Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 39

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 33 34 35 36 37 38 < 39 > 40 41 42 43 44 45 .. 80 >> Следующая


После установления температурного режима печи в нее вводят ампулу, которую при помощи крючков соединяют с мотором и противовесом. Ампула должна целиком помещаться в высокотемпературной зоне печи так, чтобы загруженные компоненты расплавились и произошло их взаимодействие. Температура в этой части печи должна на 40—50°С превышать температуру плавления соединения. После изотермической выдержки в течение 30—40 мин включают мотор, и ам-пула начинает перемещаться в более холодную зону. Происходит направленная кристаллизация расплава и возможен рост, монокристал-. рЭ- Скорость движения ампулы выбирается в пределах от 0,5 до 3 см/ч. «ли при высокой скорости роста монокристалл не образуется, необходимо снизить скорость движения ампулы, одновременно выяснив, ет ли препятствий для равномерного движения ее. Всякого рода тол-ки и вибрация могут способствовать возникновению побочных цен-Ров кристаллизации и порче монокристалла.

По окончании процесса печь охлаждают со скоростью 20 град/мин, Изг°К извлекают из ампулы и исследуют на монокристалличность отовлением и протравливанием шлифа и другими методами. В пер-1 приближении можно судить о качестве монокристалла по сколу,.

87 который образуется при раскалывании слитка, закрепленного конца^ на опорах. Скол монокристалла обычно представляет собой ровную зеркальную поверхность, определенным образом ориентированную к направлению роста. При травлении скола монокристалла не должщ, выявляться границы раздела между отдельными сросшимися кристал, литами. Затем необходимо провести замеры удельного сопротивления вдоль продольной оси слитка и, построив график р = f(x), сравнить его с теоретическим графиком распределения примеси. Рекомендуется измерить распределение термо-э. д.с. вдоль слитка для выявления воз. можной области р—n-перехода. Встречающиеся в антимониде инди8 примеси (главным образом акцепторы) имеют коэффициент распреде. ления k> 1, а доноры /г <; 1, поэтому следует ожидать скопления акцепторных примесей в начале слитка, а донорных в конце. Если длР синтеза InSb взяты компоненты полупроводниковой чистоты, то можно добавить к загружаемой шихте ~0,01 ат.% акцепторной или донорно« примеси с известным коэффициентом распределения (см. табл. 3 пр«. лржения). При этом измерение удельного сопротивления вдоль слитка позволяет судить о распределении в нем выбранной примеси.

Форма отчета. Отчет должен содержать: 1) обоснование и краткое описание методики синтеза и выращивания монокристалла; 2) графики зависимости р = f(x) и а — f(x)\ 3) выводы по работе. Кристалл предъявить преподавателю и сохранить для дальнейшей работы.

Литература

*

Ваингард У. Введение в физику кристаллизации металлов. Мир, 1967.

Медведев С. А. Введеииев технологию полупроводниковых материалов

Высшая школа, 1970.

Полупроводники. Под ред. Н. Б. Хеннея. ИЛ, 1962.

Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975.

РАБОТА 10. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ PACTBOPA-PAt ПЛАВА (НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ)

Особенности и границы применимости метода. Многие полупроводниковые материалы разлагаются до достижения температуры плавления, и поэтому монокристаллы таких веществ не удается вырастит1 из стехиометрического расплава. Также трудно осуществимы пр0' цессы выращивания монокристаллов из расплава для полупроводниковых соединений, обладающих высоким давлением пара при тем* ратуре плавления. Применение метода выращивания монокристаллов из раствора снижает температуру в реакторе, а иногда и давлені* пара в системе. Поэтому выращивание из раствора позволяет в благ" приятных условиях получать монокристаллы веществ, претерпевав щих фазовый переход в твердом состоянии или обладающих знач11'

тельной упругостью пара.

Основной недостаток метода — низкая скорость роста монокристала. Так как составы расплава и растущего кристалла резко отли^ ются, у фронта кристаллизации образуется слой жидкости, сост""

88

ff

ий из почти чистого растворителя. Растворенное вещество должно ^диффундировать через этот слой, прежде чем оно достигнет фронта кписталлизации. Скорость роста монокристалла из раствора опресняется обычно этим чрезвычайно медленно идущим процессом и раВна приблизительно 0,1 мм/ч»

Большую роль в успешном применении данного метода играет пра-рИЛЬНЫЙ выбор растворителя, который должен иметь или предельно малую растворимость в кристалле, или (если растворимость значительная) ничтожно малую электрическую активность. Далее кристаллизуемое вещество должно обладать хорошей растворимостью в жидком растворителе. Желательна малая вязкость растворителя, так как это облегчает диффузионный перенос растворенного вещества и перемеши-вание раствора.

Необходимо различать-следующие процессы: 1) когда растворителем служит вещество, не входящее в состав выращиваемого кристалла (например, NaCl + H2O, InP + Pb, Si + Au) (см. работу 7); 2) когда растворителем служит один из компонентов выращиваемого соединения -(GaAs + Ga, ІпР + Р). В первом варианте выращенные кристаллы содержат в качестве примесей все компоненты раствора, включая и остаточные примеси растворителя. Поэтому большое значение имеет электрическая активность примесей, попадающих в кристалл из раствора. Во втором варианте посторонние вещества отсутствуют, и чистота кристалла определяется чистотой компонентов соединения и условиями проведения процесса. Возможность применения этого метода определяется типом диаграммы состояния выращиваемого соединения. Большое распространение он получил для выращивания монокристаллов соединений TnnaA111Bv , так'как растворимость в них компонентов в твердой фазе ничтожно мала. Иногда, несмотря на применение растворителя, упругость пара летучего компонента над раствором остается значительной, и процесс необходимо проводить под давлением его пара (в двухтемпературном варианте).
Предыдущая << 1 .. 33 34 35 36 37 38 < 39 > 40 41 42 43 44 45 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама