Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 36

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 30 31 32 33 34 35 < 36 > 37 38 39 40 41 42 .. 80 >> Следующая


Запаянная с одного конца кварцевая ампула с известным объемом подвергается химико-термической обработке: промывается горячей царской водкой, дистиллированной водой, этиловым спиртом и вЫ-

Длина печи 6

Рис. 45. Схема установки (а) и температурный профиль печи (б) .для иодид-- ного транспорта InAs и InAsjcPjujc:

/ — выращенные кристаллы; 2 — ампула; 3— навеска иода в капилляре; 4 — исходное вещество; в, в —термопары; 6, 7 — двухзонная печь ,.щивается в сушильном шкафу при 120°С. Навеску арсенида индия п\\ смесь кристаллов InAs и InP в заданном отношении (в количестве ^ 3 г), предварительно протравленную в концентрированной соляной слоте, промытую водой и спиртом, помещают в ампулу. Слиток InAs предварительно рекомендуется измельчать до размера зерна 1—3 мм. При этом следует иметь в виду, что мелкодисперсные порошки обладав i0T повышенной склонностью к окислению, а крупные кристаллы, обладая сравнительно слабо развитой общей поверхностью, значительно медленнее реагируют с иодом. Принимая во внимание повышенную летучесть иода, во избежание потери его при вакуумировании навеску носителя предварительно помещают в тонкостенный стеклянный капилляр и запаивают. В дальнейшем при нагреве ампулы в печи под действием давления пара иода капилляр разрушается и иод поступает в реакционное пространство.

Исходный иод необходимо предварительно очистить сублимацией. В круглодонную колбу помещают около 5 г иода. Сверху через корковую пробку вставляют пробирку, наполненную холодной водой. -Колбу слегка подогревают до появления фиолетовых паров. При этом на внешней поверхности холодильника наблюдается конденсация пластинок и дендритов очищенного иода.

Полученные кристаллы иода измельчают в фарфоровой ступке. Погружая в порошок запаянный с одной стороны капилляр, набивают его иодом. Для уплотнения набивки капилляр периодически сбрасывают на горизонтальную поверхность через вертикально поставлен-, ную стеклянную трубку длиной около 0,5 м. Операцию повторяют до тех пор, пока капилляр примерно на 2/3 не будет заполнен иодом. Затем свободный конец капилляра осторожно запаивают в пламени горелки. Массу взятой навески иода определяют по разности веса заполненного и пустого капилляра. Если количество иода в одном ка- 4 пилляре недостаточно для проведения процесса, то в ампулу можно поместить несколько капилляров. После загрузки компонентов и носителя на открытом конце ампулы делают перетяжку с оливкой. Ампулу вакуумируют до остаточного давления 1 • Ю-3 мм рт. ст. ¦ и отпаивают. ,

Подготовленную ампулу помещают в печь таким образом, чтобы компоненты находились в горячей зоне. Одновременно нагревают обе печи до температуры ~ 800°С, а затем устанавливают рабочий режим (см. таблицу). •

Режим переноса InAs и InAs0 gP0 2

Состав исходной CM№", мол. %. • U, °С tu °С
ItIAs +InP
IOo 0 900 880
80 20 930 . 900

Концентрация иода, мг/смг

Вид кристаллов

Объемные кристаллы до 6 X Х5Х4 мм

Пластинчатые кристаллы до 10x5x2 мм

В указанных условиях иод находится в состоянии ненасыщенного пара. Кроме того, давление пара фосфора и мышьяка над InP и 1пД5 не достигает равновесного значения. В замкнутом пространстве ам. пулы при температуре t2 осуществляется, например, процесс:

InAs (тв) ^ In (ж) + 1Ii As4 (г) In (ж) + 1,512 (г) a InI3 (т) InI3 (г) + 2 In (ж) ЗІпІ (г)

Образовавшийся в «горячей» зоне моноиодид индия под действием гра. диента температуры диффундирует в «холодную» зону (Z1), где диспро. порционирует по схеме

ЗІпІ (г) =^* 2In (ж)+ IrrI3 (г)

Выделившийся индий реагирует с парообразным мышьяком, обра-зуя кристаллы InAs, которые растут на стенках ампулы. Трииодид индия диффундирует в горячую зону, где -вновь реагирует с индием, и процесс повторяется.

В процессе кристаллизации при прочих равных условиях решаю щую роль играет концентрация пара иода в ампуле. При Ci2 а ?»0,5—1,5 мг/см3 происходит рост объемных кристаллов с ровными зеркальными гранями, при Cis ~ 3—4 мг/см3 вследствие возрастающей скорости переноса в образующихся кристаллах наблюдаются пустоты и раковины, при более высокой концентрации носителя происходит растравливание кристаллов парами иода. Наиболее благоприятные условия, приводящие к образованию достаточно крупных кристаллов, Cis=I мг/см3, t2 = 920—930° С, Z1 = 900 -910° С. При этом общее давление газообразных компонентов системы не превышает 3 атм (верхний предел давлений диффузионной области). В закрытом процессе перенос определяется диффузией при постоянном градиенте концентраций. Скорость переноса при диффузионном контроле обратно пропорциональна интегральному давлению в системе. Поскольку в данном синтезе давление сравнительно велико, то врем» процесса должно быть достаточно большим (не менее 6 ч) для получения кристаллов приемлемых размеров. По окончании процесса печь охлаждают таким образом, чтобы весь иод сконденсировался в области источника. После полного охлаждения ампулы ее извлекают из печи, вскрывают под тягой, полученные кристаллы отмывают спиртом о1 возможных следов иода.
Предыдущая << 1 .. 30 31 32 33 34 35 < 36 > 37 38 39 40 41 42 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама