Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 33

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 27 28 29 30 31 32 < 33 > 34 35 36 37 38 39 .. 80 >> Следующая


Порядок выполнения работы. Стехиометрические навески металла и фосфора вместе с навеской растворителя, достаточной для полного растворения компонентов, помещают в вакуумировзнные кварцевые ампулы. Диаметр ампул 10—15, толщина стенок 2-=-3 мм, остаточное давление после вакуумирования IO"2—IO"3 мм рт. ст. Сплавление производят в горизонтальной печи.

t,°c

BDO 500 WO 300

200

D 10 20 30 W 50 60 70 SO 90 100 Ga % Ат.% и

Рис. 43. T—^-диаграмма системы Ga—Bi

/ - / / - \ \ \
»--1
/ >

260°



Bl 20 W 60 60 P

Ат.%

Рис. 44. Т— .»диаграмма системы Bi—P

Режим синтеза фосфида индия. Ампулу с компонентами в течение 2 ч нагревают до 500°С-и выдерживают при этой температуре 1 ч. После этого в течение 3 ч температуру доводят до IOOO0C После выдержки (1—1,5 ч) печь выключают. Ампула охлаждается вместе с печью. В результате синтеза образуются мелкие кристаллы фосфида индия серого цвета, вкрапленные в слиток свинца.

Режим синтеза фосфида галлия. Температуру ї печи в течение 1 ч поднимают до 450—500°С. Проводят часовую выдержку в этих условиях, после чего температуру плавно повышают до 900—IOOO0C. Вновь производят выдержку, затем печь выключают. Размеры и форма кристаллов существенно зависят от концентрации раствора и условий охлаждения. После выключения печи и охлаждения ампулы до 500°С, не вынимая, устанавливают ее вертикально. При этом более легкий ,фосфид всплывает, а на дне остается слой металла-растворителя. Полностью охлажденную ампулу разбивают, извлекают слиток, отделяют верхнюю его часть и растворяют в концентрированной азотной кислоте. При этом сорбированный кристаллами фосфида растворитель переходит в раствор, а нерастворившийся фосфид отфильтровывают при помощи воронки Шотта. Нижняя часть слитка (растворитель) может быть вновь использована для аналогичных синтезов.

74 форма отчета. Отчет должен содержать: 1) обоснование выбора индифферентного растворителя, 2) расчет необходимого количества компонентов для синтеза, 3) краткое описание методики синтеза, 4) описание внешнего вида кристаллов.

Литература

Горюиова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. Советское радио, 1968.

Горюнова Н. А. Химия алмазоподобиых полупроводников. Изд-во ЛГУ. 1963, с. 95—112.

Соединение переменного состава. Под ред. Б. Ф.Ормоита. М.—Jl., Химия, 1969, с. 368—407.

Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975.

работа 8. получение полупроводниковых материалов методом газотранспортных реакций

Особенности и границы применимости метода. Метод газотранспортных реакций относится к числу химических. Этот метод служит не только способом получения, но может также использоваться для глубокой очистки, выращивания монокристаллов, пленок и эпитак-сиальных слоев. К достоинствам метода относятся простота аппаратурного оформления; возможность управления составом равтущего кристалла; менее жесткие требования, предъявляемые к конструкционным материалам.

В методе газотранспортных реакций применяются более низкие температуры, чем в металлургических процессах. Это уменьшает возможность взаимодействия с деталями аппаратуры повышает чистоту продукта и облегчает выбор материалов контейнера. Этот способ наиболее приемлем для получения материала в виде низкотемпературной модификации.

К числу недостатков следует отнести сравнительно небольшие «корости роста кристалла. Кроме того, в результате газотранспортных процессов получаются, как правило, кристаллы небольшого размера. Все процессы—и синтез, и очистка, и выращивание монокристаллов — возможны лишь при наличии подходящей транспортной реакции, протекающей с приемлемой скоростью Для ряда веществ такие реакции еще не найдены.

Общие закономерности транспортных реакций. Перенос вещества при газотранспортных реакциях осуществляется при наличии градиеша концентрации между зонами, который создается разностью температур или давлений. Если перенос вещества идет через газовую или паровую фазу, то реакция называется газотранспортной Схематически процесс взаимодействия твердого вещества А(тв) g газообразным С(г) может быть представлен уравнением А(тв) 4 С(г) АС(г), где C(f) — транспортер, в качестве которого обычно используются различные •^гколетучие вещества (галогены, галогеноводороды, водород, Сероводород, кислород, вода и т. п.). 'Образующееся при реакции Летучее вещество АС(г) переносится (транспортируете я) газовым по-

75 током или диффузией из зоны реакции в другую зону, имеющую иные термодинамические параметры, обеспечивающие протекание реакции в обратном направлении. Кинетика процесса может рассматриваться как последовательное протекание следующих четырех стадий: 1) образование из твердого вещества А(тв) и газообразного транспортера С(г) летучего продукта АС(г) в первой зоне; 2) перенос летучего продукта АС(г) из первой зоны ео вторую; 3) разложение летучего продукта АС(г) (смещение равновесия влево) на твердую фазу А(тв) и газообразный реагент С(г) во второй зоне; 4) перенос транспортера С(г) в обратном направлении — из второй зоны в первую. Суммарная скорость транспортного процесса лимитируется самой медленной стадией. Чаще всего при используемых на практике температурах и давлениях ею является вторая стадия процесса.
Предыдущая << 1 .. 27 28 29 30 31 32 < 33 > 34 35 36 37 38 39 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама