Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 42

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 80 >> Следующая


Оборудование и материалы

Установка для зонной плавки; установка для измерения электропровод-ности четырехзондовым методом; кварцевые ампулы, тигельные шипцы; печі для сплавления; лодочки из плавленого кварца; установка для вакуумировани и запаивания ампул; металлы полупроводниковой чистоты: индий, сурьма, олово,, цинк.

Порядок выполнения работы. Готовят сплав InSb, легированный оловом и цинком. Общая масса слитка 15—20 г. Количество примесей

(ат. %): олово 1, цинк 0,5 (cn. работу, 5). Полученный сплав извлекают из ампулы, загружают в лодочку и расплавляют. Охлаждают и вдоль образовавшегося слитка измеряют электропроводность четырехзондо вым методом (рис. 55). Предварительно слиток отшлифовывают с одной стороны, промывают от абразивных материалов и высушивают. Замерь электропроводности делать че рез каждые 5 мм.

Далее замеряют температур ный профиль печи установ»' для зонной плавки (рис. 561, Для этого поднимают темі# ратуру зоны на 50—70° Bbtft температуры плавления In" Температуру измеряют чере-1 см в обе стороны от центра печи. Строят график в координат«' температура*—длина зоны и нагреваемого пространства около зой"



Рис. 55. Схема установки для контроля распределения примеси вдоль

слитка четырехзондовым методом: 1,4 — токовые зонды; 2, 3 — потенциальные зонды; R — переменное сопротивление; мА — миллиамперметр; Б — источник питания; Bk — выключатель; R9t — эталонное сопротивление; /7„ H3 — переключатели полярности; П, — переключатель {JatIUjc

W

Лодочку вместе со слитком помещают в ампулу из кварцевого стеКла, которую откачивают до Ю-3 мм рт. сг. и отпаивают. Ампулу помещают в кварцевую трубку. Проводят однократную зонную плавку (скорость прохода 1—1,5 см/'ч), после чего повторяют измерение электропроводности вдоль слитка в том же направлении. Строят график изменения электропроводности вдоль образца до зонной „ плавки и после нее.

Зная коэффициент распределения (для олова k = 0,057, а для цинка k = 2,3) и первоначальную концентрацию примеси, рассчитывают по формуле (11.1) или (11.2) относительную концентрацию примесей по длине образца после одного прохода зоны. Ширину расплавленной зоны b рассчитывают из температурного профиля печи; х — расстояние от начала слитка до точек, в которых измерялась электропроводность.

Строят кривую распределения примесей относительно длины образца. Сравнивают полученный график с графиком изменения электропроводности вдоль образца после очистки.

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) схему установки для зонной плавки; 2) график температурного профиля печи;

экспериментальные данные по измерению электропроводности вдоль образца до очистки и после нее; 4) расчетные данные по распределению относительной концентрации примесей вдоль образца в виде таблицы и графика; 5) выводы по работе.

Литература

Вигдорович В. Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. Металлургия, 1969.

Медведев С. А.- Введение в технологию полупроводниковых ма-«Риалов. Высшая школа, 1970.

О р м о н т Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полу-"Роводииков. Высшая школа, 1968. '

П а р р Н. Зонная очистка и ее техника. Металлургиздат, 1963.

11 ф а н н В. Зонная плавка. Мир, 1970.

їапгі 0 м а н е и к о В. Н. Получение однородных полупроводниковых консулов. Металлургия, 1966. .

ЩргтСт1Р,п и н В- Д- и ДР- Методы получения особочистыхнеорганических ве-

V Л- Хими"- 196Э-

гай Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975.

Рис. 56. Схема лабораторной установки для проведения зонной плавки: 1 — ампула; 2 — слиток; 3 — кварцевая трубка; 4— нагреватель зоны; 5 — мотор; 6 — редуктор; 7 — ходовой винт

94>

Часть III

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, ,которые позволяют формировать в нем разнородные области (п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), яв ляющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п.; формирование стеклообразных пленок на основе SiO2, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным эта пом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного и акцепторного типов, при помощи которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы.

Последовательность операций при изготовлении интегральных схем. Для изготовления интегральных схем (ИС) большое значение имеет подготовка поверхности кремниевых подложек. Слиток монокристаллического кремния ориентируют в заданном направлении в разрезают на пластины металлическими дисками, режущая кромка которых содержит алмазный абразив. Пластины затем подвергают плоскопараллельной механической двусторонней шлифовке абразивными микропорошками на основе карбида кремния с размером зер на порядка 10 20 мкм. После этого пластины механически полируют при помощи алмазных паст, представляющих собой суспензии1 алмазного микропорошка с размером зерна 0,5—2 мкм в минерально»1 вязком масле. Окончательная толщина механически обработанных пластин должна составлять 200 400 мкм.
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама