Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 28

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 80 >> Следующая


обладает. Это подтверждается анизотропией некоторых свойств (электропро-

2 Для синтеза InSb и Bi2Tea используют ампулы с толщиной стенок 1,5—

'> Для GeAs— с толщиной стенок 2,5—3 мм; диаметр ампул-10—15 мм.

63 t,°c

SOD

JOO WO JOO

mi

woi

водность, различная химическая активность граней и др.). В химическом отн0 шении антимонид индия инертен, однако при повышенных температурах он окис, ляется кислородом воздуха до соответствующих окислов. Так-же ведут себя ( компоненты соединения. Это необходимо принимать во внимание при синтез^

Диаграмма состояния системы In—Sfc представлена на рис. 33. Оба элемента обра зуют между собой единственное конгруэнтно плавящееся соединение эквиатомного соо тава. Эвтектика InSb-Sb содержит 70,< ат.% сурьмы и кристаллизуется при 505°( Эвтектика InSb—In вырождена. Область гомо

генности соединения очень невелика. Кристал, лизация его идет со значительным увеличе нием объема (на 11,4%). Давление пара на; антимонидом при температуре плавления око® 10 мм рт. ст.

Микроструктура хорошо выявляется трав, лением в СР-4 или в 5%-ном растворе FeCl в соляной кислоте (1:2). Помимо указанных тра,1 вителей антимонид индия взаимодействует и азотной кислотой.

Физико-химические и


у 53 6" 505°
t л WJt
/

/55'


0 In

20

SO

Ат.%

Sb

Рис. 33. Г—ж-диаграммз системы In—Sb •

характеристики антимонида индия:

электрофизически

Температура плавления, С ..¦¦...<

Плотность, г/см3.............

Микротвердость, кг/мм2 ..........

Ширина запрещенной зоны при 0 К, эВ . . Концентрация собственных электронов, см 3

Подвижность электронов, cm2/В-с.....

Подвижность дырок, см2/В-с .......

Термо-э. д. е., мкВ/град.........

536 5,78 220+10 0,25 101& 6,5-10* IO6 —300

Физико-химические свойства теллурида висмута. Теллурид висмута eil л а дает ромбоэдрической кристаллической структурой. Его кристаллы состав леиы из атомных слоев, чередующихся в направлении оси с в последовательности

Те' — Bi —Те" — Bi — Те' — Те' — Bi — Те"— Bi — Те'

I

Важной структурной особенностью является приблизительно октаэдрП ское расположение атомов Те' вокруг атомов Те"ои атомов Те' вокруг атомов Ь Связи между атомами далеко не равноценны (Д): Bi—Те' — 3,12, Bi—Te'-j 3,22, Те'—Те" (между соседними слоями) 3,57. Поэтому теллурид висмута ими хорошо выраженную плоскость спайности. Те же причины лежат в основе S рошо известной анизотропии этого соединения. В направлении, перпендикуляр ном и параллельном плоскости спайности, все параметры чрезвычайно разня-rq В частности, это относится к теплопроводности: ''-]_ — 0,0075 Вт/см-град. *И

= 0,0175 Вт/см-град.

В химическом отношении теллурид висмута так же, как и антимонид инди достаточно благороден. Тем не менее он растворим в окисляющих кислотах (asf ная кислота — распространенный травитель данного соединения), взаимодей' . вует с кислородом воздуха при температурах выше 300° С. Некоторые наиба-важные свойства теллурида висмута:

Температура плавления, °С . Плотность, г/см3 ......

Микротвердость, кг/мм2 . . . Ширина запрещенной зоны, зВ Термо-э. Д. е., мкВ/град Электропроводность (20°С), Ом 1-см *

585 7,85 30 0,19 +230 140—400

ЛІСПІ ^иириоимпід-іи ^ 1 ---- --— -

(Упругость пара при температуре плавления невелика)

64

Диаграмма плавкости системы Bi-Te представлена на рис. 34 Существует четыре соединения висмута с теллуром: Bij4Te5, Bi2Te1 BiTe, Bi2Te3 Фаза Bi2Te3 плавится конгруэнтно, остальные же плавятся инконгруэнтно и образуются по перитектической реакции из более тугоплавкого соединения и жидкости соответствующего состава:

Bi2Te3 (тв) + L1 ^ BiTe (гв) BiTe (тв) + L2 Bi2Te (тв) + L2 BiuTe6 (тв)

Bi2Te (тв)

Три соединения Bi2Te3, BiTe и Bi2Te имеют достаточно широкие области гомогенности, при этом Ві2Тез-склонен к растворению избытка теллура, в ,то время как Bi2Te и BiTe легче растворяют избыток висмута.

щ

10

20

T



Масс.% JO ItO 50 ВО 70 80 SO

1 и и

Масс. %

W 20 SO W SO во

Рис. 34. T—х-диаграмма системы Bi-Te

Рис. 35. T-

лг-диаграмма Ge-As

системы

Физико-химические свойства арсенидов германия. В системе Ge—As (рис. 35) установлено существование двух промежуточных фаз GeAs и GeAsa с широкими областями гомогенности (42—59 и 61—76 ат. % соответственно). Предполагается существование узкой гетерогенной области между ними, вытекающее из правила фаз; однако экспериментально эта область пока не обнаружена. Остается открытым вопрос и о природе этих фаз (дальтоннды или бертол-лиды). Максимальная температура плавления в области существования GeAs '37°С, а в области GeAs2 732°С. Низкие температуры плавления и пологие Максимумы, отвечающие промежуточным фазам, свидетельствуют об их значительной термической нестабильности и практически полной диссоциации на компоненты в расплаве.

Моноарсенид германия обладает моноклинной кристаллической структурой. заметно слоистой, и вследствие этого сильно анизотропен. Для структуры "e^s характерны катион-катионные связи. Пара атомов германия находится в Центре искаженного октаэдра, образованного атомами мышьяка. Таким образом, каждый атом германия в GeAs тетраэдрически окружен тремя атомами As °ДНим атомом Ge, а каждый атом мышьяка находится в вершине тригональной 11Pамиды, основание которой слагается тремя атомами Ge. '
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама