Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 37

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 31 32 33 34 35 36 < 37 > 38 39 40 41 42 43 .. 80 >> Следующая


Определение некоторых физических свойств выращенных кристаллов. Плотность определяют пикнометрически по стандартной методик и рассчитывают (г/см3) по формуле

Pi — Pi

(Pi — Pl) — (Ps — Pu)

где P1 — масса пустого пикнометра, г; р2 — масса пикнометра с & ществом, г; P3 — масса пикнометра с веществом и водой до метки, ¦ P1 — масса пикнометра с водой, г; при этом р4 — P1 равно массе водь' объеме пикнометра или (условно) объему пикнометра (приним

82

-220В

Рис. 46. Схема установки для определения термо-э.д.с. (термозонд):

/ — вольфрамовая игла, запрессованная в стержень; 2 — медный стержень; 3 — печь термозонда; 4 — термопара; б —- образец; 6 — массивный медный блок

jh0== 1 г/см3); Ps —P2—массе воды над веществом или' (условно) объему свободной части пикнометра; (pk—P1)—(р3—рг) припишется за объем взятой навески (р2 — Pi) вещества. ь fun проводимости и дифференциальную термо-э. д. с. определяют термозондом (рис. 46). Термозонд состоит из медного стержня 2 диа-jjerpoM 5 мм, на конце которого впрессована вольфрамовая игла 1. Вблизи цг.пы в медном стержне в специальном отверстии закреплена ХА-термопара 4 для измерения температуры иглы. Стержень 2 обогревается печью 3, состоящей из керамического полого цилиндра, на который намотана нихромовая. спираль. Питание печи осуществляется через автотрансформатор. Образец 5 помещают на массивный медный блок 6, находящийся при комнатной температуре. Иглу опускают на образец при помощи манипулятора (препаратоводи-тель CT-11). Возникающую термо-э. д. с. измеряют низкоомным потенциометром Р-306. Знак термо-э. д. е., а следовательно, и тип проводимости образца определяют предварительной калибровкой установки по кремнию п- и р-типа. Дифференциальную термо-э. д. с. а (мкВ/град) определяют по формуле

a = ± EJAt,

где E — термо-э. д. е., определяемая потенциометрически, мкВ; At — разность температур между зондом и основанием, °С. Поскольку холодные концы термопары 4 находятся при той же температуре, что и медный блок 6, то разность температур равна температуре, определяемой по потенциометру ПП-63. Знак а совпадает ВД знаком Е. ¦

Микротвердость при наличии достаточно крупных кристаллов определяют по методике, описанной в работе 4 (нагрузка 50 г).

Ферма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) формулировку поставленной задачи; 2) описание и схему установки; 3) обоснование выбора режима и описание методики проведения эксперимента; 4) описание внешнего вида полученных кристалов, их размеров 1! формы; 5) результаты определения плотности, типа проводимости,.

®'Фференциальной термо-э. д. с. и микротвердости; 6) выводы по работе.

Литература

^Новоселова А. В. Журн. BXO им. Д. И. Менделеева, 1968, 13,

к ,Новоселова А. В. Изв. AFT СССР, «Неоргаиич. материалы», 1965, 1, ' 1010. - Новое в получении монокристаллов полупроводников. Сб. статей."ИЛ, Igrw

с. 118-124. '

Практикум поіїолупроводникам и полупроводниковым приборам. Под ре„ К. В.-Шалимовой. Высшая шкОла, 1968, с. 136—145.

Процессы роста и выращивания монокристаллов. Под ред. Н. Н. Шефтал,

ИЛ, 1963, с. 488-521.

Степин Б. Д. и др. Методы получения особочистых неорганически, веществ. М. — Л., Химия, 1969. - ' *

Ш е ф ф е р Г. Химические транспортные реакции. Мир, 1964,

РАБОТА 9. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА (НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ)

Особенности и границы применимости метода. Метод выращивания монокристаллов элементарных и сложных полупроводников из рас. плава, состав которого близок к составу получаемого кристалла, об.

S стВ

К </

L

г* V*

iv^L

Pmfl

I L

! 5"

С
стВ

S L

КЧ

С
CmB
1?
.LJk

S L

Рис. 47. Обогащение (а) и обеднение (б) расплава примесью вблизи фронта кристаллизации

ладает двумя важными преимуществами по сравнению с остальным^ способами: высокой скоростью роста и возможностью получены^ больших монокристаллов. Однако этот метод неприменим для веществ, плавящихся инконгруэнтно, а также, если наблюдается фазовый} переход в твердом состоянии. Кроме того, метод выращивания из рас плава иногда связан с применением высоких температур, что так»' ограничивает его применимость.

Скорость роста кристалла будет определяться следующими <] торами: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температур2 в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристалі !Лизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, торые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные пр° цессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими ско ростями роста так, что равновесие между расплавом и растут"! кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фр01;;; кристаллизации в расплав примесь (при k <; 1) не успевает равномер111 распределяться по всему объему жидкости, и концентрация приМсС у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл P^ тет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогай1
Предыдущая << 1 .. 31 32 33 34 35 36 < 37 > 38 39 40 41 42 43 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама