Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 30

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 24 25 26 27 28 29 < 30 > 31 32 33 34 35 36 .. 80 >> Следующая


Независимое регулирование температуры и давления в процессе синтеза позволяет варьировать условия опыта от мягких до жестких. ' чиелу достоинств описываемого метода относится возможность синте-соединений G высокими значениями температуры плавления и давления диссоциации, перитектических фаз и соединений, претерпевающих фазовый переход в твердом состоянии. В принципе этот метод можно Читать достаточно универсальным, однако его практическое при- менение ограничено необходимостью знания P —Т—х-диаграмм состояния, которые в настоящее время известны не для всех систем. Сведения о P—T—»диаграммах являются необходимым, но недостд. точным условием, обеспечивающим обоснованный выбор технологи, ческого режима проведения процесса двухтемпературного синтеза. Кроме термодинамических параметров следует иметь в виду и возмож. ные кинетические ограничения, связанные с конечной скоростью на. сыщения конденсированной фазы летучим компонентом из пара.

Экспериментальная часть

Задание. Необходимо синтезировать слитки CuP2 или InAs (по выбору). - "

Оборудование и материалы

Кварцевые трубки для ампул (внутренний диаметр 10—15, толщина стенок 3 —"4 мм); двухзонная печь с раздельной регулировкой температур; две термопары (XA) и прибор для измерения температуры (потенциометр ПП-63)'; феррорезонансный стабилизатор напряжения на 0,75 кВт (С-0,75).

Металлическая медь в виде порошка или тонкой фольги (М-0), индий (Ин-0 фосфор В4—В5, мышьяк ВЗ—В5.

Физико-химические свойства дифосфида меди. Дифосфид меди СиРг обладает моноклинной элементарной ячейкой. Атомы фосфора объединяются в гофрированные слои, параллельные плоскости be, образуя двухмерную сетку, состоящую из десятичленных колец Р. Кратчайшее расстояние между атомами фосфора в слоях составляет 3,60Д, в то время как среднее расстояние в кольцах— 2,20 Д (тетраэдрический ковалентный радиус фосфора 1,10 Д). Между слоями п середине колец имеются октаэдрические пустоты, каждая из которых занята парой Cu—Cu. Расстояние между атомами меди равно лишь 2,48 Д (радиус Гольдшмидта для меди 1,28 Д). Каждый атом меди тетраэдрически окружен четырьмя атомами фосфора на среднем расстоянии 2,37 Д. Атомы фосфорз структурно неравноценны: атом P' окружен тремя атомами Cu и двумя атомами Р", а атом Р" тетраэдрическн окружен одним атомом Cu, двумя атомами Р" и OS ним атомом P'. Фосфорные слои связаны между собой только связями P—Cu.

Низкосимметричная слоистая решетка CuP2 обусловливает сильную анизотропию свойств соединения, в частности, хорошо выраженную плоскость спайности в направлении [010] и малые значения подвижности носителей тока.

CuPi — хрупкое вещество темно-серого цвета, со смолистым блеском bs сколе, напоминающим кремний или InP. Дифосфид меди в монокристаллическои виде неограниченно устойчив во влажной атмосфере и не изменяется при Harpf вании на воздухе до 300°С, устойчив к действию концентрированных и разбав ленных растворов минеральных неокисляющих кислот, очень медленно раств"' ряется в HNO3, причем более стоек по отношению к холодной концентрированной кислоте, чем к разбавленной. Хорошо растворим в смеси ЬШОз+ЗНСІ. Зг-висимость давления диссоциации CuP2 от температуры по схеме

-^pCuP2 (тб) ** -J Cu3P (тв)+ P4 (г)

в интервале температур 600—890°С выражается уравнением

11200

IgP (атм)= 10,760-—- • і» К

68 равновесное давление пара фосфора при т.пл.-891°С составляет'около> 15 атм. дифосфид меди — полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,45'эВ. Некоторые физико-химические свойства CuP2:

Температура плавления, °С ....... . 891° +1

Давление пара при т. пл., атм............14,5+0,5

Плотность, г/см3:

пикнометрическая ..... ..... 4,20

рентгеновская . ..................4,31

Микротвердость (в плоскости 010), кг/мм2 190

Ширина запрещенной зоны (термическая^, эВ 1,45

Электропроводность(25°С), Oir1-CM"1 .* . . 6—10

Концентрация носителей (25СС), см~3 ... <5—9)-1017

Подвижность носителей (25°С), см2/В-с .'. 50—70

Термо-э.д.с. (25°С), мкВ/град . . . . ; . • +450

Согласно диаграмме состояния (см. рис. 20) в системе Cu-P существуют два конгруэнтно плавящихся соединения: CusP (т. пл. 1022°Q и CuP2, образующие между собой эвтектику при 49 ат. % (32 масс. %) фосфора и 833°С. Давление пара фосфора, отвечающее эвтектическому составу, составляет около 1,5 атм. Пологий максимум, отвечающий дифосфиду меди, свидетельствует о существенной диссоциации в расплаве. Эвтектика со стороны фосфора вырождена.

Физико-химические свойства арсенида индия. Арсенид индия кристаллизуется в кубической структуре цинковой обманки (сфалерита), .аналогичной структуре алмаза, с тем отличием, что в решетке чередуются атомы индия и мышьяка. Атомы каждого сорта образуют свои кубические гранецентрированные подрешетки, каждая из которых смещена относительно другой на четверть диагонали куба. При обычных условиях арсенид индня достаточно устойчив. Окисление на воздухе начинается при 450°С, диссоциация в вакууме — около 720° С. Арсенид индия хорошо растворяется в кислотах, являющихся окис: лителями, причем процесс идет интенсивнее в присутствии комплексообразователей.
Предыдущая << 1 .. 24 25 26 27 28 29 < 30 > 31 32 33 34 35 36 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама