкости толщиной В, обогащенный пример по сравнению с ее содержанием в расплаве. Поскольку наращиващ кристалла происходит именно из этого прилегающего к кристаллу ело? называемого диффузионным, а не из основной массы расплава, то состав закристаллизовавшейся части также будет определяться отц( шением Cra = /гэффСж, где Cn' — концентрация примеси в слое >кц;

кости, прилегающем к фронту кристаллизации; Ctb— концентрат

примеси в твердой фазе вблм фронта кристаллизации. СвязГ между равновесным и эф тивным коэффициентом распр деления определяется выра»| нием

&эфф:

+ — h)e

ul D

Величина приведенной

Рис. 32. Участки диаграмм состояния

в области разбавленных растворов: а —примесь понижает температуру плавления !растворителя (fc0 < 1); б — примесь повышает температуру плавления растворителя

vb/D называет!: екоробтью Oh включает в еебя три парамеі pa; V —скорость кристаллиза ции, cm/g; 8 —толщину фузионного слоя зкидкоск см; D — коэффициент дифф зии примеси в раеплагі ем2/с.

При малых значениях їй эффективный коэффициент kJ приближается к равновесное k0, а при больших /гЭфф станови ся равным единице. В реальий условиях &эфф имеет проме»! точную величину между эти/ •крайними значениями. Именно эта величина эффективного код фициента распределения отражает конкретные условия кристаллиз| ции. Для очистки наиболее благоприятны режимы, при которых k^ k0. Этому способствует медленность процесса кристаллизации (мальИ применение перемешивания (которое уменьшает толщину ди<|вд зи0нн0г0 слоя 8) и большие значения коэффициентов диффузии Wi меси. Толщина обогащенного слоя в зависимости от уеловий пере5] шивания может составлять 0,1—0,001 см. Скорости кристаллизаВІ (в зонной плавке) составляют от нескольких долей миллиметров I 3 мм/мин и коэффициенты диффузии примееей в зависимости от ' природы имеют порядок Ю-4 — Ю-6 см8/а.

?2

РАБОТ А 5. ПОЛУЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ С МАЛЫМ ДАВЛЕНИЕМ ДИССОЦИАЦИИ (ОДНОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ)

Особенности и границы применимости метода. Однотемператур-

JjjJji синтез из компонентов является одним из наиболее простых в распространенных. Преимущества этого метода: а) простота достижения стехиометрии в процессе синтеза и отсутствие потерь компонентов; б) несложное аппаратурное оформление; в) отсутствие посторонних веществ и избытка компонентов, которое обусловливает высокую чис-т0ту получаемого продукта. Тем не менее этот метод обладает рядом недостатков, ограничивающих область его применения. Он применим лишь для получения веществ из малолетучих компонентов, поскольку при заметной их летучести возможны отклонения от стехиометрии за счет испарения. Данным, методом трудно получать соединения, образующиеся по перитектической реакции. Поскольку необходимо нагревание компонентов выше температуры плавления соединения, то получение тугоплавких фаз также затруднено. Это связано с необходимостью использовать специальные нагреватели, а также с ограничениями при выборе контейнерных материалов".

Прямой однотемпературный синтез может быть применен лишь к соединениям, образующимся в условиях нонвариантного равновесия, т. е. когда состав практически не зависит от давл-.ния. Для обоснованного выбора режима синтеза необходимо знать лишь T—х-диаграмму состояния данной системы. Этот метод можно иногда использовать и для получения соединения из компонентов, обладающих заметной летучестью, при условии, что давление диссоциации соединения намного меньше, чем давление пара компонентов при той же температуре (и составляет не более 0,1 атм). При этом нагревание необходимо произ-' водить осторожно, постепенно поднимая температуру в соответствии со скоростью реакции во избежание разрушения ампулы.

Экспериментальная часть

Задание. ОднОтемпературным методом необходимо синтезировать одно из соединений: InSb, GeAs или Bi2Te3.

Оборудование и материалы

Ампулы из кварцевого стекла*; печь с силитовым или нихромовым нагревателем и терморегулятором; установка для откачки н отпаивания ампул; XA-термопары и потенциометр ПП-63; металлический индий, сурьма, висмут, теллур, ГеРманий, мышьяк.

Физико-химические свойства антимоиида иидия. Антимонид индия крис-аллизуется в структуре цинковой обманки. Каждый атом одного сорта расположен в центре тетраэдра, образованного четырьмя ближайшими атомами другого Рта. И хотя точечная группа кубическая, полной симметрией антимонид индия.
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама