Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 43

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 80 >> Следующая


Подготовленные таким образом пластины содержат на поверхност" жировую пленку, различного рода примеси, а также нарушенные ело'1-вызванные абразивной обработкой. В последующих операциях °т' мывки и травлення эти нарушения должны быть удалены. Отмывй проводят в несколько стадий обработкой пластин в различных орган'' ческих растворителях (в парах толуола, четыреххлористого углерод и т. п.), минеральных окисляющих кислотах (кипячение в НМЛ, с промежуточным промыванием дистиллированной водой. Нарушений

96> сЛОй в приповерхностной области, включающий в себя скопление ыик-р0Трещин, зону повышенной плотности дислокаций, деформационные искажения. структуры, удаляют химическим полирующим травлением илй путем газового травления безводным HCl на глубину 5—8 мкм. Операция отмывки крайне важна, поскольку она применяется мно-г0кратно в течение технологического цикла изготовления структуры и от тщательности ее выполнения существенно зависят параметры и стабильность работы готового прибора. Все реактивы, применяемые при отмывке пластин, должны быть квалификации ОСЧ, высокие требования предъявляются к посуде, в которой происходит обработка. Вода, используемая в полупроводниковой технологии* не должна содержать минеральных и органических примесей, наличие которых даже в ничтожно малых концентрациях может привести к необратимому дрейфу параметров прибора в процессе эксплуатации.

При изготовлении различных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии,, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р—«- переходы областей эмиттер — база и база — коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р —«-переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты пленарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов (диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р — «-переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции.

Рассмотрим последовательность операций при создании изолированных участков структуры, на которых впоследствии формируются элементы интегральной схемы. На рис. 57 представлены этапы изготовления изолированных областей при диэлектрической изоляции. На исходную пластину и-типа (которая будет служить рабочим телом чри изготовлении элементов ЙС) эпитаксиально наращивают моно-кРисгаллический сильнолегированный слой кремния n-типа (п+) (рис. 57, а). Затем на пластине термически выращивают слой SiO2 фис. 57, б), в котором при помощи метода фотолитографии вытравливают «окна» (рис. 57, в). Оставшийся слой SiO2 служит маской при ^следующем травлении разделительных «канавок» в кремнии -(Рис. 57, г). После вытравливания канавок слой термического окисла 1 С||имают в плавиковой кислоте, а на рельефную поверхность кремния ^аждают из газовой фазы относительно толстый (2—3 мкм) слой изо-"Рующего окисла (рис. 57, д) путем, например, гидролиза SiCl4 в Меси SiCl4 + H2O + H2 при высокой температуре. На рельефную •ретину кремния, покрытую слоем изолирующего окисла, наращи-J1J1ot юлстый (порядка 200 мкм) слой поликристаллического крем-1я (рис. 57, е), который в дальнейшем служит механической основой

4 912 , 97 оатРМ исходный монокристалл шлифуют и поЛц.

будущей структуры Затем имодны J ^ в результат

руют до вскрытия й формируются монокристаллические

к -типа, элекгринесни изо»и*

п*-эпи

Я* SiOi(InepM)

п

п*

I...................1

п

JSS

Диффузия P SiO2 унИ



п* р

п-эпи

SiO2 - изйлирукщии





Диффузия В

ІЧтTsTffiT -rf
I P L і1 ] P

Рис. 57. Последовательность этапов изготовления изолированных монокристалл ических областей (диэлектрическая изоляция)

Рис. 58. Последовательность этапов изготовления изолированных

монокристаллических

областей (изоляция р—П-переходом)

=O SS Sbb ZSSSSSb

В качестве исходной берут пластину ? q служит

На ней выращивают слои ^Рм^Х^па в специально вытраИ

кой при последующей диффузии фосфора в спец

--- оч-г^й пр.пи окна (рис. oo, OJ. Аг

?

дение тела коллектора в будущем транзисторе. После удаления маскирующего окисла на поверхности зпитаксиально выращивают слой кремния я-типа (рис. 58, в), к которому предъявляются жесткие требования в отношении толщины, удельного сопротивления и кристаллического совершенства, поскольку именно здесь будут сформированы рабочие элементы структуры- Затем поверхность $щ(терм) рновь термически ОКИСЛЯ- ......

J0tj вытравляют окна- и осуществляют диффузию бора сквозь эпитаксиаль-кьій слой до встречи с подложкой р-типа (рис. 58, г). Таким способом на пластине формируются локальные рабочие области n-типа, отделенные друг от друга материалом р-типа (рис. 58, o). р—п-Переход между рабочей областью и основанием выполняет ту же роль, что и слой SiO2, т. е. электрически изолирует элементы структуры друг от друга. Этот способ изоляции рабочих областей по сравнению с диэлектрической изоляцией имеет некоторые технологические преимущества. Он менее трудоемок, включает меньшее количество последовательных операций и позволяет получать структуры с большим выходом. В то Жсвремя диэлектрическая
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама