Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 44

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 80 >> Следующая


изоляция обеспечивает меньшие утечки тока и меньшие паразитные Скости, чем изоляция р—п-переходом.

В дальнейшем процесс изготовления ИС сводится к формированию изолированных участках различных элементов структуры (диодов, Ранзисторов, резисторов) и к созданию на поверхности металлически разводки, соединяющей эти элементы определенным образом друг АРугом. На рис. 59 представлена последовательность основных тех-.. логических операций, позволяющих сформировать, например, диод, е™Нзкстор и резистор. Пластина с изолированными карманами поддается термическому окислению (рис. 59, а). В слое окисла при Og 0цШ фотолитографических методов вытравливаются отверстия не-.

QДимой формы и осуществляется селективная диффузия бора

99

Рис. 59. Последовательность этапов изготовления- элементов интегральной схемы (рис. 59, б). При этом в карманах формируются р-п-переходы и области р-типа, которые представляют собой базу транзистора (А), «тело» ре. зистора (В) и р-область диода (Б). На этой стадии заканчивается изготовление резистора и диода. Для завершения изготовления транзис. тора в р-область (А) необходимо провести диффузию фосфора, форми. рующую эмиттер и Ht —р-переход эмиттер — база. Перед диффу. зией пластину вновь термически окисляют и вскрывают окна только в местах создания эмиттера (рис. 59, в). р-Области резистора и диода находятся под слоем SiO2, который препятствует диффузии фосфора в них. Таким образов, различные активные элементы структуры обра, зуются одновременно в ходе последовательных операций окисления И локальной диффузии через окисную ь:аеку. Поскольку режим диффу. зии один и тот же для всех вскрытых участков структуры, то электри-ческие параметры отдельных элементов можно регулировать, изменяя геометрию соответствующих областей (форму и размер окон в окисле, подлежащих вскрытию перед диффузией). Заключительной операцией изготовления ИС является монтаж элементов структуры в единый функциональный блок посредством металлоразводки. Для этого пластину вновь покрывают слоем термического окисла,. в котором вскрывают отверстия в местах будущих контактов. У транзистора обнажают участки ri-, р-, п+-областей (коллектор, база, эмиттер), у диода п- и р-участки, а у резистора оба контактных участка находятся в р-об-ласти. Затем методом вакуумного напыления наносят металлический слой (например, алюминия), который подвергают селективному травлению с применением методов фотолитографии, оставляя лишь тонкие полоски, соединяющие между собой элементы ИС в определенной последовательности. Термообработкой создают омические контактні металла с кремнием во вскрытых окнах в окисле, тогда как слой окне-1 ла электрически изолирует металлоразводку от тела прибор?I (рис. 59, г). І

Такая последовательность операций в планарной технологии полу-| проводниковых приборов является универсальной И В принципе MO-I жет быть применена не только для кремния, но и для других полупро I водниковых материалов. Только вместо окисления в общем случае! потребуется процесс осаждения диэлектрика на поверхность полуї проводника, а эпитаксия может осуществляться не только на свое«:I но и на «чужом» монокристалле (гетероэпитаксия). I

РАБОТА 12. ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ I

Особенности и границы применимости метода. Травление при^І няется: а) для удаления поверхностного слоя, нарушенного абразії ной обработкой, или для уменьшения толщины образцов, придания I необходимого рельефа; б) для очистки поверхности; в) как подгот°1 вительный этап для металлографического исследования. При этом I процессе травления увеличивается контраст между неоднородны''1! участками поверхности, что позволяет определить фазовый сост21 слитка, степень его однородности и выявить макро- и микродефект1'!

Существуют различные способы травления: ¦ I

IOO> 1. Химическое травление, основанное на различной рмической активности структурных составляющих или участков кристалла по отношению к химическим реагентам. Химическое травление моЖет происходить как в жидкой среде — в водных и неводных растворах, в расплавах солей и металлов, так и в газовой фазе. Единственное условие, которое при этом должно соблюдаться, — достаточная легкость образования и удаления с поверхности "продуктов взаимодействия.

2. Электрохимическое травление, основанное на анодном растворении материала под действием пропускаемогр через систему тока.

.3. Ионное травление происходит на кристалле, служащем катодом, в тлеющем разряде в вакууме. Удаление вещества с поверхности осуществляется за счет энергии бомбардирующих ионрв, например ионов аргона. В первую очередь вытравляются участкй о" нарушенными или ослабленными связями.

Для травления металлов эффективны все способы. Для травления полупроводников ионная бомбардировка используется редко, так как необходимый эффект можно достигнуть другими более простыми способами, а также из-за возможности ухудшения свойств и повреждения материала при нагревании до высоких температур.

Обычно отдают предпочтение химическому травлению. Этому способствует доступность, крайняя простота выполнения, приемлемые скорости процесса, невысокие температуры и несложное оборудование. Однако чистота поверхности, получаемая при химическом травлении, не всегда удовлетворительна. Для прецизионных исследований в условиях ультравысокого вакуума образцы должны быть подвергнуты дополнительной очистке, так как после химического травления поверхность еще содержит загрязнения, попадающие из травителя, а также тонкий слой окислов или других соединений, адсорбированных газов и молекул растворителя.
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама